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公开(公告)号：CN118749165A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202380017969.7
申请日：2023-02-02
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/11
Abstract: 本发明的光子晶体面发射激光元件具有：第一半导体层，其形成有具有气孔的光子晶体层，该气孔具有二维周期性地配置在与层平行的面内；有源层，其形成在第一半导体层上；第二半导体层，其形成在有源层上；高折射率层，其形成在第二半导体层上，在中央区域具有使第二半导体层露出的开口部；透明导电体层，其覆盖露出于开口部的第二半导体层，并且与第二半导体层电连接，折射率比高折射率层低；以及光反射膜，其设置在透明导电体层和高折射率层上，反射经由开口部和第二半导体层入射的光。
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公开(公告)号：CN115298916A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021422.5
申请日：2021-02-10
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/18 , H01L21/205
Abstract: 面发射激光元件具有：第一引导层，其具有光子晶体层和嵌入层，该光子晶体层形成在第三族氮化物半导体的c面上，且具有在与层平行的面内具有二维周期性地配置的气孔，该嵌入层形成在该光子晶体层上并封闭上述气孔；有源层，其形成在第一引导层上；以及第二引导层，其形成在有源层上，在与上述光子晶体层平行的面内的各方形晶格点处配置有气孔组，该气孔组至少包括主气孔和尺寸比主气孔小的副气孔，主气孔具有长轴与 轴平行的正六棱柱形状、扁六棱柱形状或椭圆柱形状。
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公开(公告)号：CN118077111A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202280067288.7
申请日：2022-09-08
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/11
Abstract: 本发明具备：第一半导体层，其设置在基板上；有源层，其设置在第一半导体层上；第二半导体层，其设置在有源层上，与第一半导体层的导电型相反；气孔层，其包含于第一半导体层，具备在与有源层平行的面内具有二维周期性地配置的气孔；以及反射层，其设置在第二半导体层上，且具有反射面。在基板的背面具有光射出面，气孔层具有衍射面.该衍射面是将在气孔层中固定的光以对称的电场振幅向与气孔层正交的方向衍射时的对称中心面，衍射面与反射面的隔开距离被设置为，使从衍射面向光射出面侧衍射的第一衍射光与从衍射面向反射层侧衍射并被反射面反射的第二衍射光的合成光的光强度大于第一衍射光的光强度。
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公开(公告)号：CN118901170A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380029114.6
申请日：2023-03-14
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 具备透光性的基板、n型半导体层、活性层、p型半导体层、包含于n型半导体层的光子晶体层空孔层、设在p型半导体层上且具有反射面的光反射层、设在反射面和p型半导体层间的透光性导电体层。在基板背面具有光出射面，空孔层具有衍射面，衍射面是使在空孔层内形成驻波的光向与空孔层正交的方向衍射时的波源，具有相互减弱区域和相互增强区域，在该相互减弱区域中，将衍射面与反射面的间隔距离设置成从衍射面向光出射面侧衍射的第一衍射光与从衍射面经光反射层侧衍射并经反射面反射的第二衍射光的干涉而生成的干涉光的光强度比第一衍射光的光强度小；在相互增强区域中，将衍射面与反射面的间隔距离设置成干涉光的光强度比第一衍射光的光强度大。
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公开(公告)号：CN119301830A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380043634.2
申请日：2023-06-02
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 本发明的面发射激光元件具有：第一半导体层，其设置在透光性基板上；有源层，其在第一半导体层上；第二半导体层，其在有源层上；光子晶体层，其包含于第一半导体层，并具备在与有源层平行的面内具有二维周期性地配置的气孔；以及光反射层，其设置在第二半导体层上，并具有反射面。基板的背面具有光射出面，光子晶体层具有衍射面，该衍射面是将固定的光向与光子晶体层正交的方向衍射时的波源，衍射面与反射面的隔开距离被设置为，使从衍射面向光射出面侧衍射的第一衍射光与从衍射面向光反射层侧衍射并被反射面反射的第二衍射光之间的干涉所产生的干涉光的光强度小于第一衍射光的光强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115868090A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202180046421.6
申请日：2021-07-01
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本发明具有：第一半导体层，其嵌入具有气孔的光子晶体层而形成，该气孔具有二维周期性地配置在与光子晶体层平行的面内的形成区域内；有源层，其形成在第一半导体层上；第二半导体层，其形成在有源层上；以及台面形状的台面部，其形成于第二半导体层的表面。台面部在从垂直于光子晶体层的方向观察时形成在气孔的形成区域的内侧。
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公开(公告)号：CN114287089A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202080060790.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 国立大学法人京都大学
Abstract: 二维光子晶体面发光激光器(10)具有活性层(11)、二维光子晶体(光子晶体层)(12)以及电极(第一电极(191)和第二电极(192))。二维光子晶体(12)具备配置在活性层(11)的一侧的板状的母材(121)、以及在母材(121)内被配置于规定的晶格的晶格点且折射率与母材(121)的折射率不同的异折射率部(122)，在作为二维光子晶体(12)的至少一部分区域的电流注入区域(120)内，每个位置的能带端频率在与母材(121)平行的一个方向上单调地增加。这样的二维光子晶体(12)例如能够通过以下结构来实现：在异折射率部(122)具有比母材(121)的折射率小的折射率的情况下，在构成所述晶格的单位晶格(123)中异折射率部(122)所占的体积的比例即填充系数在所述一个方向上单调地增加。
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公开(公告)号：CN114287089B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202080060790.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 国立大学法人京都大学
Abstract: 二维光子晶体面发光激光器(10)具有活性层(11)、二维光子晶体(光子晶体层)(12)以及电极(第一电极(191)和第二电极(192))。二维光子晶体(12)具备配置在活性层(11)的一侧的板状的母材(121)、以及在母材(121)内被配置于规定的晶格的晶格点且折射率与母材(121)的折射率不同的异折射率部(122)，在作为二维光子晶体(12)的至少一部分区域的电流注入区域(120)内，每个位置的能带端频率在与母材(121)平行的一个方向上单调地增加。这样的二维光子晶体(12)例如能够通过以下结构来实现：在异折射率部(122)具有比母材(121)的折射率小的折射率的情况下，在构成所述晶格的单位晶格(123)中异折射率部(122)所占的体积的比例即填充系数在所述一个方向上单调地增加。
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公开(公告)号：CN116941147A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280016883.8
申请日：2022-02-24
Applicant: 国立大学法人京都大学
IPC: H01S5/18
Abstract: 二维光子晶体面发光激光器(10)具备：二维光子晶体层(12)，其是在板状的母材(121)中周期性地配置折射率与母材(121)的折射率不同的异折射率区域(122)而形成的；活性层(11)，其设置在二维光子晶体层(12)的一个面侧；以及反射层(15)，其以与二维光子晶体层(12)分离的方式设置在二维光子晶体层(12)的另一个面侧、或者设置在活性层(11)的与二维光子晶体层(12)相反的一侧，其中，二维光子晶体层(12)与反射层(15)的彼此相向的表面间的距离d被设定为使辐射系数差Δαv＝(αv1‑αv0)为1cm‑1以上，该辐射系数差Δαv是从被二维光子晶体层(12)放大的光中的损耗第二小的第一高阶模式的辐射系数αv1减去损耗最小的基本模式的辐射系数αv0所得到的值。
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公开(公告)号：CN116918200A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018249.8
申请日：2022-03-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01S5/11
Abstract: 一种光子晶体面发光激光器，其具备：发光区域，其向与面内方向交叉的方向射出光；以及电流狭窄区域，其在所述面内方向上与所述发光区域相邻，且与所述发光区域相比电流难以在所述电流狭窄区域中流动，所述发光区域以及所述电流狭窄区域具有光子晶体层，所述光子晶体层具有第一区域、以及在所述第一区域内沿所述面内方向周期性配置的第二区域，所述第二区域的折射率与所述第一区域的折射率不同，所述发光区域具有：第一半导体层，其具有第一导电型；有源层，其具有光学增益；以及第二半导体层，其具有第二导电型，所述第一半导体层、所述有源层以及所述第二半导体层在所述光的射出方向上依次层叠。
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