公开(公告)号：CN104813525A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380055830.8

申请日：2013-10-25

Applicant: 和光纯药工业株式会社 ,  学校法人东京理科大学

Inventor： 驹场慎一 ,  薮内直明 ,  韩贞姬 ,  佐佐木健夫 ,  桥本翔太 ,  冈本训明 ,  前泽典明

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/134 ,  H01M4/36 ,  C08F220/06 ,  C08G59/40 ,  C08K5/29 ,  C08L33/02 ,  C08L63/00 ,  C08L79/00

CPC classification number: H01M4/622 ,  C08F122/02 ,  C08G18/025 ,  C08G59/40 ,  C08K5/0025 ,  C08L33/02 ,  C08L63/00 ,  C08L79/00 ,  H01M4/134 ,  H01M4/386 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  H01M2220/20 ,  C08F220/06 ,  C08F222/1006

Abstract: 本发明课题在于提供一种即使在使用含有硅的活性物质的情况下也可在不破坏电极结构的条件下维持优异的容量保持的电极。本发明涉及“一种锂电池用粘结剂，其含有利用选自通式[1]～[13]所述的化合物和通式[14]所述的聚合物中的交联剂交联后的聚丙烯酸(其中，含有含官能团的偏二氟乙烯系聚合物的情况除外)”、“一种锂电池的电极制作用组合物，其是含有1)含硅的活性物质、2)导电助剂以及3)交联型聚丙烯酸而成的(其中不包括含有含官能团的偏二氟乙烯系聚合物的情况)”以及“一种锂电池用的电极，其具有1)含硅的活性物质、2)导电助剂、3)交联型聚丙烯酸以及4)集电体(其中不包括具有含官能团的偏二氟乙烯系聚合物的情况)”。

公开(公告)号：CN104813525B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201380055830.8

申请日：2013-10-25

Applicant: 和光纯药工业株式会社 ,  学校法人东京理科大学

Inventor： 驹场慎一 ,  薮内直明 ,  韩贞姬 ,  佐佐木健夫 ,  桥本翔太 ,  冈本训明 ,  前泽典明

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/134 ,  H01M4/36 ,  C08F220/06 ,  C08G59/40 ,  C08K5/29 ,  C08L33/02 ,  C08L63/00 ,  C08L79/00

CPC classification number: H01M4/622 ,  C08F122/02 ,  C08G18/025 ,  C08G59/40 ,  C08K5/0025 ,  C08L33/02 ,  C08L63/00 ,  C08L79/00 ,  H01M4/134 ,  H01M4/386 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  H01M2220/20 ,  C08F220/06 ,  C08F222/1006

Abstract: 本发明课题在于提供一种即使在使用含有硅的活性物质的情况下也可在不破坏电极结构的条件下维持优异的容量保持的电极。本发明涉及“一种锂电池用粘结剂，其含有利用选自通式[1]～[13]所述的化合物和通式[14]所述的聚合物中的交联剂交联后的聚丙烯酸(其中，含有含官能团的偏二氟乙烯系聚合物的情况除外)”、“一种锂电池的电极制作用组合物，其是含有1)含硅的活性物质、2)导电助剂以及3)交联型聚丙烯酸而成的(其中不包括含有含官能团的偏二氟乙烯系聚合物的情况)”以及“一种锂电池用的电极，其具有1)含硅的活性物质、2)导电助剂、3)交联型聚丙烯酸以及4)集电体(其中不包括具有含官能团的偏二氟乙烯系聚合物的情况)”。

公开(公告)号：CN105190846A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480015211.0

申请日：2014-04-09

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 水田浩德 ,  绵引勉 ,  前泽典明

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及一种在半导体元件的制造工序中的化学机械研磨(CMP)后清洗工序中用于具有金属配线的基板的清洗剂以及特征在于使用该清洗剂的半导体基板的清洗方法，其中，所述基板用清洗剂包含pH为10以上的水溶液，所述水溶液含有(A)具有含氮杂环的羧酸和(B)烷基羟胺。

公开(公告)号：CN100418947C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN02821640.7

申请日：2002-11-01

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 石原正巳 ,  前泽典明 ,  浦野洋治

IPC: C07C381/12 ,  C08F2/50 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C381/12 ,  C08F2/50 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

Abstract: 本发明涉及，例如用于阳离子性光聚合引发剂、化学放大保护膜用酸发生剂的、1分子中具有碘鎓盐和锍盐的杂化鎓盐，提供一种以通式[1]表示的杂化鎓盐：[式中，R1～R3分别独立且表示卤原子、烷基、卤代烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基或可被取代的氨基；Q1表示键接、氧原子、硫原子或碳原子数为1-6的亚烷基链；T1表示可具有取代基的亚烷基或亚芳基；R4表示可具有取代基的烷基、链烯基、芳基、芳烷基等；A1及A2分别独立且表示对阴离子，m表示0～4的整数，2个n分别独立且表示0～5的整数]。

公开(公告)号：CN1714060A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200380103924.4

申请日：2003-11-07

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 伊藤伸浩 ,  前泽典明 ,  无藤和重 ,  广田耕作 ,  佐治木弘尚

IPC: C07B59/00 ,  C07D209/08 ,  C07D209/20 ,  C07D213/06 ,  C07D231/12 ,  C07D233/58 ,  C07D235/08 ,  C07D239/47 ,  C07D239/54 ,  C07D471/04 ,  C07D473/30 ,  C07D473/34 ,  C07H19/067 ,  C07H19/167 ,  C07M5

CPC classification number: C07D213/16 ,  C07B59/002 ,  C07D209/20 ,  C07D231/12 ,  C07D233/54 ,  C07D233/56 ,  C07D235/06 ,  C07D239/54 ,  C07D471/04 ,  C07D473/30 ,  C07H19/067 ,  C07H19/167 ,  Y02P20/544

Abstract: 本发明公开的杂环重氢化方法，其特征在于，在重氢化的溶剂中，在选自活化的钯催化剂、铂催化剂、铑催化剂、钌催化剂、镍催化剂及钴催化剂的催化剂存在下，把具有杂环的化合物置于密封回流。采用本发明的方法，由于可把重氢化反应温度保持在溶剂的沸点以上，所以，具有杂环的化合物的氢原子可非常有效的加以重氢化。另外，本发明的重氢化方法还可广泛用于在超临界条件或酸性条件下分解的各种具有杂环的化合物等的重氢化，具有杂环的化合物在工业上可有效的进行重氢化。

公开(公告)号：CN1675145A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818820.1

申请日：2003-07-10

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 伊藤伸浩 ,  前泽典明 ,  无藤和重 ,  广田耕作 ,  佐治木弘尚

IPC: C07B59/00 ,  C07C5/00 ,  C07C15/16 ,  C07C37/00 ,  C07C39/04 ,  C07C39/28 ,  C07C51/347 ,  C07C63/06 ,  C07C63/08 ,  C07C209/68 ,  C07C211/46 ,  C07C217/84 ,  C07C315/04 ,  C07C317/14 ,  C07M5

CPC classification number: C07C5/00 ,  C07B59/00 ,  C07B59/001 ,  C07B2200/05 ,  C07C37/00 ,  C07C51/00 ,  C07C51/347 ,  C07C209/68 ,  C07C315/04 ,  C07C63/08 ,  C07C63/06 ,  C07C317/14 ,  C07C211/46 ,  C07C211/51 ,  C07C39/04 ,  C07C39/28

Abstract: 本发明涉及一种使用活化的催化剂对含有芳环的化合物的重氢化方法，所述含有芳环的化合物的重氢化方法的特征在于，使具有芳环的化合物在活化的催化剂存在的条件下与重氢源反应，其中所述催化剂选自铂催化剂、铑催化剂、钌催化剂、镍催化剂、钴催化剂。

公开(公告)号：CN104254906A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201380022014.7

申请日：2013-04-26

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 川田博美 ,  水田浩德 ,  前泽典明

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/36 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的目的在于提供一种钨配线或钨合金配线的耐腐蚀性优异、在化学机械抛光工序后的半导体基板表面、特别是TEOS膜等硅氧化膜表面残存的二氧化硅或氧化铝等研磨微粒(颗粒)的除去性优异的半导体基板用清洗剂、以及半导体基板表面的处理方法。本发明涉及一种半导体基板用清洗剂以及半导体基板表面的处理方法，该半导体基板用清洗剂的特征在于，其为在具有钨配线或钨合金配线和硅氧化膜的半导体基板的化学机械抛光工序的后工序中使用的清洗剂，含有(A)膦酸系螯合剂、(B)分子内具有至少1个烷基或羟基烷基的一元伯胺或一元仲胺和(C)水，pH超过6且小于7。

公开(公告)号：CN1296331C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN03818820.1

申请日：2003-07-10

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 伊藤伸浩 ,  前泽典明 ,  无藤和重 ,  广田耕作 ,  佐治木弘尚

IPC: C07B59/00 ,  C07C5/00 ,  C07C15/16 ,  C07C37/00 ,  C07C39/04 ,  C07C39/28 ,  C07C51/347 ,  C07C63/06 ,  C07C63/08 ,  C07C209/68 ,  C07C211/46 ,  C07C217/84 ,  C07C315/04 ,  C07C317/14

CPC classification number: C07C5/00 ,  C07B59/00 ,  C07B59/001 ,  C07B2200/05 ,  C07C37/00 ,  C07C51/00 ,  C07C51/347 ,  C07C209/68 ,  C07C315/04 ,  C07C63/08 ,  C07C63/06 ,  C07C317/14 ,  C07C211/46 ,  C07C211/51 ,  C07C39/04 ,  C07C39/28

Abstract: 本发明涉及一种使用活化的催化剂对含有芳环的化合物的重氢化方法，所述含有芳环的化合物的重氢化方法的特征在于，使具有芳环的化合物在活化的催化剂存在的条件下与重氢源反应，其中所述催化剂选自铂催化剂、铑催化剂、钌催化剂、镍催化剂、钴催化剂。

公开(公告)号：CN1732135A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107483.5

申请日：2003-11-07

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 伊藤伸浩 ,  前泽典明 ,  无藤和重 ,  广田耕作 ,  佐治木弘尚

IPC: C07B59/00 ,  C07C29/00 ,  C07C31/02 ,  C07C35/08 ,  C07C35/29 ,  C07C35/37 ,  C07C45/00 ,  C07C49/04 ,  C07C49/08 ,  C07C49/433 ,  C07C49/453 ,  C07C51/00 ,  C07C53/10 ,  C07C53/124 ,  C07C57/04

CPC classification number: C07B59/00 ,  C07B2200/05 ,  C07C29/00 ,  C07C45/00 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/68 ,  C07C31/125 ,  C07C35/08 ,  C07C35/29 ,  C07C35/37

Abstract: 本发明涉及把以通式[1]表示的化合物：R1－X－R2；式中，R1表示烷基等，R2表示烷基、羟基等，X表示羰基或羟基亚甲基。在选自活化的钯、铂、铑、钌、镍及钴催化剂存在下，通过与重氢源反应，使以通式[1]表示的化合物重氢化的方法。采用本发明的方法，使过去在苛刻条件下进行的重氢化变成可在中性条件下进行。另外，即使是含不饱和键的化合物，不饱和键可不被还原而进行重氢化。

公开(公告)号：CN1592738A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN02823446.4

申请日：2002-11-28

Applicant: 和光纯药工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 前泽典明 ,  浦野文良 ,  远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: C07D209/48 ,  C07D409/14 ,  C07D487/04 ,  G03F7/039

CPC classification number: C07D209/48 ,  C07D487/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/121

Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物，使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法，进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体，例如耐热性高分子化合物，感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N－羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物，即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物，[式中，R，A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。