公开(公告)号：CN105264117B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201480028326.3

申请日：2014-03-13

Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司

Inventor： C-Y.柯

IPC: C23G1/00

Abstract: 提供用于铜后化学机械平坦化的含水清洗组合物。所述组合物包含有机碱、铜蚀刻剂、有机配体、腐蚀抑制剂、及水，其中该有机碱的浓度为至少200ppm，该铜蚀刻剂的浓度为至少200ppm，该有机配体的浓度为至少50ppm，且该腐蚀抑制剂的浓度为至少10ppm。当用于铜后化学机械平坦化清洗程序时，所述含水清洗组合物可有效地从晶片表面去除残余污染物和降低晶片表面上的缺陷数，同时赋予晶片以更好的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN105264117A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480028326.3

申请日：2014-03-13

Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司

Inventor： C-Y.柯

IPC: C23G1/00

CPC classification number: C11D7/3281 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/26 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D3/361 ,  C11D3/364 ,  C11D3/365 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/18 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02074

Abstract: 提供用于铜后化学机械平坦化的含水清洗组合物。所述组合物包含有机碱、铜蚀刻剂、有机配体、腐蚀抑制剂、及水，其中该有机碱的浓度为至少200ppm，该铜蚀刻剂的浓度为至少200ppm，该有机配体的浓度为至少50ppm，且该腐蚀抑制剂的浓度为至少10ppm。当用于铜后化学机械平坦化清洗程序时，所述含水清洗组合物可有效地从晶片表面去除残余污染物和降低晶片表面上的缺陷数，同时赋予晶片以更好的表面粗糙度。