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公开(公告)号：CN114613401A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110136033.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4094 , G11C11/4096 , G11C7/10
Abstract: 本公开涉及存储器器件的控制电路。一种电路包括：第一反相器、第二反相器、第一头部电路和第二头部电路。所述第一反相器被配置为将第一全局写入信号转换成发送到补码位线的第一本地写入信号。所述第二反相器被配置为将第二全局写入信号转换为发送到位线的第二本地写入信号。所述第一头部电路响应于写入使能信号和所述第二全局写入信号将所述第一反相器的电源端子与正参考电压源连接或断开。第二头部电路响应于写入使能信号和所述第一全局写入信号将所述第二反相器的电源端子与所述正参考电压源连接或断开。
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公开(公告)号：CN112447218B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201910808044.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司 , 台积电(南京)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器电路和方法。一种电路，包括：选择电路，其被配置为在第一输入处接收第一地址并在第二输入处接收第二地址，当选择信号具有第一逻辑状态时将第一地址传递到输出，并且当选择信号具有与第一逻辑状态不同的第二逻辑状态时，将第二地址传递到输出。该电路还包括解码器，其被配置为对所传递的第一地址或第二地址进行解码。
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公开(公告)号：CN112447218A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910808044.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司 , 台积电(南京)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器电路和方法。一种电路，包括：选择电路，其被配置为在第一输入处接收第一地址并在第二输入处接收第二地址，当选择信号具有第一逻辑状态时将第一地址传递到输出，并且当选择信号具有与第一逻辑状态不同的第二逻辑状态时，将第二地址传递到输出。该电路还包括解码器，其被配置为对所传递的第一地址或第二地址进行解码。
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公开(公告)号：CN114171083B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202011208387.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/419
Abstract: 本公开涉及存储器器件。公开了一种器件。该器件包括第一跟踪控制线、第一跟踪电路、第一感测电路和预充电电路。第一跟踪控制线被配置为传送第一跟踪控制信号。第一跟踪电路被配置为响应于第一跟踪控制信号而生成与存储器阵列中的第一跟踪单元相关联的第一跟踪信号。第一感测电路被配置为接收第一跟踪信号，并且被配置为响应于第一跟踪信号而生成第一感测跟踪信号。预充电电路被配置为响应于第一感测跟踪信号的上升沿以及读取使能延迟信号的下降沿，而生成用于对与存储器阵列中的存储器单元相关联的数据线进行预充电的预充电信号。本文还公开了一种方法。
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公开(公告)号：CN114649005A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110176842.2
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本申请涉及存储器件。一种存储器件包括字线驱动器。该字线驱动器通过字线耦合至位单元的阵列。字线驱动器包括第一驱动电路、第二驱动电路和调制电路。第一驱动电路和第二驱动电路被配置为选择字线。调制电路通过所选择的字线耦合至第一驱动电路和第二驱动电路，并且被配置为调制通过所选择的字线传输的至少一个信号。第一驱动电路和第二驱动电路还被配置为对所选择的字线进行充电，以在所选择的字线的两个位置处生成第一电压信号和第二电压信号。第一电压信号与第二电压信号基本相同。本文还公开了一种方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114388028A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011476130.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22
Abstract: 本公开涉及存储器器件的控制电路。一种电路包括跟踪字线、电源开关、跟踪位线、感测电路。电源开关耦合在跟踪字线和第一节点之间。电源开关被配置为响应于通过跟踪字线发送到电源开关的时钟脉冲信号而使第一节点上的电压电平放电。跟踪位线耦合在第一节点和存储器阵列中的多个跟踪单元之间。感测电路耦合在第一节点和第二节点之间。感测电路被配置为响应于第一节点上的电压电平低于感测电路的阈值电压值而生成负位线使能信号。
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公开(公告)号：CN114255795A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011311624.7
申请日：2020-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器器件的控制电路。一种器件包括存储器阵列、位线对、字线、调制电路和控制信号发生器。存储器阵列具有布置在行和列中的多个位单元。每个位线对连接到相应列的位单元。每个字线连接到相应行的位单元。调制电路与至少一个位线对耦合。控制信号发生器与调制电路耦合。控制信号发生器包括跟踪布线，跟踪布线的跟踪长度与字线的深度距离正相关。控制信号发生器被配置为产生控制信号，控制信号参考跟踪长度在第一持续时间内切换到第一电压电平，以用于控制调制电路。还公开了控制上述器件的方法。
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公开(公告)号：CN114171083A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202011208387.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/419
Abstract: 本公开涉及存储器器件。公开了一种器件。该器件包括第一跟踪控制线、第一跟踪电路、第一感测电路和预充电电路。第一跟踪控制线被配置为传送第一跟踪控制信号。第一跟踪电路被配置为响应于第一跟踪控制信号而生成与存储器阵列中的第一跟踪单元相关联的第一跟踪信号。第一感测电路被配置为接收第一跟踪信号，并且被配置为响应于第一跟踪信号而生成第一感测跟踪信号。预充电电路被配置为响应于第一感测跟踪信号的上升沿以及读取使能延迟信号的下降沿，而生成用于对与存储器阵列中的存储器单元相关联的数据线进行预充电的预充电信号。本文还公开了一种方法。
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公开(公告)号：CN113742795B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010459779.9
申请日：2020-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及对集成电路中的半导体存储器的安全级别进行认证的方法。一种方法包括：用一个或多个参数指定目标存储器宏；查找所述目标存储器宏中的功能块；以及基于基本单元的集合中的晶体管数量和面积分布来确定所述功能块的故障率。该方法包括：基于所述功能块的故障率，从存储器编译器生成针对所述目标存储器宏的故障模式分析。该方法包括：基于所述目标存储器宏的所述故障模式分析，确定所述目标存储器宏的安全级别。
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公开(公告)号：CN114400999A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011517547.0
申请日：2020-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本公开总体涉及电路及其操作方法。一种电路包括功率管理电路和存储器电路。功率管理电路被配置为接收第一控制信号和第二控制信号，并提供第一供应电压、第二供应电压和第三供应电压。第一控制信号具有第一电压摆幅，并且第二控制信号具有与第一电压摆幅不同的第二电压摆幅。第一控制信号使功率管理电路进入具有第一状态和第二状态的功率管理模式。存储器电路耦合到功率管理电路，并且至少响应于由功率管理电路提供的第一供应电压而处于第一状态或第二状态。
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