公开(公告)号：CN117613052B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202311657662.1

申请日：2023-12-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张源涛 ,  张立东 ,  邓高强 ,  左长财

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法，属于半导体电子器件技术领域。该器件在同一衬底上集成了PMOS器件与NMOS器件，每种器件结构都由衬底、AlN缓冲层、高阻GaN层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、极化诱导层、绝缘层、钝化层以及栅电极、源电极和漏电极组成。器件的主体结构通过MOCVD方法制备，制备过程还涉及磁控溅射、光刻等工艺。本发明通过将PMOS与NMOS器件单片集成降低了系统体积和系统设计的复杂度，有利于减少不同器件间的寄生效应，提高电路系统的效率；此外，同步生长金属极性与氮极性器件可以一次外延获得PMOS和NMOS结构，有利于工艺流程的缩短和生产成本的降低。

公开(公告)号：CN117613052A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311657662.1

申请日：2023-12-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张源涛 ,  张立东 ,  邓高强 ,  左长财

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法，属于半导体电子器件技术领域。该器件在同一衬底上集成了PMOS器件与NMOS器件，每种器件结构都由衬底、AlN缓冲层、高阻GaN层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、极化诱导层、绝缘层、钝化层以及栅电极、源电极和漏电极组成。器件的主体结构通过MOCVD方法制备，制备过程还涉及磁控溅射、光刻等工艺。本发明通过将PMOS与NMOS器件单片集成降低了系统体积和系统设计的复杂度，有利于减少不同器件间的寄生效应，提高电路系统的效率；此外，同步生长金属极性与氮极性器件可以一次外延获得PMOS和NMOS结构，有利于工艺流程的缩短和生产成本的降低。

公开(公告)号：CN115995514A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310194705.0

申请日：2023-03-03

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张源涛 ,  关涛 ,  邓高强 ,  张立东 ,  左长财

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/26 ,  H01L33/00

Abstract: 一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。从下至上依次由衬底、成核层、n型GaN层、具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层组成，在p型层和n型层上分别设有上电极和下电极。电极由热蒸镀或电子束蒸发方法制备，其余各层通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备。本发明根据所需发光波长确定多量子阱中InGaN阱层的组分后，通过极化强度和禁带宽度的计算调控超晶格势垒层的组分，可以在保证势垒层禁带宽度大于阱层的条件下，减小阱层与势垒层的极化强度差值，从而降低量子阱中的极化电场强度，提高LED的发光性能。