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公开(公告)号：CN111801298B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201980013171.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种呈现带边发射，量子产率优异的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法，包括如下内容：将含有Ag的盐、含In和Ga中的至少一种的盐、作为S的供给源的固体状化合物、和有机溶剂的第一混合物，升温至处于125℃以上且175℃以下的范围的温度；继所述升温之后，以处于125℃以上且175℃以下的范围的温度，对于所述混合物进行3秒以上热处理，得到含有半导体纳米粒子的溶液；继所述热处理之后，使含有所述半导体纳米粒子的溶液降温，作为S的供给源的固体状化合物含有硫脲。
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公开(公告)号：CN111801298A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980013171.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种呈现带边发射，量子产率优异的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法，包括如下内容：将含有Ag的盐、含In和Ga中的至少一种的盐、作为S的供给源的固体状化合物、和有机溶剂的第一混合物，升温至处于125℃以上且175℃以下的范围的温度；继所述升温之后，以处于125℃以上且175℃以下的范围的温度，对于所述混合物进行3秒以上热处理，得到含有半导体纳米粒子的溶液；继所述热处理之后，使含有所述半导体纳米粒子的溶液降温，作为S的供给源的固体状化合物含有硫脲。
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公开(公告)号：CN116969500A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310826414.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子。半导体纳米粒子的制造方法包括：准备包含Ag盐、含In和Ga中的至少一种的盐、和有机溶剂的混合物；将所述混合物升温到120℃以上且300℃以下的范围内的温度；向被升温的所述混合物中，按照所述混合物中的S的原子数相对于Ag的原子数之比的增加率成为10/分钟以下的方式添加S的供给源。
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公开(公告)号：CN113474291A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080013342.0
申请日：2020-02-07
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够制造粒度分布窄的半导体纳米粒子的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：准备包含Ag盐、含In和Ga中的至少一种的盐、和有机溶剂的混合物；将所述混合物升温到120℃以上且300℃以下的范围内的温度；向被升温的所述混合物中，按照所述混合物中的S的原子数相对于Ag的原子数之比的增加率成为10/分钟以下的方式添加S的供给源。
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公开(公告)号：CN115717065B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202211303175.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115612484B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202211302803.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
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公开(公告)号：CN113474291B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202080013342.0
申请日：2020-02-07
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够制造粒度分布窄的半导体纳米粒子的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：准备包含Ag盐、含In和Ga中的至少一种的盐、和有机溶剂的混合物；将所述混合物升温到120℃以上且300℃以下的范围内的温度；向被升温的所述混合物中，按照所述混合物中的S的原子数相对于Ag的原子数之比的增加率成为10/分钟以下的方式添加S的供给源。
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公开(公告)号：CN115717065A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211303175.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
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公开(公告)号：CN115244154B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202180019484.2
申请日：2021-03-08
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够在短波长的发光峰值波长下显示出带边发光的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：得到第1混合物，上述第1混合物含有Ag盐、In盐、包含Ga及S的化合物、和有机溶剂；和以125℃以上且300℃以下范围内的温度对第1混合物进行热处理而得到第1半导体纳米粒子。(56)对比文件Feng Li等.Quaternary quantum dotswith gradient valence band for all-inorganic perovskite solar cells《.Journalof Colloid and Interface Science》.2019,第549卷第33-41页.
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公开(公告)号：CN115244154A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019484.2
申请日：2021-03-08
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够在短波长的发光峰值波长下显示出带边发光的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：得到第1混合物，上述第1混合物含有Ag盐、In盐、包含Ga及S的化合物、和有机溶剂；和以125℃以上且300℃以下范围内的温度对第1混合物进行热处理而得到第1半导体纳米粒子。
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