一种高动态范围MCP探测器前端读出电路及其读出方法

    公开(公告)号:CN108848326A

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201810605557.6

    申请日:2018-06-13

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种高动态范围MCP探测器前端读出电路及其读出方法,属于半导体图像感测技术领域,包括信号输入模块、动态范围扩展模块、缓冲器模块、高速比较器模块、时间数字转换模块及逻辑电路模块;其中,来自探测器的光电流信号,经过信号输入模块进入前端读出电路,然后经过动态范围扩展模块进行积分以及动态范围扩展的处理,积分之后的电压信号经过缓冲器模块进行缓冲处理,然后传输给高速比较器模块,所述的高速比较模块包括第一比较器及第二比较器。本发明采用将输入信号强弱的判定过程放到像元内部进行处理,无需复杂的后端处理过程,简化了后端电路的设计过程,使整体芯片架构简单,像元填充比高,芯片面积利用率好。

    一种快速锁定延时锁相环

    公开(公告)号:CN113054997B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN201911360550.3

    申请日:2019-12-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了一种快锁定的延时锁相环电路,属于集成电路技术领域,包括鉴频鉴相器、电荷泵、低通滤波器、压控延时线以及倍频电路。参考时钟和反馈时钟进入PFD中,PFD将参考时钟和反馈时钟之间的相位差转化为时钟周期为常数的脉冲信号up、down,CP与LPF进一步将脉冲信号up、down转化为稳定的控制信号vc。vc不但控制参考时钟在VCDL中的延迟时间,而且反馈回电荷泵,调整电荷泵的电流大小,这样经过有限个时钟周期后,参考时钟和反馈时钟之间的相位差为0,从而达到锁相的目的。当延时锁相环锁定之后,可以将VCDL的输出信号接入倍频电路,获得倍频信号。

    一种快速锁定延时锁相环

    公开(公告)号:CN113054997A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201911360550.3

    申请日:2019-12-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了一种快锁定的延时锁相环电路,属于集成电路技术领域,包括鉴频鉴相器、电荷泵、低通滤波器、压控延时线以及倍频电路。参考时钟和反馈时钟进入PFD中,PFD将参考时钟和反馈时钟之间的相位差转化为时钟周期为常数的脉冲信号up、down,CP与LPF进一步将脉冲信号up、down转化为稳定的控制信号vc。vc不但控制参考时钟在VCDL中的延迟时间,而且反馈回电荷泵,调整电荷泵的电流大小,这样经过有限个时钟周期后,参考时钟和反馈时钟之间的相位差为0,从而达到锁相的目的。当延时锁相环锁定之后,可以将VCDL的输出信号接入倍频电路,获得倍频信号。

    一种基于SUBLVDS的传输接口电路

    公开(公告)号:CN110932714A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911306254.5

    申请日:2019-12-18

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于SUBLVDS技术的高速传输接口电路,属于集成电路技术领域。电路主要包括三部分:单端转差分模块,输入缓冲模块和共模反馈输出驱动模块。用于实现将芯片内部的单端信号转换成满足SUBLVDS协议标准的一对低压差分信号高速输出到片外。本发明节可在1.2V低压下工作,输出摆幅150mV,传输速度快,可用于高频信号传输。同时采用摆率补偿结构的驱动器电路,并加入了可调节的内部终端电阻,大大提高了电路的阻抗匹配性能并极大减少了传输信号的过冲和振铃现象,提高传输质量。电路内部形成共模反馈回路,使输出共模稳定,输出信号能被稳定接收。

    一种基于CMS的CMOS图像传感器的读出电路

    公开(公告)号:CN111182246B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202010030179.0

    申请日:2020-01-13

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于CMS技术的低噪声图像传感器读出电路架构,属于半导体图像传感技术领域,整体读出电路包括前端有源相素,增益可编程放大器,带有相关多次采样功能的采样保持电路,带有相关多次采样功能低功耗斜坡ADC。将CMS技术在同一读出电路中,同时应用于模拟和数字两部分,将读出电路的噪声有效削减,可达到超低噪声图像传感器的标准,可以根据具体应用,实现电路优势,具有较大的兼容性。同时,此电路大大减少版图面积与复杂度,芯片面积利用率更高。

    一种高动态范围MCP探测器前端读出电路及其读出方法

    公开(公告)号:CN108848326B

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN201810605557.6

    申请日:2018-06-13

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种高动态范围MCP探测器前端读出电路及其读出方法,属于半导体图像感测技术领域,包括信号输入模块、动态范围扩展模块、缓冲器模块、高速比较器模块、时间数字转换模块及逻辑电路模块;其中,来自探测器的光电流信号,经过信号输入模块进入前端读出电路,然后经过动态范围扩展模块进行积分以及动态范围扩展的处理,积分之后的电压信号经过缓冲器模块进行缓冲处理,然后传输给高速比较器模块,所述的高速比较模块包括第一比较器及第二比较器。本发明采用将输入信号强弱的判定过程放到像元内部进行处理,无需复杂的后端处理过程,简化了后端电路的设计过程,使整体芯片架构简单,像元填充比高,芯片面积利用率好。

    GaN/AlN耦合量子阱子带间跃迁条形波导电光调制器及制备方法

    公开(公告)号:CN102749726A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201210205531.5

    申请日:2012-06-20

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明属于光电子技术领域,涉及一种改进的基于GaN/AlN耦合量子阱子带间跃迁吸收的近红外通信波段条形波导电光调制器及其制备方法。由底金属电极(1)、导电碳化硅单晶衬底(2)、GaN缓冲层(3)、SiO2掩模层(4)、AlGaN下包层(5)、GaN/AlN耦合量子阱周期超晶格波导芯层(6)、AlGaN上包层(7)和金属上电极(8)构成;本发明可以有效降低导波光的传播损耗,同时使后期器件制备工艺大为简化,更有利于器件实用化,也便于实现与其它器件单片集成;另外,由于衬底导电,器件能够采用垂直调制电极结构,使调制电场与波导光场完全重合,最大限度提高调制效率,获得更高器件消光比。

    一种基于SUBLVDS的传输接口电路

    公开(公告)号:CN110932714B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN201911306254.5

    申请日:2019-12-18

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于SUBLVDS技术的高速传输接口电路,属于集成电路技术领域。电路主要包括三部分:单端转差分模块,输入缓冲模块和共模反馈输出驱动模块。用于实现将芯片内部的单端信号转换成满足SUBLVDS协议标准的一对低压差分信号高速输出到片外。本发明节可在1.2V低压下工作,输出摆幅150mV,传输速度快,可用于高频信号传输。同时采用摆率补偿结构的驱动器电路,并加入了可调节的内部终端电阻,大大提高了电路的阻抗匹配性能并极大减少了传输信号的过冲和振铃现象,提高传输质量。电路内部形成共模反馈回路,使输出共模稳定,输出信号能被稳定接收。

    一种基于CMS的CMOS图像传感器的读出电路

    公开(公告)号:CN111182246A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010030179.0

    申请日:2020-01-13

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于CMS技术的低噪声图像传感器读出电路架构,属于半导体图像传感技术领域,整体读出电路包括前端有源相素,增益可编程放大器,带有相关多次采样功能的采样保持电路,带有相关多次采样功能低功耗斜坡ADC。将CMS技术在同一读出电路中,同时应用于模拟和数字两部分,将读出电路的噪声有效削减,可达到超低噪声图像传感器的标准,可以根据具体应用,实现电路优势,具有较大的兼容性。同时,此电路大大减少版图面积与复杂度,芯片面积利用率更高。

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