基于体硅工艺的纳米级定位平台及其垂直侧壁表面压阻加工方法

    公开(公告)号:CN101372310A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200810064888.X

    申请日:2008-07-09

    Abstract: 本发明提供了一种基于体硅工艺的纳米级定位平台及其垂直侧壁表面压阻加工方法。整个定位平台主要由作为结构层的硅与作为衬底的玻璃通过阳极键合加工而成,它包括载物台、侧向平动静电梳齿致动器、检测梁、折叠梁和柔性支撑梁,载物台位于整个定位平台的中心位置,通过呈十字分布的四个柔性支撑梁、折叠梁和检测梁支撑在整个平台中心,侧向平动静电梳齿致动器位于检测梁和折叠梁之间。本发明集结构、驱动和位移检测于一体的,并利用垂直侧壁表面压阻加工技术,把基于压阻检测原理的位移传感器集成到纳米定位平台的检测梁上,从而进一步提高了定位平台的定位精度和应用空间。

Patent Agency Ranking