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公开(公告)号：CN115171806A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210762643.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种第三主族单硫化合物二阶非线性光学性质的计算方法，包括：构建Janus第三主族单硫化合物M2XY；采用VASP对优化后的M2XY进行自洽计算，并测试其截断能，然后进行非自洽计算，分别使用PBE和HSE06方法计算优化后的M2XY的带隙，从而得到剪切能量；将剪切能量值输入Elk软件计算优化后的M2XY的二阶非线性极化率，并计算带间和带内跃迁对二阶非线性极化率的贡献。本发明提供的第三主族单硫化合物二阶非线性光学性质的计算方法步骤简单、易于操作，且计算耗时较少、精度高，能够快速准确计算材料的二阶非线性极化率，在光电子器件、激光及集成光学方面有明显的优势和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115148310A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778281.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种高稳定性硼烯结构的设计方法，包括以下步骤：建立硼烯晶胞，将不同的原子吸附在所述硼烯晶胞的不同位置上，得到不同的硼烯体系；采用第一性原理计算软件VASP对所述硼烯体系的晶格参数进行isif＝2的优化，然后取其能量最低点的晶格参数，构建得到硼烯结构；计算所述硼烯结构能带结构、声子谱和输运性质，判断所述硼烯结构的性能；筛选得到具有高稳定性、低能量的硼烯结构。本发明通过将不同的原子吸附在硼烯晶胞的不同位置上，从而得到不同的硼烯体系，结构优化和弛豫得到不同硼烯结构，再通过计算这些不同硼烯结构的能带结构、声子谱和输运性质，对结果进行比较，即可快速从中筛选出具有高稳定性、低能量的硼烯结构。
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公开(公告)号：CN111864070B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010735693.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料异质结及其性能分析方法，以及所述异质结在半导体和光电能量转化方面的用途。所述二维材料异质结包括：包括Janus二维材料的第一二维材料；以及包括硅烯的第二二维材料；第一二维材料和第二二维材料纵向堆叠。本发明提供的异质结不仅可以利用不同材料自身的卓越性能，而且可以克服单一二维材料的缺陷，通过Janus二维材料与硅烯的相互作用，打开硅烯的带隙，使得二维材料的能量谱分布相对于构成其的两种组分的各自单独的性质发生明显改变。异质结的性能分析方法基于含时密度泛函理论和随机相位近似进行电子能量损失谱谱分析，步骤简单、易于操作，为基于打开带隙为目的的异质结设计提供快速的分析途径和有力支持。
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公开(公告)号：CN111864070A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735693.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料异质结及其性能分析方法，以及所述异质结在半导体和光电能量转化方面的用途。所述二维材料异质结包括：包括Janus二维材料的第一二维材料；以及包括硅烯的第二二维材料；第一二维材料和第二二维材料纵向堆叠。本发明提供的异质结不仅可以利用不同材料自身的卓越性能，而且可以克服单一二维材料的缺陷，通过Janus二维材料与硅烯的相互作用，打开硅烯的带隙，使得二维材料的能量谱分布相对于构成其的两种组分的各自单独的性质发生明显改变。异质结的性能分析方法基于含时密度泛函理论和随机相位近似进行电子能量损失谱谱分析，步骤简单、易于操作，为基于打开带隙为目的的异质结设计提供快速的分析途径和有力支持。
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