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公开(公告)号：CN116117152B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310185845.1
申请日：2023-03-01
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高磁导率低高频损耗的铁基微粉的制备方法，属于软磁材料制备技术领域。本发明以碳酸亚铁为前驱体，经空气氧化、氧化铝包覆后，利用高温氢气还原制得性质可控的微米级氧化铝包覆铁粉末。从组成来看，较高的还原程度和较少的包覆层确保了单质铁的高含量，有利于达成较高的磁导率。从结构看，较大的晶粒尺寸有利于降低磁滞损耗，稳定的氧化铝绝缘层有助于隔绝导电通路，降低颗粒间涡流，内部孔结构的形成有利于抑制颗粒内涡流。本发明微米级氧化铝包覆铁粉末制备的磁环试样在1‑30 MHz范围内具有较高的磁导率，在16 MHz以上具有较低的损耗，综合性能优于市售高磁导率羰基铁粉产品。本发明工艺无毒无害、重现性好，适于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN116313364A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310219661.2
申请日：2023-03-03
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明提出了一种具有优异低频磁性能的金属软磁粉芯及其制备方法，属于磁性材料领域。至少使用纳米硼粉和以及铁硅软磁合金粉作为原料，通过高温扩散处理和高温氮化处理，部分纳米硼粉在铁硅软磁合金粉表面形成具有较高电阻率的铁硅硼渗透层，部分纳米硼粉在铁硅软磁合金粉之间生成兼具高电阻率与高热稳定性的氮化硼绝缘层，有效控制了涡流；通过热压处理，进一步提升金属软磁粉芯密度，降低退磁场，从而提高了磁导率，降低了磁滞损耗，进而在金属软磁粉芯中同步获得了高密度、高磁导率和低损耗的优异低频磁性能。
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公开(公告)号：CN116156861A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310219651.9
申请日：2023-03-03
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明提出了一种高磁导率柔性自支撑铁硅铝电磁屏蔽片及其制备方法，所述屏蔽片至少包括以下组分：片状铁硅铝合金粉末、三油酸甘油酯、聚乙烯醇缩丁醛、邻苯二甲酸二丁酯、增韧剂以及消泡剂。本发明通过分段球磨工艺，成功制备出了大径厚比的片状铁硅铝粉末，有利于抑制高频涡流，增强形状各向异性场。通过使用水溶性薄膜作基板，在流延浆料中滴加消泡剂，解决膜片和衬底不易剥离、膜片易出现气孔的问题。通过在外加磁场下流延以及流延成型后的辊压处理，有利于充分利用片状合金粉末的形状各向异性使片状粉末平行于膜片排布并提高膜片密度，从而能有效提升电磁屏蔽片的磁导率。
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公开(公告)号：CN116110706A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310157074.5
申请日：2023-02-23
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种改善晶面取向度提高无线充电效率的隔磁片制备方法，属于软磁材料制备领域。操作步骤如下：（1）对钛板进行表面进行酸洗、除油、清洗处理；（2）在电解质溶液中对钛板的工作面沉积铁镍合金的镀层；（3）将镀层与钛板分离，得到厚度14μm的铁镍合金薄片；（4）将铁镍合金薄片用背胶保护，制备成面积大小相同的铁镍合金隔磁片。铁镍合金隔磁片为（200）晶面取向度，使得铁镍合金隔隔磁片内部更多晶粒的易磁化方向转向面内，从而有效提高沿铁镍合金隔磁片平面磁化的磁导率，进而大幅提高无线充电耦合效率。本发明与传统轧制获得织构的方法相比操作简单，成本较低，能实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN112687445B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110074969.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01F1/147 , H01F1/26 , H01F41/02 , H01F27/255 , H01F27/34
Abstract: 本发明公开了一种磷酸二氢铝基复合绝缘包覆的金属软磁粉芯的制备方法，属于软磁材料制备技术领域。本发明方法通过有机无机复合绝缘包覆的方法，加入树脂使纳米氧化镁粘接磁粉，既提升磁粉芯生坯力学性能，又解决了压制成型时无机包覆物易剥落的问题；后续磷酸二氢铝的加入既弥补了有机树脂不耐高温的缺陷，且磷酸二氢铝也是一种粘结剂，能缩聚成无机高分子聚合物，附着力强，有利于提高粉芯的力学性能。另外，均一分散的纳米氧化镁颗粒的存在，有利于提高磷酸二氢铝的高温稳定性，原因在于磷酸二氢铝的P‑OH可与纳米氧化镁反应，形成了P‑O‑Mg键，通过离子键和共价键形成了三维空间网络结构，具有较高的粘接内聚力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113620349B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111020959.8
申请日：2021-09-01
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种金属有机框架衍生的一维铁基吸波材料及其制备方法，属于微波吸收材料技术领域。以一维金属有机框架（Fe‑bdc）为前躯体，采用先空气氧化、后氢气还原的工艺，实现了衍生一维铁基吸波材料内磁性成分含量以及形貌的调控，促进了电磁参数的优化，在低厚度下实现了对宽频电磁波的有效吸收。从成分看，氧化过程有效去除了非磁性成分，而还原过程可有效调节各磁性成分含量。从结构看，一维连珠状结构具有较强的形状各向异性，且可促进导磁、导电通路的形成，有助于电磁衰减能力的增强。所述一维铁基吸波材料在厚度仅为1.2 mm下的有效吸收频带即可达3.52 GHz，展现出了优越的低厚度、宽频带吸波特性。本工艺无需复杂设备，成本较低，产品一致性强。
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公开(公告)号：CN114429859A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210150353.4
申请日：2022-02-18
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种体电阻率高损耗低氧化钛绝缘气雾化铁硅铝软磁粉芯的制备方法，属于软磁材料制备技术领域。本发明基于常规钛酸四丁酯水解工艺，通过简单添加一种pH调节液，控制反应体系的酸碱度，降低钛酸四丁酯水解缩合反应生长氧化钛的速度，从而实现金属磁粉表面氧化钛绝缘层质量的有效提高，进而有效改善相关金属软磁粉芯的体电阻率与损耗。与未添加pH调节液的常规钛酸四丁酯水解工艺绝缘的气雾化铁硅铝软磁粉芯相比，本发明生长的高质量氧化钛绝缘层，可以大幅提高氧化钛绝缘气雾化铁硅铝软磁粉芯的体电阻率，最高提升60倍以上，有效降低损耗，300kHz/500Gs下的损耗最大可降低15%以上。本发明工艺流程简单，成本较低，具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN114141525A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111531578.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明涉及一种振动成型的软磁粉芯的制备方法，属于金属软磁粉芯的制备技术领域。操作步骤如下：（1）将铁基合金粉末根据粒径分为三级，并按质量百分比将三种粉料在流化床中进行均匀混合；（2）在丙酮溶液内添加适量环氧树脂并均匀搅拌，配制环氧树脂溶液；（3）将混合粉料放入塑料模具中，在振动台上进行多次振实，并缓慢滴加环氧树脂溶液，对抽真空使树脂通过，得到具有塑料外壳的软磁粉芯生坯；（4）真空干燥固化，得到振动成型的金属软磁粉芯；金属软磁粉芯的密度为5.65‑7.13g/cm3，磁导率为54.21‑85.62。本发明的振动成型工艺，不仅消除了软磁粉芯工业生产中对大压强压机的依赖，同时精简了生产工艺，无需去应力退火，无需脱模，提高了软磁粉芯的生产效率。
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公开(公告)号：CN103045971B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310013667.0
申请日：2013-01-15
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C22C47/14 , C22C47/04 , C22C49/02 , C22C49/14 , C22C101/08 , C22C121/02
Abstract: 本发明公开了一种铜-石墨-二硫化钨纳米管自润滑复合材料及其制备方法，其中自润滑复合材料是以铜为基体，石墨及二硫化钨纳米管为固体润滑添加剂，通过放电等离子烧结法制成，其组分及质量百分比分别为：铜80–90%，石墨7–10%，二硫化钨纳米管3–10%；其制备方法是将二硫化钨纳米管经研磨﹑敏化﹑活化及化学镀铜后与电解铜粉及石墨粉末按配比量通过机械球磨法混合均匀，再将混合粉末进行放电等离子烧结，最终制得二硫化钨纳米管及石墨增强的铜基自润滑复合材料。本发明制备的铜基自润滑复合材料机械强度高、摩擦磨损性能优异且环境适应性好。
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公开(公告)号：CN104386753A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410676448.5
申请日：2014-11-21
Applicant: 合肥工业大学
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/13
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼纳米管的制备方法，其特征在于：以纤维状碳纳米材料为模板，制得均质的二硫化钼包覆的C-MoS2同轴纳米管；然后在流动的CO2气氛下高温煅烧所述均质的二硫化钼包覆的C-MoS2同轴纳米管，以去除碳组分，即得二硫化钼纳米管。本发明所获得的二硫化钼纳米管的壁厚可以通过改变C-MoS2同轴纳米管中MoS2包覆层厚度来控制，且本发明在纤维状碳纳米材料表面突起或者急速弯曲的地方，二硫化钼包覆会出现缺口或断口，由此制备的二硫化钼纳米管也会出现相应的结构缺陷，这些缺陷可以增加纳米管表面的边缘活性位，使其具有更加优异的光电和催化性能。
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