公开(公告)号：CN115612484A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211302803.3

申请日：2018-02-28

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日亚化学工业株式会社

Inventor： 鸟本司 ,  龟山达矢 ,  岸茉莉乃 ,  宫前千惠 ,  桑畑进 ,  上松太郎 ,  小谷松大祐 ,  仁木健太

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。

公开(公告)号：CN115717065B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202211303175.0

申请日：2018-02-28

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日亚化学工业株式会社

Inventor： 鸟本司 ,  龟山达矢 ,  岸茉莉乃 ,  宫前千惠 ,  桑畑进 ,  上松太郎 ,  小谷松大祐 ,  仁木健太

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。

公开(公告)号：CN115612484B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202211302803.3

申请日：2018-02-28

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日亚化学工业株式会社

Inventor： 鸟本司 ,  龟山达矢 ,  岸茉莉乃 ,  宫前千惠 ,  桑畑进 ,  上松太郎 ,  小谷松大祐 ,  仁木健太

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。

公开(公告)号：CN115717065A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202211303175.0

申请日：2018-02-28

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日亚化学工业株式会社

Inventor： 鸟本司 ,  龟山达矢 ,  岸茉莉乃 ,  宫前千惠 ,  桑畑进 ,  上松太郎 ,  小谷松大祐 ,  仁木健太

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。

公开(公告)号：CN110337481B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201880014289.9

申请日：2018-02-28

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日亚化学工业株式会社

Inventor： 鸟本司 ,  龟山达矢 ,  岸茉莉乃 ,  宫前千惠 ,  桑畑进 ,  上松太郎 ,  小谷松大祐 ,  仁木健太

IPC: C09K11/62 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G15/00 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。

公开(公告)号：CN110337481A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201880014289.9

申请日：2018-02-28

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日亚化学工业株式会社

Inventor： 鸟本司 ,  龟山达矢 ,  岸茉莉乃 ,  宫前千惠 ,  桑畑进 ,  上松太郎 ,  小谷松大祐 ,  仁木健太

IPC: C09K11/62 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G15/00 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。

公开(公告)号：CN113871376A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110733638.6

申请日：2021-06-30

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 仁木健太 ,  高桥润

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其是考虑到了昼夜节律以及显色性的发光装置。本发明的发光装置具备1个或多个发光元件和多个荧光体，并发出由1个或多个发光元件以及1个或多个荧光体产生的第1光、第2光以及第3光，第1光的相关色温为1500K以上且3500K以下，且显色指数R9值为50以上，第2光的相关色温为3500K以上且5500K以下，且显色指数R9的值为50以上，第3光在CIE 1931表色系统的色度图中的X坐标及Y坐标的值比黑体辐射轨迹上的色温5500K下的X坐标及Y坐标的值小。另外，在相关色温6500K的光中，显色指数R9的值为50以上，并且褪黑素照度比率的值为1.0以上。