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公开(公告)号：CN108008286A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711261542.4
申请日：2017-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种基于自定义探针的绑定前TSV测试方法，是为了解决现有技术的3-D芯片测试技术缺少绑定前测试的缺点而提出的，包括：将第一探针与芯片的测试输入引脚接触，将第二探针与芯片的测试输出引脚接触；并向测试输入引脚始终输入高电平；按照预设的顺序向芯片的指定输入端输入预定的电平信号，并根据芯片的测试输出引脚的输出情况判断芯片是否出现漏电故障；再将被测TSV对应的每个引脚分别与自定义探针组中的每个探针接触，并根据前述的方法输入另一种电平信号组合，根据芯片的测试输出引脚的输出情况判断芯片是否出现阻性故障，最后将探针组由接触状态转换为悬空状态。本发明适用于3-D集成电路的故障检测。
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公开(公告)号：CN107765167A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710962060.5
申请日：2017-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种基于开关电容的TSV测试电路及测试方法，涉及半导体领域。基于开关电容的TSV测试电路的等效电阻单元包括复数个等效电阻模块，每个等效电阻模块对应一待测穿透硅通孔，等效电阻模块的测试端口与对应的待测穿透硅通孔的测试端连接，所有的等效电阻模块的充电端口共同连接以形成等效电阻单元的充电端；公共测试单元的电量输出端与等效电阻单元的充电端连接，公共测试单元用以根据第三控制输入端的第三控制信号、第一控制输入端的第一控制信号，及第二控制输入端的第二控制信号控制待测穿透硅通孔的充放电状态，以进行测试，通过测试输出端输出待测穿透硅通孔的测试结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107765167B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710962060.5
申请日：2017-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种基于开关电容的TSV测试电路及测试方法，涉及半导体领域。基于开关电容的TSV测试电路的等效电阻单元包括复数个等效电阻模块，每个等效电阻模块对应一待测穿透硅通孔，等效电阻模块的测试端口与对应的待测穿透硅通孔的测试端连接，所有的等效电阻模块的充电端口共同连接以形成等效电阻单元的充电端；公共测试单元的电量输出端与等效电阻单元的充电端连接，公共测试单元用以根据第三控制输入端的第三控制信号、第一控制输入端的第一控制信号，及第二控制输入端的第二控制信号控制待测穿透硅通孔的充放电状态，以进行测试，通过测试输出端输出待测穿透硅通孔的测试结果。
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公开(公告)号：CN110135088B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201910420731.4
申请日：2019-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/36 , G01R31/316
Abstract: 基于退化特征参数正常包络模型的模拟电路早期故障检测方法，属于电子系统可靠性领域。电路早期故障状态和正常工作状态有较大混叠难以区分，导致检测结果不理想。基于退化特征参数正常包络模型的模拟电路早期故障检测方法，确定电路的输出信号及分析电路中可能存在的退化源作为电路的关键元器件；建立关键元器件的退化模型，通过仿真实验获取退化数据；对电路的输出信号进行特征提取，提取出能够反映输出信号退化的特征参数；建立基于退化的特征参数的正常包络模型并进行检测，完成电路的早期故障检测。
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公开(公告)号：CN108008286B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201711261542.4
申请日：2017-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种基于自定义探针的绑定前TSV测试方法，是为了解决现有技术的3‑D芯片测试技术缺少绑定前测试的缺点而提出的，包括：将第一探针与芯片的测试输入引脚接触，将第二探针与芯片的测试输出引脚接触；并向测试输入引脚始终输入高电平；按照预设的顺序向芯片的指定输入端输入预定的电平信号，并根据芯片的测试输出引脚的输出情况判断芯片是否出现漏电故障；再将被测TSV对应的每个引脚分别与自定义探针组中的每个探针接触，并根据前述的方法输入另一种电平信号组合，根据芯片的测试输出引脚的输出情况判断芯片是否出现阻性故障，最后将探针组由接触状态转换为悬空状态。本发明适用于3‑D集成电路的故障检测。
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公开(公告)号：CN110135088A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910420731.4
申请日：2019-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50 , G01R31/316
Abstract: 基于退化特征参数正常包络模型的模拟电路早期故障检测方法，属于电子系统可靠性领域。电路早期故障状态和正常工作状态有较大混叠难以区分，导致检测结果不理想。基于退化特征参数正常包络模型的模拟电路早期故障检测方法，确定电路的输出信号及分析电路中可能存在的退化源作为电路的关键元器件；建立关键元器件的退化模型，通过仿真实验获取退化数据；对电路的输出信号进行特征提取，提取出能够反映输出信号退化的特征参数；建立基于退化的特征参数的正常包络模型并进行检测，完成电路的早期故障检测。
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公开(公告)号：CN110058113A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910368166.1
申请日：2019-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/02
Abstract: 一种针对硅通孔漏电故障的绑定后硅通孔测试结构及方法，涉及集成电路测试领域。本发明是为了解决传统的硅通孔测试结构测量精度低、有误故障时测量误差小、且无法确定故障点的问题。本发明所述的一种针对硅通孔漏电故障的绑定后硅通孔测试结构，包括传统的基于环形振荡器的硅通孔测试电路和用于降低环形振荡器的频率的RC电路。本发明针对硅通孔的绑定后测试，所检测的故障为硅通孔的漏电故障。当硅通孔接入时，使测试结构输出信号的周期对硅通孔的漏电故障更加敏感，使测试成本降低，使诊断结果受测量误差影响更小，适用于检测微小的漏电面积。
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