公开(公告)号：CN108329034A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810097876.0

申请日：2018-01-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李金平 ,  周耀强 ,  易法军 ,  孟松鹤 ,  李卓芸 ,  解维华 ,  金华 ,  方国东 ,  许承海

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/582 ,  C04B35/584

CPC classification number: C04B35/571 ,  C04B35/581 ,  C04B35/589 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明涉及一种富碳先驱体陶瓷的制备方法及制得的富碳先驱体陶瓷，所述方法包括：将碳源与含Si-H键的聚硅聚合物混合均匀，得到混合液；将得到的混合液在65～80℃的条件下保温10～20h，得到混合料；将得到的混合料进行固化，得到固化产物；将得到的固化产物依次进行粉碎、研磨和过筛，得到固化产物的粉末，然后将所述粉末进行压制成型，得到先驱体；将得到的先驱体进行烧结，制得富碳先驱体陶瓷；其中，所述碳源选自由二乙烯基苯、乙烯基乙炔基苯和二乙炔基苯组成的组。本发明方法能够显著提高先驱体陶瓷中碳含量，本发明制备的富碳先驱体陶瓷碳含量高、电导率高。

公开(公告)号：CN108329034B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201810097876.0

申请日：2018-01-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李金平 ,  周耀强 ,  易法军 ,  孟松鹤 ,  李卓芸 ,  解维华 ,  金华 ,  方国东 ,  许承海

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/582 ,  C04B35/584

Abstract: 本发明涉及一种富碳先驱体陶瓷的制备方法及制得的富碳先驱体陶瓷，所述方法包括：将碳源与含Si‑H键的聚硅聚合物混合均匀，得到混合液；将得到的混合液在65～80℃的条件下保温10～20h，得到混合料；将得到的混合料进行固化，得到固化产物；将得到的固化产物依次进行粉碎、研磨和过筛，得到固化产物的粉末，然后将所述粉末进行压制成型，得到先驱体；将得到的先驱体进行烧结，制得富碳先驱体陶瓷；其中，所述碳源选自由二乙烯基苯、乙烯基乙炔基苯和二乙炔基苯组成的组。本发明方法能够显著提高先驱体陶瓷中碳含量，本发明制备的富碳先驱体陶瓷碳含量高、电导率高。