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公开(公告)号：CN114627909A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110163497.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C5/14
Abstract: 本公开涉及存储器设计中的电源管理的系统和方法。一种器件包括第一虚拟电源线、第二虚拟电源线、第一延迟电路和第一唤醒检测器。第一虚拟电源线和第二虚拟电源线通过第一组晶体管开关和第二组晶体管开关耦合至电源。第一延迟电路耦合在第一组晶体管开关的栅极端子和第二组晶体管开关的栅极端子之间。第一唤醒检测器被配置为在从第一延迟电路接收到信号之后生成第一触发信号。
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公开(公告)号：CN114400999A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011517547.0
申请日：2020-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本公开总体涉及电路及其操作方法。一种电路包括功率管理电路和存储器电路。功率管理电路被配置为接收第一控制信号和第二控制信号，并提供第一供应电压、第二供应电压和第三供应电压。第一控制信号具有第一电压摆幅，并且第二控制信号具有与第一电压摆幅不同的第二电压摆幅。第一控制信号使功率管理电路进入具有第一状态和第二状态的功率管理模式。存储器电路耦合到功率管理电路，并且至少响应于由功率管理电路提供的第一供应电压而处于第一状态或第二状态。
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公开(公告)号：CN113742795B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010459779.9
申请日：2020-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及对集成电路中的半导体存储器的安全级别进行认证的方法。一种方法包括：用一个或多个参数指定目标存储器宏；查找所述目标存储器宏中的功能块；以及基于基本单元的集合中的晶体管数量和面积分布来确定所述功能块的故障率。该方法包括：基于所述功能块的故障率，从存储器编译器生成针对所述目标存储器宏的故障模式分析。该方法包括：基于所述目标存储器宏的所述故障模式分析，确定所述目标存储器宏的安全级别。
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公开(公告)号：CN113742795A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010459779.9
申请日：2020-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及对集成电路中的半导体存储器的安全级别进行认证的方法。一种方法包括：用一个或多个参数指定目标存储器宏；查找所述目标存储器宏中的功能块；以及基于基本单元的集合中的晶体管数量和面积分布来确定所述功能块的故障率。该方法包括：基于所述功能块的故障率，从存储器编译器生成针对所述目标存储器宏的故障模式分析。该方法包括：基于所述目标存储器宏的所述故障模式分析，确定所述目标存储器宏的安全级别。
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公开(公告)号：CN106297874B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201510307020.8
申请日：2015-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C8/16 , G11C7/1075 , G11C8/12 , G11C8/18
Abstract: 本发明公开了一种时钟信号生成电路和方法、以及存储器，其中，该电路包括：信号输入端，用于接收输入的外部时钟信号；信号生成器，连接至所述信号输入端，用于基于输入的外部时钟信号生成内部时钟信号，其中，信号生成器中包含RC器件，RC器件用于对输入的信号进行延迟后输出。本发明借助RC器件的延迟功能，使得输出的内部时钟信号中脉冲信号间的时间间隔不仅仅取决于逻辑门，而且会受到RC器件的影响，使得时间间隔更加可控、容易跟踪。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107437428A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710387166.7
申请日：2017-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C8/08
CPC classification number: G11C8/08
Abstract: 本揭露涉及具有升压电压产生器的字线驱动单元及包含所述字线驱动单元的存储器装置。一种方法包含：将输入电压信号延迟以产生输出电压；启用电容器单元以跨越字线驱动器施加比所述输出电压大的经升压电压；及启用所述字线驱动器以提供对应于所述经升压电压的驱动电压。还揭露一种执行所述方法的字线驱动单元及一种包含所述字线驱动单元的存储器装置。
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公开(公告)号：CN106297874A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510307020.8
申请日：2015-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C8/16 , G11C7/1075 , G11C8/12 , G11C8/18
Abstract: 本发明公开了一种时钟信号生成电路和方法、以及存储器，其中，该电路包括：信号输入端，用于接收输入的外部时钟信号；信号生成器，连接至所述信号输入端，用于基于输入的外部时钟信号生成内部时钟信号，其中，信号生成器中包含RC器件，RC器件用于对输入的信号进行延迟后输出。本发明借助RC器件的延迟功能，使得输出的内部时钟信号中脉冲信号间的时间间隔不仅仅取决于逻辑门，而且会受到RC器件的影响，使得时间间隔更加可控、容易跟踪。
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公开(公告)号：CN104900255B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201410074379.0
申请日：2014-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C8/16
Abstract: 一种用于双端口SRAM的升压系统包括比较器和升压电路。比较器被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且输出第一使能信号。升压电路被配置为根据第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。
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公开(公告)号：CN104900255A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201410074379.0
申请日：2014-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C8/16
Abstract: 一种用于双端口SRAM的升压系统包括比较器和升压电路。比较器被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且输出第一使能信号。升压电路被配置为根据第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。
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公开(公告)号：CN105740177B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201410745293.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F13/20
CPC classification number: G11C11/418 , G11C7/1075 , G11C11/419 , H04J3/0644
Abstract: 本发明公开了一种信号传输的控制方法和装置、以及信号锁存装置，其中，该方法包括：将第一信号输入至第一锁存器；在第一锁存器对第一信号进行锁存期间，将第二信号输入至第一锁存器的输入端。本发明通过控制信号输入到锁存器的时间，减少锁存器在锁存多路信号的过程中等待信号输入的时间，从而改善了信号处理的速度，提高了处理效率。
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