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公开(公告)号：CN110036443B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201780073402.6
申请日：2017-07-18
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
Abstract: 一种神经元电路，包括：输入端子，尖峰信号被连续输入到该输入端子；第一开关元件，该第一开关元件具有联接至输入端子的第一端和联接至中间节点的第二端，在输入单个尖峰信号时仍保持在高电阻状态，而当在第一时段内输入多个尖峰信号时，进入相比高电阻状态具有低电阻值的低电阻状态；反馈电路，该反馈电路联接至中间节点，并且在第一开关元件进入低电阻状态时使输入端子处于预定电平；以及第二开关元件，该第二开关元件与第一开关元件串联连接在输入端子与中间节点之间，在一个或更多个尖峰信号被输入至输入端子时，仍保持在低电阻状态，而当输入端子变为处于预定电平时，进入高电阻状态。
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公开(公告)号：CN105706218A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480059398.4
申请日：2014-10-10
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/36 , H01L21/28255 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L29/16 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其包括在还原性气体气氛中，在700℃以上对具有1×1016cm-3以上的氧浓度的锗层(30)进行热处理的工序。或者一种半导体基板的制造方法，其包括在还原性气体气氛中，对具有1×1016cm-3以上的氧浓度的锗层(30)进行热处理以使所述氧浓度减小的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112238A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580059170.X
申请日：2015-11-02
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体器件，包括：沟道区域50，形成在锗层30中并具有第一导电类型；以及源极区域36和漏极区域38，形成在锗层中并具有不同于第一导电类型的第二导电类型，其中沟道区域中的氧浓度小于结界面52中的氧浓度，所述结界面在源极区域和漏极区域的至少一个与围绕源极区域和漏极区域的至少一个并具有第一导电类型的区域之间。
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公开(公告)号：CN110036443A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780073402.6
申请日：2017-07-18
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
Abstract: 一种神经元电路，包括：输入端子，尖峰信号被连续输入到该输入端子；第一开关元件，该第一开关元件具有联接至输入端子的第一端和联接至中间节点的第二端，在输入单个尖峰信号时仍保持在高电阻状态，而当在第一时段内输入多个尖峰信号时，进入相比高电阻状态具有低电阻值的低电阻状态；反馈电路，该反馈电路联接至中间节点，并且在第一开关元件进入低电阻状态时使输入端子处于预定电平；以及第二开关元件，该第二开关元件与第一开关元件串联连接在输入端子与中间节点之间，在一个或更多个尖峰信号被输入至输入端子时，仍保持在低电阻状态，而当输入端子变为处于预定电平时，进入高电阻状态。
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公开(公告)号：CN105706218B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480059398.4
申请日：2014-10-10
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其包括在还原性气体气氛中，在700℃以上对具有1×1016cm‑3以上的氧浓度的锗层(30)进行热处理的工序。或者一种半导体基板的制造方法，其包括在还原性气体气氛中，对具有1×1016cm‑3以上的氧浓度的锗层(30)进行热处理以使所述氧浓度减小的工序。
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公开(公告)号：CN114556113A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071479.1
申请日：2020-10-28
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
Abstract: 一种电流传感器，包括：元件，当在第一端子和第二端子之间流动的电流的绝对值在第一范围内时，所述元件处于高电阻状态，并且当所述电流的绝对值超过所述第一范围50时，所述元件变为电阻值比所述高电阻状态下的电阻值低的低电阻状态；以及电路，所述电路向所述元件提供待测电流，以及基于所述第一端子和/或所述第二端子的电压来感测所述待测电流的值。
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公开(公告)号：CN107112238B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201580059170.X
申请日：2015-11-02
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体器件，包括：沟道区域50，形成在锗层30中并具有第一导电类型；以及源极区域36和漏极区域38，形成在锗层中并具有不同于第一导电类型的第二导电类型，其中沟道区域中的氧浓度小于结界面52中的氧浓度，所述结界面在源极区域和漏极区域的至少一个与围绕源极区域和漏极区域的至少一个并具有第一导电类型的区域之间。
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