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公开(公告)号：CN103999207B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201280058844.0
申请日：2012-10-25
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/822 , H01L21/316 , H01L27/04
CPC classification number: H01G4/1254 , H01G4/1263 , H01G4/306 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/02288 , H01L21/76817 , H01L27/016 , H01L28/40 , H01L29/84
Abstract: 本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105027240A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480011233.X
申请日：2014-01-06
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01G4/33 , H01G4/12 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: C01G33/006 , C01P2002/36 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01B1/08 , H01G4/10 , H01G4/33 , H01L28/40
Abstract: 本发明之一的氧化物层(30)具备由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物层(可包含不可避免的杂质)。此外，氧化物层(30)具有烧绿石型结晶结构的结晶相。其结果，能够得到具备使用现有技术未曾得到的高介电常数的包括由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物的氧化物层(30)。
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公开(公告)号：CN104221154B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201380016026.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 本发明的一种薄膜晶体管(100)，在栅极(20)和沟道(44)之间具备作为包含镧和锆的氧化物(可包含不可避免的杂质；这一点对于氧化物均相同)的栅绝缘层(34)，沟道(44)是由包含铟和锌，并且包含将铟作为1时原子数比为0.015以上且0.075以下的锆(Zr)的第一氧化物；包含铟，并且包含将所述铟(In)作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的锆(Zr)的第二氧化物；或者包含铟，并且包含将所述铟作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的镧的第三氧化物，构成的沟道用氧化物。
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公开(公告)号：CN105027240B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201480011233.X
申请日：2014-01-06
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01G4/33 , H01G4/12 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: C01G33/006 , C01P2002/36 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01B1/08 , H01G4/10 , H01G4/33 , H01L28/40
Abstract: 本发明之一的氧化物层(30)具备由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物层(可包含不可避免的杂质)。此外，氧化物层(30)具有烧绿石型结晶结构的结晶相。其结果，能够得到具备使用现有技术未曾得到的高介电常数的包括由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物的氧化物层(30)。
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公开(公告)号：CN105103277B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480011857.1
申请日：2014-03-12
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/316 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G53/00 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02269 , H01L28/56 , H01L28/60 , H01L28/87 , H01L28/91 , H01L29/513
Abstract: 提供一种可压低漏电流并且平坦性优异的相对介电常数高的电介质层。本发明的电介质层(30a)包含层叠氧化物，所述层叠氧化物层叠第一氧化物层(31)和第二氧化物层(32)而成，其中所述第一氧化物层(31)通过由铋(Bi)和铌(Nb)形成的氧化物、或由铋(Bi)和锌(Zn)和铌(Nb)形成的氧化物(可包含不可避免的杂质)构成，所述第二氧化物层(32)由选自由镧(La)和钽(Ta)形成的氧化物、由镧(La)和锆(Zr)形成的氧化物、及由锶(Sr)和钽(Ta)形成的氧化物中的一种氧化物(可包含不可避免的杂质)构成。
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公开(公告)号：CN105103277A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480011857.1
申请日：2014-03-12
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/316 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G53/00 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02269 , H01L28/56 , H01L28/60 , H01L28/87 , H01L28/91 , H01L29/513
Abstract: 提供一种可压低漏电流并且平坦性优异的相对介电常数高的电介质层。本发明的电介质层(30a)包含层叠氧化物，所述层叠氧化物层叠第一氧化物层(31)和第二氧化物层(32)而成，其中所述第一氧化物层(31)通过由铋(Bi)和铌(Nb)形成的氧化物、或由铋(Bi)和锌(Zn)和铌(Nb)形成的氧化物(可包含不可避免的杂质)构成，所述第二氧化物层(32)由选自由镧(La)和钽(Ta)形成的氧化物、由镧(La)和锆(Zr)形成的氧化物、及由锶(Sr)和钽(Ta)形成的氧化物中的一种氧化物(可包含不可避免的杂质)构成。
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