Patent search ap:("合肥工业大学") AND inv:"姚新旺" Page 1

1.

发明公开
一种SnO/β-Ga2O3功率二极管及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119603981A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411874427.4

申请日：2024-12-19

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 吴春艳 , 王俊 , 吴霞 , 姚新旺 , 钱君涵 , 王秀娟

IPC: H10D8/60 , H10D8/01 , H10D62/82 , H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种SnO/β‑Ga2O3功率二极管及其制备方法，是在β‑Ga2O3外延层上沉积p型SnO层，构建SnO/β‑Ga2O3垂直结构异质结二极管或异质结势垒二极管。本发明利用II型异质结的耗尽区，降低功率二极管的反向漏电流，提高器件的可靠性和击穿电压，同时该异质结具有较低的内建电势，有望降低导通功耗，可用于高压大功率电力电子系统。

Patent Agency Ranking