公开(公告)号：CN108507719A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810253643.5

申请日：2018-03-26

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王旭迪 ,  姜彪 ,  王永健 ,  尉伟 ,  杨丹 ,  邱克强 ,  魏本猛 ,  寇钰

IPC: G01M3/00 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯自身缺陷的标准漏孔的方法，首先在铜箔上制作单层石墨烯，在石墨烯上涂一层聚甲基丙烯酸甲酯，使用铜腐蚀液去除铜箔，然后将石墨烯放到已打好孔的硅片上，干燥约1小时完成石墨烯的转移，最后将硅片放在KF40密封法兰上，使用Torr-Seal胶均匀涂在硅片的四周，静置12小时以上固化制得单层石墨烯标准漏孔。本发明提出了一种新颖的制作标准漏孔的方法，可以通过控制石墨烯的层数控制通道的尺寸，获得所需要漏率的标准漏孔，因此，该标准漏孔漏率大小可控性好、漏率范围宽、可实现微小漏率测量，可保证通道中气体处于分子流状态。

公开(公告)号：CN106679897A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610826850.6

申请日：2016-09-14

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王旭迪 ,  魏本猛 ,  尉伟 ,  邱克强 ,  寇钰 ,  董栋 ,  李鑫 ,  孟智鹏

IPC: G01M3/26

CPC classification number: G01M3/26

Abstract: 本发明一种漏孔漏率测量装置属于泄漏检测技术领域，它涉及对漏孔漏率进行测量的一种测量装置；通过引入一个与测量室体积、材料和处理方式完全一样的参考室，可以降低本底放气以及环境温度变化的对测量精度的影响；该装置为全金属真空系统，包括全金属阀门和金属波纹管等真空元件，全金属真空系统可以降低由于小分子气体渗透导致的误差，实现精确测量漏孔漏率的目的。利用本装置可以实现精确测量漏孔漏率的目的；一种漏孔漏率测量装置包括隔膜泵和涡轮分子泵组成的抽气机组、全金属角阀和旋塞阀、气瓶、流量计、绝对真空计、稳压室、测量室、参考室、漏孔漏率测量单元、差压计；利用本发明可以精确测量漏孔漏率，操作过程简单且可以进行重复测量。

公开(公告)号：CN106981432A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710232610.8

申请日：2017-04-11

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王旭迪 ,  寇钰 ,  魏本猛 ,  尉伟 ,  赵永恒 ,  朱爱青

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03

Abstract: 本发明涉及一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法，包括以下步骤：利用氧等离子体对清洁后的硅片基底进行轰击处理；在硅片基底表面旋涂一层AZ‑5530光刻胶，曝光显影后，在光刻胶表面形成矩形沟槽结构；利用反应离子刻蚀技术实现光刻胶图形向硅片基底转移；利用激光加工技术将硅片基底切割成一矩形，并利用磁控溅射镀膜在硅片基底上沉积一层铜膜；另取直径48.75mm的铜板，其上加工出矩形凸台，并在凸台表面加工出一个直径6mm的通孔，并对铜板表面进行预处理；将硅片基底和铜板放入键合机中，利用铜铜键合实现二者的封接，完成标准漏孔的制作。本发明制得的标准漏孔尺寸可控，本底漏率低，能够实现宽压强范围内的气体分子流传输。

公开(公告)号：CN108516073A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810254333.5

申请日：2018-03-26

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王旭迪 ,  王永健 ,  姜彪 ,  尉伟 ,  杨丹 ,  邱克强 ,  魏本猛 ,  寇钰

IPC: B64B1/62

Abstract: 本发明适用于保持柔性容器内外压差恒定，目的是在大气环境、温度波动和自身缺陷的多重影响下，为保持柔性容器内外压差恒定，提供一种保持柔性容器内外压差恒定装置。本发明装置包括；第一阀门、电磁阀、高压气瓶、PLC控制系统、柔性容器、温度计、差压计、第二阀门、绝压计，柔性容器中的压力变化时，将差压计示数与PLC控制系统中设定的压力值相比较，PLC控制系统根据比较结果控制电磁阀进口位置和开度，使柔性容器放气或充气，从而保持柔性容器内外压差恒定。

公开(公告)号：CN106981432B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201710232610.8

申请日：2017-04-11

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王旭迪 ,  寇钰 ,  魏本猛 ,  尉伟 ,  赵永恒 ,  朱爱青

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明涉及一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法，包括以下步骤：利用氧等离子体对清洁后的硅片基底进行轰击处理；在硅片基底表面旋涂一层AZ‑5530光刻胶，曝光显影后，在光刻胶表面形成矩形沟槽结构；利用反应离子刻蚀技术实现光刻胶图形向硅片基底转移；利用激光加工技术将硅片基底切割成一矩形，并利用磁控溅射镀膜在硅片基底上沉积一层铜膜；另取直径48.75mm的铜板，其上加工出矩形凸台，并在凸台表面加工出一个直径6mm的通孔，并对铜板表面进行预处理；将硅片基底和铜板放入键合机中，利用铜铜键合实现二者的封接，完成标准漏孔的制作。本发明制得的标准漏孔尺寸可控，本底漏率低，能够实现宽压强范围内的气体分子流传输。