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公开(公告)号：CN104692404A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510116960.9
申请日：2015-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B35/04
CPC classification number: C01B35/04 , C01P2004/03
Abstract: 一种二硼化锆晶体的合成方法，涉及一种金属硼化物晶体的合成方法。本发明是要解决目前二硼化锆晶体合成困难，难以获得大尺寸晶体的技术问题。本发明的方法为：一、将硼粉、锆粉和铝粉混合均匀，得到混合均匀的粉末；二、将步骤一中混合均匀的粉体放在氧化铝陶瓷坩埚中，然后在真空或惰性气体保护气氛中升温反应；三、将反应后的坩埚取出，用碱溶液或酸溶液将坩埚内的熔融铝溶解后，得到二硼化锆晶体。本发明方法原料易得，工艺简单；且通过调节保温时间可以获得不同尺寸的ZrB2晶体。本发明应用于金属硼化物晶体的制备领域。
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公开(公告)号：CN104532551A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410765741.9
申请日：2014-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/80 , D06M11/64 , D06M13/50 , D06M101/40
Abstract: 一种碳纤维表面原位制备硅硼碳氮陶瓷涂层的方法，涉及一种碳纤维表面原位制备陶瓷涂层的方法。本发明是要解决目前碳纤维表面惰性强、表面能低、与基体的界面结合性差、从而影响复合材料的性能的技术问题。本发明方法：一、碳纤维的氧化处理；二、碳纤维的表面处理；三、碳纤维表面包覆硅硼碳氮陶瓷先驱体；四、高温裂解。本发明优点：本发明提高了碳纤维的界面性能，有效的保护碳纤维不受损伤，并且增加了碳纤维的包覆率以及与基体的结合性，有效的改善了界面性能，改善了陶瓷基复合材料的热学性能。
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公开(公告)号：CN108249929A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810059342.9
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/628 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/62894 , C04B35/565 , C04B35/58078 , C04B35/622 , C04B35/62828 , C04B35/62834 , C04B35/62839 , C04B35/64 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/666 , C04B2235/9607
Abstract: 一种多尺度增韧的砖‑泥结构超高温陶瓷材料的制备方法。本发明涉及结构陶瓷材料的制备领域，特别是涉及一种砖‑泥结构超高温陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有多组分ZrB2‑SiC陶瓷的严重的各向异性和抗损伤容限差的问题。方法：一、通过造粒制备ZrB2‑SiC陶瓷微球；二、通过喷涂包覆法在ZrB2‑SiC陶瓷微球表面包覆ZrB2‑SiC‑Graphene界面层；三、通过放电等离子烧结制备多尺度增韧的砖‑泥结构超高温陶瓷材料。本发明用于制备多尺度增韧的砖‑泥结构超高温陶瓷材料，其临界裂纹尺寸和断裂功分别达到了161.8μm和150.3J/m2，临界热冲击温差高达861℃。
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公开(公告)号：CN105218103A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510701406.7
申请日：2015-10-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/81 , C04B35/622
Abstract: 一种石墨烯/陶瓷层状材料的制备方法，它属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种石墨烯/陶瓷层状材料的制备方法。本发明的目的是要解决传统流延或轧膜成型制备层状陶瓷材料存在工艺繁琐，成本高的问题。方法：一、制备含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体A，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体B，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体C，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体D；二、热压烧结，采用交替叠放的形式装入模具中，然后在真空或氩气惰性气氛保护下进行热压烧结，得到石墨烯/陶瓷层状材料。优点：室温断裂韧性为8～10MPa·m0.5，三点弯曲强度为400～600MPa。本发明主要用于制备石墨烯/陶瓷层状材料。
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公开(公告)号：CN104843726A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510160865.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种分散纳米ZrB2-SiC复合粉体的方法，涉及一种分散纳米复合粉体的方法。本发明是要解决现有纳米ZrB2-SiC复合粉体在水中容易团聚问题。方法：一、用碱滴定去离子水得到pH为11的溶剂；二、称取ZrB2-SiC复合粉体和分散剂，并先后加入到溶剂中，超声14～16min，得到分散均匀的浆料，即完成纳米ZrB2-SiC复合粉体的分散。本发明方法分散效果好，分散均匀，可在24h内不发生明显聚沉。本发明用于分散纳米ZrB2-SiC复合粉体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104499270A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410809082.4
申请日：2014-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/79 , D06M11/64 , D06M13/144 , D06M101/40
Abstract: 一种纳米二氧化硅表面改性碳纤维的方法，涉及一种表面改性碳纤维的方法。本发明是要解决目前碳纤维的力学和热学性能较差的问题。方法：一、对纳米二氧化硅进行表面卤化，得到产物；二、纳米二氧化硅表面叠氮化处理；三、碳纤维的氧化处理；四、碳纤维表面修饰炔基化处理；五、碳纤维表面接枝纳米二氧化硅。修饰二氧化硅之后，碳纤维表面的浸润性有显著提高，粗糙度明显增加，有利于增强复合材料中基体和界面之间的传递效应，可以有效的缓解应力集中，阻止材料的破坏，进而提高复合材料的力学性能。经过纳米二氧化硅的表面改性，碳纤维的热稳定性得到了显著提高。本发明用于改性碳纤维。
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公开(公告)号：CN104437154A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410631871.3
申请日：2014-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种分散纳米SiC粉体的方法，涉及一种纳米SiC粉体的分散方法。本发明是要解决现有纳米SiC粉体在水中容易团聚的问题。方法：一、用碱滴定去离子水得到pH为12的溶剂；二、称取SiC粉体和分散剂，将SiC粉体和分散剂先后加入到溶剂中，超声14～16min，得到分散均匀的浆料，即完成纳米SiC粉体的分散。本发明方法的分散效果好、分散均匀、浆料可24h不发生明显沉淀。纳米SiC粉体的团聚尺寸较小，SiC粉体的团聚尺寸小于100nm，Zeta电位约为40mv。本发明应用于纳米材料领域。
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公开(公告)号：CN108178650B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810059344.8
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 一种制备石墨烯网络增韧ZrC‑SiC超高温陶瓷材料的方法，本发明涉及陶瓷材料的制备方法领域。本发明是要解决现有ZrC‑SiC抗损伤容限差的技术问题。方法：一、制备氧化石墨烯水溶液；二、制备氧化石墨烯分散液；三、定向冷冻，制备PVA改性的石墨烯网络；四、热还原，真空浸渍，制备石墨烯网络包裹陶瓷粉体的生坯；五、放电等离子烧结。本发明方法制备的陶瓷材料的断裂韧性由3.82MPa·m1/2增加到4.26MPa·m1/2，临界裂纹尺寸由26.8μm增加到119.4μm，断裂功由44.7J/m2增加到151.6J/m2。本发明用于制备陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN109293384B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811287055.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/622 , D01F9/08 , C04B35/645
Abstract: 一种制备高损伤容限的面内各向同性的硼化锆基超高温独石结构陶瓷的方法，涉及一种硼化锆基超高温独石陶瓷材料的制备方法。目的是解决ZrB2基超高温陶瓷抗损伤容限差及ZrB2基纤维独石陶瓷存在严重面内各向异性的问题。制备方法：将聚醚砜溶解在N‑甲基吡咯烷酮中，并与ZrB2粉体和SiC粉体进行球磨混料得到ZrB2‑SiC浆料，ZrB2‑SiC浆料挤出固化得到连续ZrB2‑SiC陶瓷纤维；ZrB2粉体、SiC粉体与Graphene分散在去离子水中得到ZrB2‑SiC‑Graphene浆料；连续ZrB2‑SiC陶瓷纤维涂覆ZrB2‑SiC‑Graphene浆料并烘干，进行预压、高温排胶和热压烧结。本发明解决了单轴排列的ZrB2基纤维独石陶瓷的面内各向异性的问题，抗损伤容限得到提升。本发明适用于制备硼化锆基超高温独石结构陶瓷。
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公开(公告)号：CN109293384A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811287055.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/622 , D01F9/08 , C04B35/645
Abstract: 一种制备高损伤容限的面内各向同性的硼化锆基超高温独石结构陶瓷的方法，涉及一种硼化锆基超高温独石陶瓷材料的制备方法。目的是解决ZrB2基超高温陶瓷抗损伤容限差及ZrB2基纤维独石陶瓷存在严重面内各向异性的问题。制备方法：将聚醚砜溶解在N-甲基吡咯烷酮中，并与ZrB2粉体和SiC粉体进行球磨混料得到ZrB2-SiC浆料，ZrB2-SiC浆料挤出固化得到连续ZrB2-SiC陶瓷纤维；ZrB2粉体、SiC粉体与Graphene分散在去离子水中得到ZrB2-SiC-Graphene浆料；连续ZrB2-SiC陶瓷纤维涂覆ZrB2-SiC-Graphene浆料并烘干，进行预压、高温排胶和热压烧结。本发明解决了单轴排列的ZrB2基纤维独石陶瓷的面内各向异性的问题，抗损伤容限得到提升。本发明适用于制备硼化锆基超高温独石结构陶瓷。
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