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公开(公告)号：CN105018999B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510400290.3
申请日：2015-07-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C25D11/06
Abstract: 本发明提供的是一种铝合金微弧氧化膜原位生长层状双金属氢氧化物的方法。对铝合金进行微弧氧化处理，得到表面生长微弧氧化膜层的铝合金；电解液组成包括5g/L～10g/L氢氧化钠、5g/L～20g/L偏铝酸钠，微弧氧化处理的脉冲电流密度为10A/dm2～30A/dm2；将表面生长微弧氧化膜层的铝合金置于硝酸金属盐与硝酸铵物质的量比为1：6的混合溶液中进行反应。本发明通过调节微弧氧化电解液组成、脉冲电源参数，控制微弧氧化膜层组成及结构特征，获得利于层状双金属氢氧化物沉积的基底膜层；实现对微弧氧化膜层缺陷的有效修复，改善微弧氧化膜层耐腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN104451807B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201410826955.2
申请日：2014-12-25
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C25D9/02
Abstract: 本发明提供的是一种金属表面电沉积制备硅烷膜的方法。在装有硅烷预水解溶液的高压釜内，金属基体作为工作电极，铂片作为对电极，Ag/AgCl电极作为参比电极，通入高纯氧气控制高压釜内压强为0～20MPa，对工作电极施加阴极电位为‑0.45～‑1.5V，电沉积10s～60min，取出金属基体，用高压氮气去除表面多余硅烷预水解溶液，在60～200℃干燥固化，固化时间为10～360min。本发明采用氧气加压电沉积的方法，能有效提高硅烷预水解溶液中氧气的含量，能够使溶液中的氧气及时补充到金属基体表面，促进金属表面的阴极电沉积过程，从而提高硅烷膜的成膜质量及其防护性能。
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公开(公告)号：CN105018999A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510400290.3
申请日：2015-07-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C25D11/06
Abstract: 本发明提供的是一种铝合金微弧氧化膜原位生长层状双金属氢氧化物的方法。对铝合金进行微弧氧化处理，得到表面生长微弧氧化膜层的铝合金；电解液组成包括5g/L～10g/L氢氧化钠、5g/L～20g/L偏铝酸钠，微弧氧化处理的脉冲电流密度为10A/dm2～30A/dm2；将表面生长微弧氧化膜层的铝合金置于硝酸金属盐与硝酸铵物质的量比为1：6的混合溶液中进行反应。本发明通过调节微弧氧化电解液组成、脉冲电源参数，控制微弧氧化膜层组成及结构特征，获得利于层状双金属氢氧化物沉积的基底膜层；实现对微弧氧化膜层缺陷的有效修复，改善微弧氧化膜层耐腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN104451807A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410826955.2
申请日：2014-12-25
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C25D9/02
Abstract: 本发明提供的是一种金属表面电沉积制备硅烷膜的方法。在装有硅烷预水解溶液的高压釜内，金属基体作为工作电极，铂片作为对电极，Ag/AgCl电极作为参比电极，通入高纯氧气控制高压釜内压强为0～20MPa，对工作电极施加阴极电位为-0.45～-1.5V，电沉积10s～60min，取出金属基体，用高压氮气去除表面多余硅烷预水解溶液，在60～200℃干燥固化，固化时间为10～360min。本发明采用氧气加压电沉积的方法，能有效提高硅烷预水解溶液中氧气的含量，能够使溶液中的氧气及时补充到金属基体表面，促进金属表面的阴极电沉积过程，从而提高硅烷膜的成膜质量及其防护性能。
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