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公开(公告)号：CN106316468A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610629882.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01Q60/24 , C04B41/5346 , C04B41/91 , G01Q70/16
Abstract: 采用AFM金刚石探针对陶瓷材料进行纳米条纹阵列加工的方法，它涉及一种对超硬陶瓷材料局部进行超细纳米条纹阵列结构加工的方法。本发明是为了解决超硬陶瓷材料化学惰性高、硬度大，难加工的技术问题。本方法如下：一、制备AFM金刚石针尖；二、AFM金刚石针尖对超硬陶瓷材料(SiC单晶)表面刻划。本发明是一种对超硬陶瓷材料进行超细纳米条纹阵列结构加工的方法，能直观地观察金刚石晶体对超硬陶瓷材料的刻划情况，在超硬陶瓷材料表面刻划出超细纳米条纹阵列(条纹宽度低至15nm)，具有重复性好、效率高等优点。本发明属于对超硬陶瓷材料进行超细纳米条纹阵列结构加工的领域。
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公开(公告)号：CN104992900A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510354321.6
申请日：2015-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/033 , H01L33/20
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L33/20
Abstract: α-Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作方法，它涉及一种单晶表面SiO2掩膜的制作方法。本发明是要解决光刻工艺制备SiO2掩膜步骤复杂，成本高，导致现有α-Al2O3单晶表面SiO2掩膜难以在α-Al2O3上制备的问题。方法：一、预处理；二、将分散了SiO2球的无水乙醇滴加于α-Al2O3单晶表面；三、将经步骤二处理后的α-Al2O3单晶置于室温下5min，然后放置于管式炉中处理，即完成α-Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作。本发明的能简单地在α-Al2O3单晶表面制备SiO2掩膜，且可得到微米级六边形SiO2掩膜和纳米级半球形SiO2掩膜，该制备方法重复性好。制备的SiO2掩膜设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于掩膜的制备领域。
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公开(公告)号：CN110729379B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910982886.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法，本发明涉及低反射率黑硅衬底制备领域。本发明要解决现有硅衬底表面反射率高，导致太阳能电池效率低的问题。方法：利用Cu金属催化辅助的化学蚀刻法，采用CuNO3、HF和H2O2混合溶液对硅衬底进行蚀刻，生成微米级尺寸陷光结构；再放入AgNO3与HF混合溶液中进行银纳米粒子的自组装沉积；然后采用HF与H2O2混合溶液进行Ag金属催化辅助的化学蚀刻，完成制备。本发明制备具有微纳图形阵列的硅衬底实现了超低的表面反射率，高效地制备微纳图形阵列结构，重复性高，并通过优化蚀刻条件可调控其反射率。本发明制备的具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底用于太阳能电池中。
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公开(公告)号：CN109545894A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811386272.4
申请日：2018-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法，本发明涉及一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法。本发明的目的是为了解决目前干法蚀刻无法制备棱锥、棱台形图形化硅衬底以及难以蚀刻制备具有高指数晶面图形化硅衬底的问题，方法为：周期性二氧化硅掩膜制备、湿法蚀刻和去除二氧化硅掩膜；本发明具有高指数晶面，高指数晶面的均方根粗糙度比低指数晶面粗糙度高约10倍，比(100)晶面的粗糙度高约4倍。而粗糙的表面可以对入射光进行多次反射并增加光程，进而降低表面对光的反射率，因此倒八棱台图形化硅衬底相比于仅有低指数晶面的倒金字塔结构具有更优的光捕获能力。本发明应用于图形化硅衬底的制备领域。
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公开(公告)号：CN105177718B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510354323.5
申请日：2015-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 六边角锥体图形化蓝宝石的制备方法，它涉及一种蓝宝石的制备方法。本发明是为了解决干法刻蚀在蓝宝石表面难以制作六边角锥体的问题。本方法如下：将预处理后的圆锥形图形化蓝宝石片置于石英花篮中，将石英烧杯中混合溶液A高温湿法刻蚀，然后用去离子水冲洗圆锥形图形化蓝宝石片，再氮气吹干，即得六边角锥体图形化蓝宝石。本发明的六边角锥体图形化蓝宝石的制备方法能有效地将圆锥形图形化蓝宝石转化为六边角锥体图形化蓝宝石，且生成的六边角锥体图形化蓝宝石规则有序，重复性好。且采用的设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于蓝宝石的制备领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545894B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811386272.4
申请日：2018-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法，本发明涉及一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法。本发明的目的是为了解决目前干法蚀刻无法制备棱锥、棱台形图形化硅衬底以及难以蚀刻制备具有高指数晶面图形化硅衬底的问题，方法为：周期性二氧化硅掩膜制备、湿法蚀刻和去除二氧化硅掩膜；本发明具有高指数晶面，高指数晶面的均方根粗糙度比低指数晶面粗糙度高约10倍，比(100)晶面的粗糙度高约4倍。而粗糙的表面可以对入射光进行多次反射并增加光程，进而降低表面对光的反射率，因此倒八棱台图形化硅衬底相比于仅有低指数晶面的倒金字塔结构具有更优的光捕获能力。本发明应用于图形化硅衬底的制备领域。
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公开(公告)号：CN110729379A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910982886.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法，本发明涉及低反射率黑硅衬底制备领域。本发明要解决现有硅衬底表面反射率高，导致太阳能电池效率低的问题。方法：利用Cu金属催化辅助的化学蚀刻法，采用CuNO3、HF和H2O2混合溶液对硅衬底进行蚀刻，生成微米级尺寸陷光结构；再放入AgNO3与HF混合溶液中进行银纳米粒子的自组装沉积；然后采用HF与H2O2混合溶液进行Ag金属催化辅助的化学蚀刻，完成制备。本发明制备具有微纳图形阵列的硅衬底实现了超低的表面反射率，高效地制备微纳图形阵列结构，重复性高，并通过优化蚀刻条件可调控其反射率。本发明制备的具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底用于太阳能电池中。
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公开(公告)号：CN106316468B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610629882.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 采用AFM金刚石探针对陶瓷材料进行纳米条纹阵列加工的方法，它涉及一种对超硬陶瓷材料局部进行超细纳米条纹阵列结构加工的方法。本发明是为了解决超硬陶瓷材料化学惰性高、硬度大，难加工的技术问题。本方法如下：一、制备AFM金刚石针尖；二、AFM金刚石针尖对超硬陶瓷材料(SiC单晶)表面刻划。本发明是一种对超硬陶瓷材料进行超细纳米条纹阵列结构加工的方法，能直观地观察金刚石晶体对超硬陶瓷材料的刻划情况，在超硬陶瓷材料表面刻划出超细纳米条纹阵列(条纹宽度低至15nm)，具有重复性好、效率高等优点。本发明属于对超硬陶瓷材料进行超细纳米条纹阵列结构加工的领域。
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公开(公告)号：CN105619185B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201511027840.8
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，它涉及一种对SiC单晶进行抛光的方法。本发明是为了解决采用金刚石加工SiC，会造成表面损伤，很难达到亚纳米表面粗糙度的技术问题。本方法如下：一、将青蒿素晶体均匀分散在解理的云母表面，将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟后装针，进针直到无针尖的原子力显微镜探针接触青蒿素晶体，再次将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟；二、预处理；三、刻划；四、观察刻划区域深度。本发明是一种微区模拟的方法，能直观地观察青蒿素晶体对SiC材料的去除情况，且刻划区域明显，重复性好。本发明属于对陶瓷材料局部抛光的领域。
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公开(公告)号：CN104992900B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510354321.6
申请日：2015-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/033 , H01L33/20
Abstract: α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作方法，它涉及一种单晶表面SiO2掩膜的制作方法。本发明是要解决光刻工艺制备SiO2掩膜步骤复杂，成本高，导致现有α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜难以在α‑Al2O3上制备的问题。方法：一、预处理；二、将分散了SiO2球的无水乙醇滴加于α‑Al2O3单晶表面；三、将经步骤二处理后的α‑Al2O3单晶置于室温下5min，然后放置于管式炉中处理，即完成α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作。本发明的能简单地在α‑Al2O3单晶表面制备SiO2掩膜，且可得到微米级六边形SiO2掩膜和纳米级半球形SiO2掩膜，该制备方法重复性好。制备的SiO2掩膜设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于掩膜的制备领域。
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