公开(公告)号：CN117377359A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311396426.9

申请日：2023-10-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 沈亮 ,  冯百功 ,  魏薇 ,  纪永成 ,  马尧 ,  胡刚舰

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  H10K85/50 ,  H10K30/30 ,  H10K71/40

Abstract: 一种基于N'N‑羰基二咪唑作为钝化层的锡铅钙钛矿光电探测器及其制备方法，属于钙钛矿光电器件技术领域。由ITO导电玻璃阳极、PTAA阳极缓冲层、Cs0.05MA0.45FA0.5Pb0.5Sn0.5I3锡铅钙钛矿多晶薄膜、N'N‑羰基二咪唑钝化层、C钝化层中60/BCP阴极缓冲层N和O提供的孤对电、Cu阴极组成子与钙钛矿层中未配位的。本发明通过N'N‑羰基二咪唑Pb2+离子结合，有效地消除钙钛矿的深能级缺陷，降低了器件工作状态下的离子迁移现象，明显提高了器件的性能，优化效果主要表现在Voc(开路电压)和EQE(外量子效率)上，达到钝化缺陷、减少陷阱对光生电子的捕获，提高了光电转换效率的效果。

公开(公告)号：CN115915872A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211429059.3

申请日：2022-11-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 沈亮 ,  王宇飞 ,  魏薇 ,  谢长霖 ,  姜继忠 ,  马尧 ,  胡刚舰 ,  纪永成

IPC: H10K71/00 ,  H10K30/60 ,  H10K30/81 ,  H10K30/82 ,  H10K71/15 ,  H10K85/20 ,  H10K85/10 ,  H10K85/50

Abstract: 一种基于萘甲胺的准二维钙钛矿光电探测器及其制备方法，属于钙钛矿光电器件技术领域。器件依次由ITO导电玻璃阳极、PEDOT:PSS阳极缓冲层、准二维钙钛矿多晶薄膜、C60/BCP阴极缓冲层、Ag阴极组成。钙钛矿材料为(NMA)2MA3Pb4I13，结晶后具有典型的准二维钙钛矿结构，由无机骨架和萘甲胺(NMA)间隔阳离子交替堆叠而成，其中无机骨架为4层[PbI4]2‑八面体紧密排布而成。本发明通过在前驱体溶液中加入适量的MACl并在旋涂中使用反溶剂调控(NMA)2MA3Pb4I13多晶薄膜的生长，有效提高了其结晶度，明确其相组成，并获得了电流响应可与太阳能电池相媲美的光电探测器。

公开(公告)号：CN114497378A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210079792.0

申请日：2022-01-24

Applicant: 吉林大学

Inventor： 沈亮 ,  和丽鹃 ,  魏薇 ,  胡刚舰 ,  王宇飞 ,  纪永成

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L51/46

Abstract: 一种以4‑氨基‑2,3,5,6‑四氟苯甲酸为掺杂剂的宽带近红外光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。探测器由ITO阳极、PTAA空穴传输层、掺杂4‑氨基‑2,3,5,6‑四氟苯甲酸的FA0.85Cs0.15Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿活性层、C60电子传输层、BCP空穴阻挡层和Cu阴极组成，掺杂4‑氨基‑2,3,5,6‑四氟苯甲酸的钙钛矿活性层可以吸收紫外、可见及近红外波段的光，波长范围从300～1050nm，具有优异的光吸收系数，高的载流子迁移率以及良好的载流子扩散长度，可以起到钝化钙钛矿表面和晶界缺陷的作用，降低了器件的暗电流、噪声电流，提升了探测性能，实现了宽谱段近红外探测。

公开(公告)号：CN119855458A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510060330.8

申请日：2025-01-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 沈亮 ,  梁冰 ,  姜继忠 ,  张馨壬 ,  陈红旭 ,  马尧 ,  胡刚舰 ,  纪永成 ,  边虹宇 ,  魏薇

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/60 ,  H10K30/60 ,  H10K85/50 ,  H10K30/30

Abstract: 一种基于引入胍离子和锶离子的锡铅钙钛矿光电探测器及其制备方法，属于钙钛矿光电器件技术领域。本发明所述的光电探测器，从下至上依次由ITO导电玻璃阳极、PTAA阳极缓冲层、引入胍离子和锶离子的锡铅钙钛矿薄膜、C60/BCP阴极缓冲层、Cu阴极组成。GA+离子掺杂在钙钛矿中A位阳离子时，可以提高钙钛矿材料的载流子寿命并提高器件开路电压，还可以增加载流子扩散长度、减少缺陷，同时还能够提升器件的稳定性；Sr2+离子掺杂在钙钛矿B位中可以增加电导率、改善稳定性、优化电极性能，最终达到钝化缺陷、减少了陷阱对电子的捕获、提高了光电转换效率的效果，优化效果主要表现在光暗电流和外量子效率上，得到高性能光电探测器。

公开(公告)号：CN118434241A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410341390.2

申请日：2024-03-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 沈亮 ,  胡刚舰 ,  郭佳俊 ,  林秋旭

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/00 ,  H10K30/60 ,  H10K39/30 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于MAPbI3钙钛矿纳米线阵列的光电探测器及其制备方法，属于光电探测器制备技术领域。其首先是制备一侧表面具有光栅结构的PDMS模板，然后将PDMS模板光栅结构表面与玻璃衬底相贴合，浸入到钙钛矿溶液中，得到生长在玻璃衬底上的钙钛矿纳米线阵列；再在纳米线阵列表面蒸镀2个横向的金电极，从而得到基于钙钛矿纳米线阵列的光电探测器。本发明采用毛细凝聚现象制备MAPbI3钙钛矿纳米线阵列，制备过程中无需对模板以及衬底进行任何处理，对模板以及衬底的亲水性要求不高，工艺简单、通用；本发明制备的钙钛矿纳米线阵列面积大、均匀性好，结晶性好。相比于多晶薄膜或者压印制备的钙钛矿纳米线阵列，具有更少的晶界与缺陷。

公开(公告)号：CN117500341A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311491518.5

申请日：2023-11-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 沈亮 ,  陈琦 ,  姜继忠 ,  魏薇 ,  纪永成 ,  孙仔成 ,  马尧 ,  胡刚舰

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/16 ,  H10K71/60 ,  H10K85/50 ,  H10K30/60 ,  H10K30/81 ,  C30B29/54 ,  C30B7/06 ,  C23C14/20 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 一种基于碘化胍掺杂的甲胺铅溴钙钛矿单晶光电探测器及其制备方法，属于钙钛矿光电器件技术领域。该单晶光电探测器，从上至下依次由Au阳极、掺杂碘化胍的甲胺铅溴钙钛矿单晶、C60/BCP阴极缓冲层、Cu金属阴极组成，掺杂碘化胍的甲胺铅溴钙钛矿材料为GAnMA(1‑n)PbBr(3‑n)In，其中n为0.03～0.05。本发明将碘化胍引入到甲胺铅溴钙钛矿的生长溶液中，通过调节逆温生长法的温度以及溶剂挥发的速度等，成功得到了具有优异光电性能的钙钛矿单晶，并有效地抑制了钙钛矿光电器件的离子迁移现象，最终达到了降低离子迁移现象和提升器件的长期工作稳定性的效果，主要表现在暗电流漂移和长期连续工作稳定性上。