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公开(公告)号：CN109461641B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201811446079.5
申请日：2018-11-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子刻蚀装置，包括：真空腔体、上电极、下电极和上下电极运动装置；其中所述上电极和所述下电极均位于所述真空腔体内，上下电极运动装置包括传动杆和直线电机。在刻蚀的整个过程中，既需要加热又需要冷却，由于在刻蚀时，离子要轰击硅片表面及其周边，使表面产生高温，这样在开始和结束时硅片表面温度变化比较大，加热管路和冷却管路使温度保持在一个稳定范围，在刻蚀开始时加热管路起主要作用，结束时冷却管路起主要作用。本发明通过调节电极距离硅片的距离和RF电源的功率来控制磁场、电场的分布和大小，调节温度、反应气体浓度，有效实现刻蚀的均一性。
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公开(公告)号：CN110128022B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910389827.9
申请日：2019-05-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种大型曲面玻璃真空溅射镀膜装置，包括：真空箱体和位于所述真空箱体内的被镀件固定架、被镀件移动机构、溅射阴极、阴极运动机构；本发明相比于传统的平面镀膜装置，是两个零件两个表面同时进行磁控溅射镀膜，根据溅射基板的尺寸，可以增加环路磁铁数量，即增加电离子环状封闭跑道数，进而扩大溅射面积，提高生产效率。而且与传统平面溅射阴极相比，同等情况下阴极结构的体积缩小了。磁铁座上下面布置磁铁是为了形成环状封闭跑道，因此主要是在正反面上进行溅射工作。
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公开(公告)号：CN110128022A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910389827.9
申请日：2019-05-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种大型曲面玻璃真空溅射镀膜装置，包括：真空箱体和位于所述真空箱体内的被镀件固定架、被镀件移动机构、溅射阴极、阴极运动机构；本发明相比于传统的平面镀膜装置，是两个零件两个表面同时进行磁控溅射镀膜，根据溅射基板的尺寸，可以增加环路磁铁数量，即增加电离子环状封闭跑道数，进而扩大溅射面积，提高生产效率。而且与传统平面溅射阴极相比，同等情况下阴极结构的体积缩小了。磁铁座上下面布置磁铁是为了形成环状封闭跑道，因此主要是在正反面上进行溅射工作。
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公开(公告)号：CN110042349B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201910349838.4
申请日：2019-04-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种多弧离子镀阴极装置，包括用于安装多弧离子镀阴极装置的真空腔体装置和多弧阴极电源，多弧阴极体通过多弧阴极底座安装于真空腔体装置内；多弧阴极体与辅助阳极板通过绝缘支撑柱固定连接；凹型矩形靶固定在多弧阴极体上；电磁铁设置有多个；多弧阴极底座的两端安装绝缘密封电极，多弧阴极底座一端安装引弧装置；绝缘密封电极分别与多个电磁铁连接；控制系统调节多个电磁铁线圈的电流幅值。本发明提供了一种多弧离子镀阴极装置，通过计算机对磁场进行智能控制，使镀膜更加均匀致密，提高镀膜层均匀性和镀膜效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110042349A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910349838.4
申请日：2019-04-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种多弧离子镀阴极装置，包括用于安装多弧离子镀阴极装置的真空腔体装置和多弧阴极电源，多弧阴极体通过多弧阴极底座安装于真空腔体装置内；多弧阴极体与辅助阳极板通过绝缘支撑柱固定连接；凹型矩形靶固定在多弧阴极体上；电磁铁设置有多个；多弧阴极底座的两端安装绝缘密封电极，多弧阴极底座一端安装引弧装置；绝缘密封电极分别与多个电磁铁连接；控制系统调节多个电磁铁线圈的电流幅值。本发明提供了一种多弧离子镀阴极装置，通过计算机对磁场进行智能控制，使镀膜更加均匀致密，提高镀膜层均匀性和镀膜效率。
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公开(公告)号：CN109461641A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811446079.5
申请日：2018-11-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子刻蚀装置，包括：真空腔体、上电极、下电极和上下电极运动装置；其中所述上电极和所述下电极均位于所述真空腔体内，上下电极运动装置包括传动杆和直线电机。在刻蚀的整个过程中，既需要加热又需要冷却，由于在刻蚀时，离子要轰击硅片表面及其周边，使表面产生高温，这样在开始和结束时硅片表面温度变化比较大，加热管路和冷却管路使温度保持在一个稳定范围，在刻蚀开始时加热管路起主要作用，结束时冷却管路起主要作用。本发明通过调节电极距离硅片的距离和RF电源的功率来控制磁场、电场的分布和大小，调节温度、反应气体浓度，有效实现刻蚀的均一性。
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公开(公告)号：CN210287144U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201920668908.8
申请日：2019-05-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本实用新型公开了一种大型曲面玻璃真空溅射镀膜装置，包括：真空箱体和位于所述真空箱体内的被镀件固定架、被镀件移动机构、溅射阴极、阴极运动机构；本实用新型相比于传统的平面镀膜装置，是两个零件两个表面同时进行磁控溅射镀膜，根据溅射基板的尺寸，可以增加环路磁铁数量，即增加电离子环状封闭跑道数，进而扩大溅射面积，提高生产效率。而且与传统平面溅射阴极相比，同等情况下阴极结构的体积缩小了。磁铁座上下面布置磁铁是为了形成环状封闭跑道，因此主要是在正反面上进行溅射工作。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209045484U
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201821987651.4
申请日：2018-11-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本实用新型公开了一种等离子刻蚀装置，包括：真空腔体、上电极、下电极和上下电极运动装置；其中所述上电极和所述下电极均位于所述真空腔体内，上下电极运动装置包括传动杆和直线电机。在刻蚀的整个过程中，既需要加热又需要冷却，由于在刻蚀时，离子要轰击硅片表面及其周边，使表面产生高温，这样在开始和结束时硅片表面温度变化比较大，加热管路和冷却管路使温度保持在一个稳定范围，在刻蚀开始时加热管路起主要作用，结束时冷却管路起主要作用。本实用新型通过调节电极距离硅片的距离和RF电源的功率来控制磁场、电场的分布和大小，调节温度、反应气体浓度，有效实现刻蚀的均一性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210341041U
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201920596788.5
申请日：2019-04-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本实用新型公开了一种多弧离子镀阴极装置，包括用于安装多弧离子镀阴极装置的真空腔体装置和多弧阴极电源，多弧阴极体通过多弧阴极底座安装于真空腔体装置内；多弧阴极体与辅助阳极板通过绝缘支撑柱固定连接；凹型矩形靶固定在多弧阴极体上；电磁铁设置有多个，且均匀排布于多弧阴极体底座上；多弧阴极底座的两端安装绝缘密封电极，多弧阴极底座一端安装引弧装置；绝缘密封电极分别与多个电磁铁连接；控制系统调节多个电磁铁线圈的电流幅值。本实用新型提供了一种多弧离子镀阴极装置，通过计算机对磁场进行智能控制，使镀膜更加均匀致密，提高镀膜层均匀性和镀膜效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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