公开(公告)号：CN116669521A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310873049.7

申请日：2023-07-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵柯臣 ,  朱嘉琦 ,  关晓宇 ,  赵继文 ,  代兵

IPC: H10N10/17 ,  H10N10/13 ,  H10N10/01

Abstract: 一种金刚石集成半导体制冷器结构及其制备方法，涉及半导体制冷器结构及其制备方法。解决现有金刚石基半导体制冷器无法实现主‑被动一体式的问题。结构由金刚石衬底、下金属电极、第一型热电偶、第二型热电偶、金刚石生长层一、上金属电极及金刚石生长层二组成；方法：一、通过光刻和物理气相沉积技术，在金刚石衬底表面沉积下金属电极；二、通过光刻和物理气相沉积技术，或者通过焊接技术，制备第一型热电偶和第二型热电偶；三、利用化学气相沉积技术，制备金刚石生长层一；四、通过光刻和物理气相沉积技术，沉积上金属电极；五、利用化学气相沉积技术，制备金刚石生长层二。本发明用于金刚石集成半导体制冷器结构及其制备。

公开(公告)号：CN116580869A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310479247.5

申请日：2023-04-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵柯臣 ,  朱嘉琦 ,  关晓宇 ,  代兵 ,  赵继文 ,  曹文鑫 ,  韩杰才

IPC: H01B1/16 ,  H01B1/18 ,  H01B13/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B22F1/18 ,  B22F1/107

Abstract: 一种含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法，本发明涉及烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法。本发明要解决现有银烧结浆料烧结温度高，且对于大尺寸表面的连接需要施加压力，而压力过大对器件的可靠性影响大，而无压烧结通常仅适用于小尺寸连接，烧结层致密度较低，导致低连接强度以及热导率低于块体银，并且烧结后溶剂有机物部分残留，会引起长期可靠性下降的问题。方法：一、柠檬酸处理；二、混合；三、分散；四、离心收集并干燥；五、制备含有稀释剂的浆料；六、去除稀释剂。本发明用于含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备及利用其进行焊接。

公开(公告)号：CN116580869B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202310479247.5

申请日：2023-04-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵柯臣 ,  朱嘉琦 ,  关晓宇 ,  代兵 ,  赵继文 ,  曹文鑫 ,  韩杰才

IPC: H01B1/16 ,  H01B1/18 ,  H01B13/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B22F1/18 ,  B22F1/107

Abstract: 一种含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法，本发明涉及烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法。本发明要解决现有银烧结浆料烧结温度高，且对于大尺寸表面的连接需要施加压力，而压力过大对器件的可靠性影响大，而无压烧结通常仅适用于小尺寸连接，烧结层致密度较低，导致低连接强度以及热导率低于块体银，并且烧结后溶剂有机物部分残留，会引起长期可靠性下降的问题。方法：一、柠檬酸处理；二、混合；三、分散；四、离心收集并干燥；五、制备含有稀释剂的浆料；六、去除稀释剂。本发明用于含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备及利用其进行焊接。

公开(公告)号：CN119480851A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202311006067.1

申请日：2023-08-10

Applicant: 华为技术有限公司 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 王旭东 ,  赵柯臣 ,  关晓宇 ,  杨磊 ,  朱嘉琦

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请实施例提供一种连接组件及制备方法、互连组件及制备方法、电子设备，涉及机械结构领域，用于改善连接组件的性能。连接组件包括第一待连接件和设置于第一待连接件上的第一连接膜。第一连接膜包括金属层和位于金属层内的多个孔洞。沿第一待连接件指向第一连接膜的方向，多个孔洞的分布密度逐渐增大。