公开(公告)号：CN109545894B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201811386272.4

申请日：2018-11-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张丹 ,  陈远东 ,  甘阳 ,  申健 ,  冯志红 ,  张飞虎

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: 一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法，本发明涉及一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法。本发明的目的是为了解决目前干法蚀刻无法制备棱锥、棱台形图形化硅衬底以及难以蚀刻制备具有高指数晶面图形化硅衬底的问题，方法为：周期性二氧化硅掩膜制备、湿法蚀刻和去除二氧化硅掩膜；本发明具有高指数晶面，高指数晶面的均方根粗糙度比低指数晶面粗糙度高约10倍，比(100)晶面的粗糙度高约4倍。而粗糙的表面可以对入射光进行多次反射并增加光程，进而降低表面对光的反射率，因此倒八棱台图形化硅衬底相比于仅有低指数晶面的倒金字塔结构具有更优的光捕获能力。本发明应用于图形化硅衬底的制备领域。

公开(公告)号：CN109545894A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811386272.4

申请日：2018-11-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张丹 ,  陈远东 ,  甘阳 ,  申健 ,  冯志红 ,  张飞虎

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: 一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法，本发明涉及一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法。本发明的目的是为了解决目前干法蚀刻无法制备棱锥、棱台形图形化硅衬底以及难以蚀刻制备具有高指数晶面图形化硅衬底的问题，方法为：周期性二氧化硅掩膜制备、湿法蚀刻和去除二氧化硅掩膜；本发明具有高指数晶面，高指数晶面的均方根粗糙度比低指数晶面粗糙度高约10倍，比(100)晶面的粗糙度高约4倍。而粗糙的表面可以对入射光进行多次反射并增加光程，进而降低表面对光的反射率，因此倒八棱台图形化硅衬底相比于仅有低指数晶面的倒金字塔结构具有更优的光捕获能力。本发明应用于图形化硅衬底的制备领域。