公开(公告)号：CN1750392A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510010409.2

申请日：2005-09-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  韩杰才 ,  韩潇 ,  程坤 ,  杨瑾

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

Abstract: 薄膜声表面波器件的非晶金刚石增频衬底及其制备方法，它涉及一种具有多层结构薄膜声表面波器件的增频衬底及增频方法的领域，它是为了解决在现有的工艺水平下，叉指线条不能无限制的微细化而导致无法提高声波的传播速度，及现有的工艺沉积类金刚石薄膜应力大且无法达到增频效果和金刚石薄膜难以实际应用的问题。本发明的非晶金刚石增频衬底是利用过滤阴极真空电弧沉积系统在抛光单晶硅片上沉积有非晶金刚石薄膜，所述非晶金刚石薄膜的厚度为50nm～3000nm。本发明方法的步骤是：一、增频设计；二、预处理；三、离子刻蚀；四、薄膜沉积；五、退火处理。本发明能制备出性能稳定的超高频薄膜声表面波器件，且具有沉积面积大、沉积速度快、结合强度高等优点。

公开(公告)号：CN100435482C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510010409.2

申请日：2005-09-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  韩杰才 ,  韩潇 ,  程坤 ,  杨瑾

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

Abstract: 薄膜声表面波器件的非晶金刚石增频衬底的制备方法，它涉及一种具有多层结构薄膜声表面波器件的增频衬底及增频方法的领域，它是为了解决在现有的工艺水平下，叉指线条不能无限制的微细化而导致无法提高声波的传播速度，及现有的工艺沉积类金刚石薄膜应力大且无法达到增频效果和金刚石薄膜难以实际应用的问题。本发明的步骤是：1.增频设计；2.预处理；3.离子刻蚀；4.薄膜沉积；5.退火处理；在步骤4中衬底负偏压采用直流脉冲的形式，增频衬底厚度小于500nm，采用固定80V衬底负偏压或从3000V至80V范围内的任意下降变化的衬底负偏压。本发明能制备出性能稳定的超高频薄膜声表面波器件，且具有沉积面积大、沉积速度快、结合强度高的优点。