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公开(公告)号：CN104584178B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380045316.6
申请日：2013-08-12
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 同和控股(集团)有限公司
CPC classification number: H01J63/06 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612
Abstract: [课题]提供可利用低电力工作并且亮度的发光面内均匀性高的场致电子发射膜和使用其的场致电子发射元件、发光元件及其制造方法。[解决手段]场致电子发射膜，其为包含60～99.9质量％的锡掺杂的铟氧化物和0.1～20质量％的碳纳米管的场致电子发射膜，并具有如下结构：在所述膜的表面，以每1mm2总延长2mm以上形成宽度为0.1～50μm范围的槽，在所述槽的壁面露出碳纳米管。在基板上形成含有碳纳米管的ITO膜之后，在ITO膜的表面形成槽，将在该槽的壁面露出的碳纳米管的端部设为发射体。
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公开(公告)号：CN104995772B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480009070.1
申请日：2014-03-24
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 同和控股(集团)有限公司
IPC: H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/48 , H01M10/052 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M4/485 , C01B33/113 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 作为锂离子二次电池用负极活性物质，使用具有高的理论容量的硅系物质,作为负极活性物质时,得到初期的电池容量高,并且,即使反复进行多次循环的充放电,性能劣化仍少的负极活性物质。另外,提供采用该负极活性物质的锂离子二次电池。把硅与氧化铜(2)、或硅、金属铜及水采用粉碎装置,通过在粉碎处理的同时进行混合处理,能够得到循环特性良好,并且具有大的电池容量的负极活性物质。
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公开(公告)号：CN104995772A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480009070.1
申请日：2014-03-24
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 同和控股(集团)有限公司
IPC: H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/48 , H01M10/052 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M4/485 , C01B33/113 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 作为锂离子二次电池用负极活性物质，使用具有高的理论容量的硅系物质,作为负极活性物质时,得到初期的电池容量高,并且,即使反复进行多次循环的充放电,性能劣化仍少的负极活性物质。另外,提供采用该负极活性物质的锂离子二次电池。把硅与氧化铜(2)、或硅、金属铜及水采用粉碎装置,通过在粉碎处理的同时进行混合处理,能够得到循环特性良好,并且具有大的电池容量的负极活性物质。
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公开(公告)号：CN104584178A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380045316.6
申请日：2013-08-12
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 同和控股(集团)有限公司
CPC classification number: H01J63/06 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612
Abstract: [课题]提供可利用低电力工作并且亮度的发光面内均匀性高的场致电子发射膜和使用其的场致电子发射元件、发光元件及其制造方法。[解决手段]场致电子发射膜，其为包含60～99.9质量％的锡掺杂的铟氧化物和0.1～20质量％的碳纳米管的场致电子发射膜，并具有如下结构：在所述膜的表面，以每1mm2总延长2mm以上形成宽度为0.1～50μm范围的槽，在所述槽的壁面露出碳纳米管。在基板上形成含有碳纳米管的ITO膜之后，在ITO膜的表面形成槽，将在该槽的壁面露出的碳纳米管的端部设为发射体。
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