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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119907616A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510058513.6
申请日：2025-01-15
Abstract: 基于空间关联无序硅锗纳米线的高温余热回收系统，属于热电技术领域，尤其涉及工业生产过程中的高温余热回收；解决了现有硅锗纳米线所存在的在热导率降低方面仍存在局限性，难以满足高效热电转换的需求的问题；所述系统包括热电转换模块、冷源区以及电能输出模块；所述热电材料层用于响应热源区和冷源区之间的温差，发生热电效应产生电流。所述的基于空间关联无序硅锗纳米线的高温余热回收系统，适用于工业生产过程中的高温余热回收。
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公开(公告)号：CN101648809B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910307688.7
申请日：2009-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/5833 , C04B35/645
Abstract: 氮化硼基复合陶瓷透波材料及其制备方法，它涉及一种复合陶瓷透波材料及其制备方法。本发明解决了现有陶瓷透波材料的耐热性、抗热冲击性和介电性能不足的问题。氮化硼基复合陶瓷透波材料按质量百分比由5％～15％非晶态SiO2粉末、0～10％AlN粉末和75％～95％六方氮化硼粉末制成。本发明的方法如下：一、用非晶态SiO2粉末、AlN粉末和六方氮化硼粉末制备浆料；二、烘干，研碎后过筛，得到混料；三、装入石墨模具中，预压；四、热压烧结，然后随炉冷却，获得氮化硼基复合陶瓷透波材料。本发明氮化硼基复合陶瓷透波材料的力学性能，热学性能及介电性能均达到天线罩材料的要求。本发明工艺简单，便于操作。
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公开(公告)号：CN119894346A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510058514.0
申请日：2025-01-15
Abstract: 用于电子设备的空间关联无序硅锗纳米线热电制冷系统，属于电子设备散热技术领域，尤其涉及基于空间关联无序硅锗(SiGe)纳米线的热电制冷系统；解决了传统的散热技术承载能力不足，无法满足集成度增加的电子设备的散热需求的问题；所述系统包括热端1、冷端6以及热电转换模块；所述热电材料层4用于响应所述电源驱动电路5提供的直流电流，发生热电效应使其两端产生温差，增强制冷效果；还用于通过调整所述电源驱动电路5提供的直流电流的电流值大小，调节热电材料层4的两端温差，进而调节热端1和冷端6之间的温差。所述的用于电子设备的空间关联无序硅锗纳米线热电制冷系统，适用于对电子设备进行散热。
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公开(公告)号：CN105738860A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610167775.7
申请日：2016-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海星空电子科技有限公司
IPC: G01S3/00
CPC classification number: G01S3/00
Abstract: 本发明涉及信号处理领域，公开了一种降低干扰阻塞算法伪峰的导向矢量构造方法，包括了阻塞矩阵和初始导向矢量的构造，导向矢量的预白化处理，导向矢量的归一化处理。与原有干扰阻塞算法相比，采用本发明的干扰阻塞算法能够减少伪峰个数，降低角度估计的虚警概率。
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公开(公告)号：CN101648809A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910307688.7
申请日：2009-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/5833 , C04B35/645
Abstract: 氮化硼基复合陶瓷透波材料及其制备方法，它涉及一种复合陶瓷透波材料及其制备方法。本发明解决了现有陶瓷透波材料的耐热性、抗热冲击性和介电性能不足的问题。氮化硼基复合陶瓷透波材料按质量百分比由5％～15％非晶态SiO 2 粉末、0～10％AlN粉末和75％～95％六方氮化硼粉末制成。本发明的方法如下：一、用非晶态SiO 2 粉末、AlN粉末和六方氮化硼粉末制备浆料；二、烘干，研碎后过筛，得到混料；三、装入石墨模具中，预压；四、热压烧结，然后随炉冷却，获得氮化硼基复合陶瓷透波材料。本发明氮化硼基复合陶瓷透波材料的力学性能，热学性能及介电性能均达到天线罩材料的要求。本发明工艺简单，便于操作。
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