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公开(公告)号：CN106458631B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580032577.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 安达满纳米奇精密宝石有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有优异特性的氧化物介电体、及具备该氧化物介电体的固态电子装置(例如，电容器、半导体装置、或微电气机械系统)。本发明的由一个氧化物介电体构成的氧化物层(30)为含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)的层，并含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相、以及β－BiNbO4型晶体结构的第二晶体相。进一步，该氧化物层(30)在25℃以上120℃以下的温度范围内伴随氧化物层(30)的温度上升而相对介电常数降低的第一晶体相的含量、以及在该温度范围内伴随氧化物(30)的温度上升而相对介电常数上升的第二晶体相的含量被进行了调整。
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公开(公告)号：CN107004596A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083996.5
申请日：2014-12-24
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 安达满株式会社
IPC: H01L21/316 , C01G33/00 , H01L21/822 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/105
Abstract: 提供一种具有优良特性的氧化物介电体以及具备其该氧化物介电体的固体电子装置(例如，高频滤波器、贴片天线、电容、半导体装置或微机电系统)。本发明的一种包含氧化物介电体的氧化物层30包含具有烧绿石型结晶结构的结晶相且含铋(Bi)与铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)，且在其铋(Bi)原子数为1时，其铌(Nb)原子数为1.3以上1.7以下。
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公开(公告)号：CN106458631A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032577.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 安达满株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有优异特性的氧化物介电体、及具备该氧化物介电体的固态电子装置(例如，电容器、半导体装置、或微电气机械系统)。本发明的由一个氧化物介电体构成的氧化物层(30)为含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)的层，并含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相、以及β－BiNbO4型晶体结构的第二晶体相。进一步，该氧化物层(30)在25℃以上120℃以下的温度范围内伴随氧化物层(30)的温度上升而相对介电常数降低的第一晶体相的含量、以及在该温度范围内伴随氧化物(30)的温度上升而相对介电常数上升的第二晶体相的含量被进行了调整。
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公开(公告)号：CN113544317A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019417.6
申请日：2020-03-18
Applicant: 安达满纳米奇精密宝石有限公司
Abstract: 提供没有裂纹且具有大面积的含锂氧化物晶体和使用了该含锂氧化物晶体的电池、以及该含锂氧化物晶体的制造方法。含锂氧化物晶体的制造方法具有：熔融部形成工序，在该熔融部形成工序中，将含有氧的含锂氧化物晶体原料的至少一部分熔融而形成熔融部；以及生长工序，在该生长工序中，从熔融部生长形成含锂氧化物晶体，生长工序中的气氛的露点为‑70℃以上‑35℃以下的范围，含锂氧化物晶体没有裂纹且具有0.38cm2以上的截面积。
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