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公开(公告)号：CN119511164A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411711733.6
申请日：2024-11-27
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 西安交通大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/12 , G01R33/00 , G01C19/62 , G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种原子核自旋指向操控和进动信号测量的系统及其方法，系统包括射频产生器、射频放大器、单刀双掷开关、核磁共振线圈、信号处理模块、DAQ数据采集系统、上位机以及时间基准模块，时间基准模块分别与DAQ数据采集系统、信号处理模块以及射频产生器连接，射频产生器与射频放大器连接，射频放大器、核磁共振线圈以及信号处理模块均与单刀双掷开关连接，上位机与DAQ数据采集系统连接，DAQ数据采集系统与信号处理模块连接，DAQ数据采集系统分别输出TTL控制信号给信号处理模块、单刀双掷开关以及射频放大器；本发明的优点在于：实现核自旋指向360度范围的精准控制，且收发信号实现集成一体化。
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公开(公告)号：CN119511163A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411711732.1
申请日：2024-11-27
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 西安交通大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/12 , G01R33/00
Abstract: 本发明公开了一种基于超极化核自旋测量磁场的原子磁强计探头及探测方法，包括探头主体，探头主体一端部内开设有用于容纳碱金属气室的腔体，气室内部充有3He原子和碱金属，腔体的两侧壁分别开设有位置对应的泵浦光孔和探测孔，直角棱镜与泵浦光孔对应布置，光电探测器对应于探测孔布置，腔体的上下表面均设置有射频磁场双平面线圈；探头主体另一端部开设有加热光纤孔和泵浦光纤孔，泵浦激光光纤的一端插入泵浦光纤孔内，泵浦激光光纤的另一端连接泵浦激光器，加热激光光纤的一端插入加热光纤孔，加热激光光纤的另一端连接加热激光器；泵浦激光器出射的泵浦光经第一光路结构入射至直角棱镜，加热激光器出射的激光经第二光路结构入射至气室。
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公开(公告)号：CN119199236A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411711730.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于超极化核自旋磁场测量的量子电流传感系统及方法，系统包括核自旋量子磁场传感器和核自旋操控及进动信号板卡，所述核自旋量子磁场传感器包括原子磁强计探头和光源系统，所述原子磁强计探头中设置有碱金属气室，所述碱金属气室外围设置有信号拾取线圈，所述碱金属气室内部充有3He原子和碱金属原子；光源系统用于对所述碱金属气室加热以及超极化3He核自旋；核自旋操控及进动信号板卡用于产生可变长度的射频脉冲信号加载至信号拾取线圈中，以对核自旋进行空间角度偏移；以及通过信号拾取线圈拾取核自旋磁矩产生进动频率的磁场信号，用以计算待测强磁场；利用本系统可实现对高压输电线强电流的精确测量。
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公开(公告)号：CN119511165A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411711738.9
申请日：2024-11-27
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R33/032 , G01R33/12 , G01R33/00 , G01C19/62 , G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种用于电流测量的混合光泵浦超极化核自旋系统及方法，系统包括泵浦激光光路、加热激光光路和碱金属气室，气室附近安装有信号拾取线圈，气室内填充两种碱金属原子与核自旋气体原子3He，且两种碱金属原子的密度不同；加热激光光路用于出射激光对气室进行加热，泵浦激光光路用于出射泵浦激光至气室以利用两种碱金属之间的自旋交换碰撞超极化3He核自旋；信号拾取线圈用于激励3He核自旋偏离待测强磁场的方向，以及拾取与泵浦激光垂直方向的核自旋进动信号投影磁场；通过在气室内填充两种碱金属原子，提升气室内部碱金属原子的整体密度，使得核自旋可以被高密度的碱金属电子自旋进行超极化，最终提升核自旋的极化率。
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公开(公告)号：CN111504219B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010368586.2
申请日：2020-05-01
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: G01B11/16 , G01H9/00 , G01K11/3206 , G01K1/14
Abstract: 一种少模光纤光栅三参量复合传感器及其工作方法，包括第一基座及第二基座，第一基座及第二基座相对的一端分别设置有第一支撑梁及第二支撑梁，中间设置有弹簧梁；第二基座正中设置有L‑悬臂梁，L‑悬臂梁、第一支撑梁、第二支撑梁、第一基座及第二基座顶部正中开设有凹槽，光纤粘贴于凹槽正中位置，光纤悬空处分别刻有少模光纤光栅和光纤光栅；少模光纤与单模光纤形成F‑P腔，通过对F‑P腔和少模光纤光栅信号的联合解调，得到温度和应变信号；在测量振动时，L‑悬臂梁产生受迫振动，压缩或拉伸光纤光栅，通过对光纤光栅输出信号进行快速傅里叶变换，即可排除温度信号的干扰，得到振动信号。本发明具有结构简单、灵敏度及测量精度高及实用高效的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111504219A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010368586.2
申请日：2020-05-01
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
Abstract: 一种少模光纤光栅三参量复合传感器及其工作方法，包括第一基座及第二基座，第一基座及第二基座相对的一端分别设置有第一支撑梁及第二支撑梁，中间设置有弹簧梁；第二基座正中设置有L-悬臂梁，L-悬臂梁、第一支撑梁、第二支撑梁、第一基座及第二基座顶部正中开设有凹槽，光纤粘贴于凹槽正中位置，光纤悬空处分别刻有少模光纤光栅和光纤光栅；少模光纤与单模光纤形成F-P腔，通过对F-P腔和少模光纤光栅信号的联合解调，得到温度和应变信号；在测量振动时，L-悬臂梁产生受迫振动，压缩或拉伸光纤光栅，通过对光纤光栅输出信号进行快速傅里叶变换，即可排除温度信号的干扰，得到振动信号。本发明具有结构简单、灵敏度及测量精度高及实用高效的优点。
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公开(公告)号：CN108950703A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201811088786.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: D01D5/00 , B29C64/106 , B29C64/20 , B33Y10/00 , B33Y30/00
CPC classification number: D01D5/0061 , B29C64/106 , B29C64/20 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , D01D5/0092
Abstract: 本发明公开一种基于近场静电纺丝一步化工艺制备压电聚合物MEMS结构的装置及方法，该装置包含了注射系统、前驱液、直流高压电源、可编程三轴移动平台、A4打印纸等关键部件，结合了近场静电纺丝的在线压电极化作用及其对纤维沉积位置的精确控制能力。以压电聚合物材料配制前驱液，利用近场静电纺丝过程中的强电场作用与静电拉伸作用实现对纤维的在线压电极化；同时，以A4打印纸作为纤维收集器，通过可编程三维移动平台运动轨迹的重复，实现纤维的一致性重复堆叠，完成可控三维结构的“增材”制造。通过本发明可实现聚合物MEMS结构与压电功能化的一步化快速高效制造。
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公开(公告)号：CN116819407A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310806366.7
申请日：2023-07-03
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: G01R33/032 , G01R33/12 , A61B5/245
Abstract: 本发明公开了一种原子磁强计系统及双平面线圈磁场均匀性的测试方法，属于弱磁场传感器技术领域，原子磁强计系统包括泵浦激光器、探头和光纤耦合器，所述泵浦激光器、λ/2波片、光束取样器、起偏器处于共光轴状态；所述探头包括腔体，所述腔体中设置有碱金属原子气室和第一全反射镜和第二全反射镜，所述第一全反射镜和第二全反射镜分别设置在碱金属原子气室两侧；所述光纤耦合器通过光纤和第一透镜连接，第一透镜输出的光线依次经过λ/4波片和第一全反射镜；双平面补偿线圈包括分别设置在腔体上、下表面的上平面补偿线圈和下平面补偿线圈。本发明将双平面线圈作为剩磁补偿结构，大幅简化线圈的空间结构复杂度，有利于原子磁强计的芯片化。
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公开(公告)号：CN110398536B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910696430.4
申请日：2019-07-30
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: G01N29/02 , G01N29/036
Abstract: 本发明公开了一种多功能薄膜高灵敏度CMUTs气体传感器及其制备方法，本发明采用石墨烯、二硫化钼以及MXenes(二维过渡金属碳化物或氮化物)等同时具有高弹性模量、气体敏感性以及导电性的多功能材料作为CMUTs敏感元件，即单层悬空薄膜同时用作CMUTs振动薄膜、上电极以及敏感材料层，实现了振动薄膜、上电极以及敏感材料层等多层复合薄膜的一体化设计，可有效减小薄膜质量、提高单元一致性以及谐振频率，进而可实现CMUTs气体传感器检测极限及检测灵敏度等综合性能的大幅提高。
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公开(公告)号：CN110361445B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910696445.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: G01N29/02 , G01N29/036 , G01N27/12 , G01B11/00
Abstract: 本发明公开了一种多参数高选择性CMUTs气体传感器及其使用与制备方法，本发明采用SnO2、ZnO、Fe2O3、WO3等半导体金属氧化物，将其同时用作CMUTs上电极以及敏感识别材料，利用其吸附气体后同时引起薄膜质量及上电极电阻变化的特性，实现物理、化学性质相近或相似气体分子的高选择性敏感。薄膜质量的变化会引起CMUT谐振频率的变化；上电极电阻的变化会引起CMUT上下电极间交流电压幅值的变化，进而引起CMUT薄膜振动幅值的变化，通过谐振频率和薄膜振动位移幅值这两种输出参数的变化可实现气体分子的高选择性检测。此外，由于半导体氧化物敏感材料在温度调节下具有可重复使用性，因此本发明CMUT气体传感器除了具有高选择性外，还具有很好的重复性。
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