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公开(公告)号：CN100494479C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710072595.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用磁控溅射沉积制备薄膜的方法，它涉及薄膜的制备方法。它解决了现有溅射出的薄膜面积较磁控靶面积小、均匀性较差和靶材的利用率低的问题。本发明的方法为：一、选用靶材，并将衬底置于旋转加热台上；二、将加热台用真空仓密封，抽真空，通入Ar气，电离清洗；三、启动加热灯组，加热到沉积薄膜所需要的温度并保温；四、向真空仓内通入启辉气体，施加溅射功率，控制气体流量，在衬底上加负偏压，移开挡板，开始向衬底表面镀膜；五、采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来控制镀膜；六、待真空仓内温度降至室温时即制得薄膜。本发明改变了现有的只能用大靶才能制备大面积薄膜的现状，膜厚易于控制，而且薄膜的均匀度高。
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公开(公告)号：CN101177779A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710144777.5
申请日：2007-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，它涉及碳化硅反射镜表面的涂膜方法。它解决了现有反射镜的两相具有相差悬殊的硬度值，使抛光的均匀性受到影响，加工难度高；反射镜的粗糙度较高、表面易损伤的问题。本发明的方法为：一、将碳化硅反射镜进行清洗；二、将碳化硅反射镜置于磁控溅射真空仓内的加热台上；三、将真空仓内抽真空，对碳化硅反射镜加热；四、通入Ar气，启动电离电源，对碳化硅反射镜表面进行电离清洗；五、向反射镜表面进行磁控溅射沉积镀膜。本发明方法制备的硅膜致密性好，覆盖了碳化硅表面的两相组织，易于抛光，光学精度高，硅膜与反射镜表面的结合性好。
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公开(公告)号：CN101100739A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710072595.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用磁控溅射沉积制备薄膜的方法，它涉及薄膜的制备方法。它解决了现有溅射出的薄膜面积较磁控靶面积小、均匀性较差和靶材的利用率低的问题。本发明的方法为：一，选用靶材，并将衬底置于旋转加热台上；二，将加热台用真空仓密封，抽真空，通入Ar气，电离清洗；三，启动加热灯组，加热到沉积薄膜所需要的温度并保温；四，向真空仓内通入启辉气体，施加溅射功率，控制气体流量，在衬底上加负偏压，移开挡板，开始向衬底表面镀膜；五，采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来控制镀膜；六，待真空仓内温度降至室温时即制得薄膜。本发明改变了现有的只能用大靶才能制备大面积薄膜的现状，膜厚易于控制，而且薄膜的均匀度高。
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公开(公告)号：CN1750392A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510010409.2
申请日：2005-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 薄膜声表面波器件的非晶金刚石增频衬底及其制备方法，它涉及一种具有多层结构薄膜声表面波器件的增频衬底及增频方法的领域，它是为了解决在现有的工艺水平下，叉指线条不能无限制的微细化而导致无法提高声波的传播速度，及现有的工艺沉积类金刚石薄膜应力大且无法达到增频效果和金刚石薄膜难以实际应用的问题。本发明的非晶金刚石增频衬底是利用过滤阴极真空电弧沉积系统在抛光单晶硅片上沉积有非晶金刚石薄膜，所述非晶金刚石薄膜的厚度为50nm～3000nm。本发明方法的步骤是：一、增频设计；二、预处理；三、离子刻蚀；四、薄膜沉积；五、退火处理。本发明能制备出性能稳定的超高频薄膜声表面波器件，且具有沉积面积大、沉积速度快、结合强度高等优点。
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公开(公告)号：CN101244897A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810064171.5
申请日：2008-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 光电探测系统的带非晶金刚石膜的玻璃球罩及其制备方法，它属于硬质表面的玻璃球罩及制备方法。它为克服OEPS－27光电探测系统外部的玻璃球罩硬度低、抗划擦性和耐腐蚀性较差、表面易损伤以及现有涂敷非晶金刚石薄膜的方法不能在球罩玻璃上牢固地涂敷非晶金刚石薄膜的缺点而提出。它由球罩玻璃基底、硅膜中间层和非晶金刚石膜层组成；硅膜中间层镀在球罩玻璃基底的外表面，非晶金刚石膜层镀在硅膜中间层的外表面。其制备步骤如下：一清洗球罩玻璃基底，二电离反溅，三沉积硅膜中间层，四离子刻蚀，五在硅膜中间层上沉积非晶金刚石膜层。本发明有益效果在于使玻璃球罩具有硬度高、抗划擦和耐腐蚀性好、在光学工作波段具有良好的透过率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101100740A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710072596.6
申请日：2007-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种磁控溅射半球面薄膜的制备方法，它涉及半球面薄膜的制备方法。它解决了现有镀半球面薄膜的装置中磁控靶固定不动，加热台旋转的同时进行摆动，需要专用夹具装夹待镀工件的问题。本发明的方法为：一，选用靶材，并将衬底材料置于旋转加热台上，整个装置位于真空仓内；二，密封真空仓，抽真空，通入Ar气，电离清洗；三，启动加热灯组，加热并保温；四，向真空仓内通入启辉气体，施加溅射功率，预溅射，控制气体流量，在衬底上加负偏压；五，采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来镀膜；六，待真空仓内温度降至室温时即制得半球形薄膜。本发明的待镀工件装夹方便，使镀膜过程稳定，所制备的半球形薄膜均匀，靶材的利用率高。
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公开(公告)号：CN113636114A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110862564.6
申请日：2021-07-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B64G7/00
Abstract: 本发明提出了一种具有防尘功能的月球低温环境模拟胀板式半体热沉结构，属于空间环境模拟技术领域。它立式主热沉、设备/样品通道热沉、原位副舱热沉和过渡舱热沉，所述立式主热沉的两侧分别安装有原位副舱热沉和过渡舱热沉，前侧安装有设备/样品通道热沉；所述设备/样品通道热沉、原位副舱热沉和过渡舱热沉均设置有配有供液管路和回液管路的液氮法兰，所述立式主热沉的筒壁由若干纵向的热沉胀板组成，筒底由若干胀板单元拼成，主要用于月球低温背景环境模拟。
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公开(公告)号：CN113443178A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110770311.6
申请日：2021-07-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B64G7/00
Abstract: 本发明提出了一种用于模拟月球表面综合环境的真空容器系统，属于空间环境模拟技术领域。提供了一种用于模拟月球真空、低温、电子辐照、紫外辐照、X射线辐照、微米/亚微米级带电粉尘等月表多因素综合环境效应试验的真空容器。它包括它包括真空容器、钢平台、样品台、操作平台、罐外车、月尘槽和月壤槽，所述真空容器包括主舱、过渡舱、底部平台、原位副舱和通道，所述主舱的侧壁上开设有通道，所述通道上开设有大门机构，实现通道的开闭，所述主舱上侧面设置有过渡舱，通过过渡舱与其他设备相连，所述主舱上设置有原位副舱，所述原位副舱位于月尘舱直筒段上。它主要用于模拟月球表面综合环境。
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公开(公告)号：CN100480419C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710072596.6
申请日：2007-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种磁控溅射半球面薄膜的制备方法，它涉及半球面薄膜的制备方法。它解决了现有镀半球面薄膜的装置中磁控靶固定不动，加热台旋转的同时进行摆动，需要专用夹具装夹待镀工件的问题。本发明的方法为：一、选用靶材，并将衬底材料置于旋转加热台上，整个装置位于真空仓内；二、密封真空仓，抽真空，通入Ar气，电离清洗；三、启动加热灯组，加热并保温；四、向真空仓内通入启辉气体，施加溅射功率，预溅射，控制气体流量，在衬底上加负偏压；五、采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来镀膜；六、待真空仓内温度降至室温时即制得半球形薄膜。本发明的待镀工件装夹方便，使镀膜过程稳定，所制备的半球形薄膜均匀，靶材的利用率高。
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公开(公告)号：CN113636114B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110862564.6
申请日：2021-07-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B64G7/00
Abstract: 本发明提出了一种具有防尘功能的月球低温环境模拟胀板式半体热沉结构，属于空间环境模拟技术领域。它立式主热沉、设备/样品通道热沉、原位副舱热沉和过渡舱热沉，所述立式主热沉的两侧分别安装有原位副舱热沉和过渡舱热沉，前侧安装有设备/样品通道热沉；所述设备/样品通道热沉、原位副舱热沉和过渡舱热沉均设置有配有供液管路和回液管路的液氮法兰，所述立式主热沉的筒壁由若干纵向的热沉胀板组成，筒底由若干胀板单元拼成，主要用于月球低温背景环境模拟。
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