公开(公告)号：CN101417880A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810137597.9

申请日：2008-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  韩杰才 ,  孟松鹤 ,  徐林 ,  韩文波 ,  胡平

IPC: C04B35/58

Abstract: 低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种硼化物基陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料烧结温度及压力过高、烧结致密度低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料由硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂制成；添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末。本发明的方法如下：一、将硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂混合；二、再放入无水乙醇中进行超声波清洗分散，球磨混合，烘干；三、热压烧结后冷却即可。本发明在1800～1850℃、30MPa下烧结所获得低温烧结硼化物基陶瓷材料的组织均匀、致密，且晶粒度细小，同时力学性能优良，相对密度为96％以上，强度和韧性分别高达786MPa和7.12MPam1/2。本发明方法的工艺简单实用，成本低廉、易于推广。

公开(公告)号：CN101318833A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810064952.4

申请日：2008-07-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩杰才 ,  张幸红 ,  孟松鹤 ,  徐林 ,  韩文波 ,  翁凌 ,  王家智

IPC: C04B41/80

Abstract: 硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法，它涉及一种陶瓷材料的表面预氧化方法。它解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料的力学性能低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法按以下步骤实施：一、用砂纸对硼化物基陶瓷材料进行表面抛光处理；二、将抛光处理后的材料放入烧结炉中，升温至300～1500℃并保温20～200min，然后随炉冷却至室温；即得硼化物基陶瓷材料的氧化表面。本发明成本低，工艺简单，易于操作。采用本发明方法处理后的硼化物基陶瓷复合材料，其抗弯强度值为751～901MPa，与未经过预氧化处理的同体系硼化物基陶瓷材料相比，抗弯强度增加了2.9％～17.5％。

公开(公告)号：CN101318833B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810064952.4

申请日：2008-07-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩杰才 ,  张幸红 ,  孟松鹤 ,  徐林 ,  韩文波 ,  翁凌 ,  王家智

IPC: C04B41/80

Abstract: 硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法，它涉及一种陶瓷材料的表面预氧化方法。它解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料的力学性能低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法按以下步骤实施：一、用砂纸对硼化物基陶瓷材料进行表面抛光处理；二、将抛光处理后的材料放入烧结炉中，升温至300～1500℃并保温20～200min，然后随炉冷却至室温；即得硼化物基陶瓷材料的氧化表面。本发明成本低，工艺简单，易于操作。采用本发明方法处理后的硼化物基陶瓷复合材料，其抗弯强度值为751～901MPa，与未经过预氧化处理的同体系硼化物基陶瓷材料相比，抗弯强度增加了2.9％～17.5％。