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公开(公告)号：CN105444800B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201511027412.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨海格通江敏感技术有限责任公司
IPC: G01D21/00
Abstract: 一种用于检测气体泄漏源方向的装置及方法，适用于气体泄漏源的搜寻和定位领域。本发明的目的是要解决现有的检测气体泄漏源方向的装置精度较低、集成度不高、便携性较差等问题。一种用于检测气体泄漏源方向的装置，主要包括顶板部件（1）、气体传感器阵列（2）、气体浓度检测舱室阵列（3）、风速风向检测区阵列（4）、底板部件（5）。本发明同时提供一种利用该装置检测气体泄漏源方向的方法。本发明能够提高检测气体泄漏源方向的精度，同时可以使检测气体泄漏源方向的装置集成度更高、便携性更好。
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公开(公告)号：CN105444800A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511027412.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨海格通江敏感技术有限责任公司
IPC: G01D21/00
Abstract: 一种用于检测气体泄漏源方向的装置及方法，适用于气体泄漏源的搜寻和定位领域。本发明的目的是要解决现有的检测气体泄漏源方向的装置精度较低、集成度不高、便携性较差等问题。一种用于检测气体泄漏源方向的装置，主要包括顶板部件（1）、气体传感器阵列（2）、气体浓度检测舱室阵列（3）、风速风向检测区阵列（4）、底板部件（5）。本发明同时提供一种利用该装置检测气体泄漏源方向的方法。本发明能够提高检测气体泄漏源方向的精度，同时可以使检测气体泄漏源方向的装置集成度更高、便携性更好。
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公开(公告)号：CN101767992A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010032467.6
申请日：2010-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/624
Abstract: 溶胶凝胶法制备Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体，它涉及一种制备无铅压电陶瓷纳米粉体的方法。本发明解决了传统固相烧结法制得的粉体粒径分布范围宽、纯度低、掺杂元素不均匀、活性低、性能不稳定的问题。方法：一、称取原料；二、制备混合溶液；三、制备凝胶；四、经真空干燥、烧结即得到Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体。本发明方法制作得到的Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体粒径分布范围小、纯度高、掺杂元素均匀、活性高、性能稳定。
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公开(公告)号：CN101769888B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010032466.1
申请日：2010-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得到共沉积混合物；二、离心、抽滤、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好，使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0～500ppm，且功耗低，体积小。
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公开(公告)号：CN101767994B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010032479.9
申请日：2010-01-18
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: C04B35/491 , C04B35/626
Abstract: 一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种压电陶瓷粉体的制备方法。本发明解决了现有固相合成法制备压电陶瓷粉体存在化学配比不能精确控制、粉体活性低、所需烧结温度高、材料均匀性差的问题。方法：一、取Pb(Ac)2·3H2O、TiCl4、MnCl2、NiCl2·6H2O和ZrOCl2·8H2O的可溶性盐溶液混合并搅拌，得混合溶液；二、向混合溶液中加入Sb2O3并搅拌，得悬浊液；三、向悬浊液中加入氨水，得氢氧化物胶体，离心后弃上清液，清洗沉淀，干燥后研磨，得微粉；四、微粉烧结后即得改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体。本发明各元素配比得到了精确控制，反应在低温下进行，粉体活性高，粉体均匀性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101767992B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010032467.6
申请日：2010-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: C04B35/49 , C04B35/624
Abstract: 一种溶胶凝胶法制备Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体的方法，它涉及一种制备无铅压电陶瓷纳米粉体的方法。本发明解决了传统固相烧结法制得的粉体粒径分布范围宽、纯度低、掺杂元素不均匀、活性低、性能不稳定的问题。方法：一、称取原料；二、制备混合溶液；三、制备凝胶；四、经真空干燥、烧结即得到Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体。本发明方法制作得到的Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体粒径分布范围小、纯度高、掺杂元素均匀、活性高、性能稳定。
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公开(公告)号：CN101777884A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910312591.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H03H9/25
Abstract: 叠片式微电子机械系统压电振子的制造方法，它涉及一种微电子机械系统压电振子的制造方法。它解决了现有的微电子机械系统压电振子无法解决其微驱动组装的多层片式结构和优化、以及无法满足微电子机械系统集成化、小型化要求的问题。它的步骤是：步骤一、对铍青铜基片进行热处理；步骤二、在陶瓷片的上下表面溅射铜膜并进行热处理；步骤三、对步骤二处理后的陶瓷片做极化处理；步骤四、将步骤三处理后的陶瓷片陈化放置后采用超声波清洗；步骤五、将清洗后的压电陶瓷片按照一定的结构设计固定在铍青铜基片的上、下表面上。本发明适用于主动振动控制、强振隔离体、航空航天、机器人、动力机械等多领域的驱动场合。
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公开(公告)号：CN101762623B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010300140.2
申请日：2010-01-08
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
Abstract: 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法，涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽，基片背面设置有加热电极和信号电极，通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通，加热电极为蛇形排列结构，敏感膜附在信号电极上，制造方法如下：一选择基片；二传感器Pt金属薄膜信号电极制备：首先光刻，其次镀膜，最后金属膜剥离；三异面加热电极制备：首先镀膜，然后激光刻蚀；四热隔离；五退火；六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。
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公开(公告)号：CN101777884B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910312591.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H03H9/25
Abstract: 叠片式微电子机械系统压电振子的制造方法，它涉及一种微电子机械系统压电振子的制造方法。它解决了现有的微电子机械系统压电振子无法解决其微驱动组装的多层片式结构和优化、以及无法满足微电子机械系统集成化、小型化要求的问题。它的步骤是：步骤一、对铍青铜基片进行热处理；步骤二、在陶瓷片的上下表面溅射铜膜并进行热处理；步骤三、对步骤二处理后的陶瓷片做极化处理；步骤四、将步骤三处理后的陶瓷片陈化放置后采用超声波清洗；步骤五、将清洗后的压电陶瓷片按照一定的结构设计固定在铍青铜基片的上、下表面上。本发明适用于主动振动控制、强振隔离体、航空航天、机器人、动力机械等多领域的驱动场合。
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公开(公告)号：CN101775586A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010032484.X
申请日：2010-01-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 在非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备方法，它涉及多孔Al2O3膜的制备方法。本发明解决了现有制备多孔Al2O3膜的方法复杂，膜厚度大、脆且易碎，采用这种膜制备的纳米线无序且长度过大的问题。方法：一、取基片进行表面清洗，然后烘干，再采用磁控溅射的方式在基片上溅射Al膜，然后在氩气保护下热处理，得镀有Al膜的基片；二、以镀有Al膜的基片为阳极，不锈钢片为阴极，草酸溶液为电解液进行阳极氧化，即完成。本发明简化了制备步骤，操作简单，易于控制，加工成本低廉，制备的Al2O3膜厚度为6～10μm、膜的韧性好，采用本发明中的Al2O3膜制备纳米线，所得纳米线行序且长度在3～5μm可控。
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