公开(公告)号：CN103755352B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410031875.8

申请日：2014-01-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王胜金 ,  贾德昌 ,  庄艳丽 ,  张培峰 ,  刘仁 ,  周玉

IPC: C04B35/5835 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622

Abstract: 一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法，本发明涉及多孔BN/Si3N4复合陶瓷的表面封孔工艺。本发明要解决现有的多孔BN/Si3N4复合透波陶瓷封孔层材料对整体材料介电性能的影响大，且较难满足高温使用要求的问题。方法：一、按比例称取原料；二、制备封孔浆料；三、采用真空浸渍法制备封孔层；四、进行干燥处理，热处理。本发明所述制备方法工艺简单，封孔层厚度均匀、致密，封孔层由Si3N4和Si2N2O复合陶瓷构成，可以通过控制Si3N4和SiO2比例实现对封孔层物相组成的控制。封孔处理后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷可作为承载、透波和热防护材料，用于航空航天、机械工业领域。

公开(公告)号：CN103755352A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410031875.8

申请日：2014-01-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王胜金 ,  贾德昌 ,  庄艳丽 ,  张培峰 ,  刘仁 ,  周玉

IPC: C04B35/5835 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622

Abstract: 一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法，本发明涉及多孔BN/Si3N4复合陶瓷的表面封孔工艺。本发明要解决现有的多孔BN/Si3N4复合透波陶瓷封孔层材料对整体材料介电性能的影响大，且较难满足高温使用要求的问题。方法：一、按比例称取原料；二、制备封孔浆料；三、采用真空浸渍法制备封孔层；四、进行干燥处理，热处理。本发明所述制备方法工艺简单，封孔层厚度均匀、致密，封孔层由Si3N4和Si2N2O复合陶瓷构成，可以通过控制Si3N4和SiO2比例实现对封孔层物相组成的控制。封孔处理后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷可作为承载、透波和热防护材料，用于航空航天、机械工业领域。