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公开(公告)号：CN105486985B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610024797.8
申请日：2016-01-14
Applicant: 国网山东省电力公司青岛供电公司 , 国家电网公司
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明公开了一种电网故障点定位方法及装置，其中该方法包括如下步骤：获取发生故障时故障线路的基准电压、流经保护装置的短路电流一次值和故障相数；根据基准电压和短路电流一次值，计算发生故障时短路容量S故障；判断S故障是否小于预设值；当S故障小于预设值时，根据故障相数，计算线路故障点短路阻抗；根据线路故障点短路阻抗获得故障点位置。本发明可快速定位故障点区间范围，帮助抢修人员快速锁定故障点范围，有效缩短中压电网故障查找时间，确保故障得到快速处置。
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公开(公告)号：CN105486985A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610024797.8
申请日：2016-01-14
Applicant: 国网山东省电力公司青岛供电公司 , 国家电网公司
IPC: G01R31/08
CPC classification number: Y04S10/522 , G01R31/088
Abstract: 本发明公开了一种电网故障点定位方法及装置，其中该方法包括如下步骤：获取发生故障时故障线路的基准电压、流经保护装置的短路电流一次值和故障相数；根据基准电压和短路电流一次值，计算发生故障时短路容量S故障；判断S故障是否小于预设值；当S故障小于预设值时，根据故障相数，计算线路故障点短路阻抗；根据线路故障点短路阻抗获得故障点位置。本发明可快速定位故障点区间范围，帮助抢修人员快速锁定故障点范围，有效缩短中压电网故障查找时间，确保故障得到快速处置。
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公开(公告)号：CN115097255A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210631347.0
申请日：2022-06-06
Applicant: 国网山东省电力公司青岛供电公司 , 青岛青铜器科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本公开涉及输电线路故障定位技术领域，提出了110kV及以下多分支线路故障精确定位方法及系统，通过对每一段导线进行逐段计算和逐段累加，可精准定位每一个分支的故障位置。依据线路主、支线的逐段参数为110kV及以下电网等级输配电线路的故障定位提供了模块化计算方法，可以根据线路模型精准定位于线路的某条线段上，并提供可视化的数据结果及拓扑模型，为电网运行方式调整和电网抢修工作提供辅助决策，极大提高恢复供电效率和用电可靠性。
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公开(公告)号：CN205255086U
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201521009739.5
申请日：2015-12-07
Applicant: 国网山东省电力公司青岛供电公司 , 国家电网公司
Abstract: 一种手动纸张裁切器，包括放置台，包括用于水平放置待裁切纸张的台面和设于所述台面下方、用于支撑所述台面的支撑结构，所述台面上成型有镂空的裁切口；裁切装置，包括活动连接于所述放置台上方的按压装置和安装于所述按压装置下方、与所述裁切口相对应的上裁切刀，所述上裁切刀具有与所述裁切口一致的外轮廓，所述按压装置受压力作用能够朝着靠近和远离所述台面的方向运动，借助于所述按压装置朝着靠近所述台面方向的运动，所述上裁切刀能够与所述裁切口的轮廓边缘形成以裁切纸张的剪切配合。本实用新型提供的手动纸张裁切器，结构简单、操作方便、省时省力，能够实现一次性完成裁切，无需反复测量、多次裁切。
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公开(公告)号：CN204044750U
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201420325613.8
申请日：2014-06-18
Applicant: 国网山东省电力公司青岛供电公司 , 国家电网公司
IPC: G06F3/02
Abstract: 本实用新型提供的一种数字键盘录入辅助器，五个栅格将数字键盘的每一列隔开，第一滑动部件和第二滑动部件使得四个按键手指可以沿着数字键盘的每一列滑动。由于四个手指分别被固定到四个按键手指上，在录入时便可轻松的实现手指的准确定位，并使得每个手指只操作数字键盘的一列，这便有效的避免了高速录入时由于定位错误造成按键错误的问题，使得录入时某些数字被漏录或错录的概率大大降低。本实用新型还可适用于刚学习数字键盘盲打录入的人员，有效的起到规范和辅助学习按键指法的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204691400U
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201520365483.5
申请日：2015-05-30
Applicant: 国网山东省电力公司青岛供电公司
Abstract: 本实用新型涉及一种移动防风工作栏，属于户外电力工作办公用品领域；由移动工作栏和防风装置两部分组成；其中：移动工作栏包括栏体、连接件、竖杆、底座、万向轮和连接孔；两根竖杆分别设置在栏体的左右两侧，栏体通过连接件固定在两根竖杆之间；竖杆的底部连接底座，底座的底部设置万向轮；底座的一侧设置连接孔；防风装置上面设置把手，侧面设置与连接孔对应的背扣，背扣的尺寸小于连接孔；背扣放置于连接孔中，使防风装置固定在移动工作栏上形成移动防风工作栏。所述工作栏有很好的抗风性，便于户外工作。
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公开(公告)号：CN107563740B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710964192.1
申请日：2017-10-17
Applicant: 北京博望华科科技有限公司 , 国家电网公司
Inventor： 李胜雨 , 田勇 , 张琼 , 战冬梅 , 高振光 , 张浩 , 崔正湃 , 杨威 , 王超 , 拓广忠 , 王宣元 , 邢劲 , 郭俊宏 , 韦仲康 , 曹丞阁 , 杨芮镔 , 陈亮 , 闫娟 , 宁卜 , 何新 , 薛晓强 , 李玲 , 牛逸宁 , 石建磊
IPC: G06Q20/14 , G06Q30/0201 , G06Q50/06 , G01R22/06
Abstract: 电力交易购电管理平台系统及表计数据采集方法。本发明中的电力交易购电管理平台系统，其包括购电管理平台、新平台结算系统以及数据采集与传输系统，购电管理平台包括业务应用模块、数据校验模块和数据采集模块，所述业务应用模块其包括计量点管理单元、电厂机组管理单元、结算公式管理单元、上网电量计算单元、电厂电量校验单元和电量发布单元；所述数据校验模块包括电量数据核算单元；所述数据采集模块包括统调电厂采集单元、新能源电厂采集单元、地方电厂采集单元和联络线采集单元；所述新平台结算系统中包括电量结算模块，所述新平台结算系统与所述购电管理平台之间能够进行相互通讯。所述系统实现了数据的全面覆盖、全面采集和自动远传，提高了可用性的同时促进公司管理能力提升。
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公开(公告)号：CN105047542B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510561169.9
申请日：2015-09-06
IPC: H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET功率器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型的碳化硅外延衬底；2)于所述外延衬底上制造第二导电类型的碳化硅阱区；3)于所述碳化硅阱区表面形成第一杂质区域；4)于所述第一杂质区域制备穿过所述第一杂质区域和所述碳化硅阱区延伸至所述外延层中的沟槽；5)于所述沟槽内表面形成初始栅极；6)氧化所述初始栅极形成栅极电介质层；7)于所述栅极电介质层上制作栅电极；8)于所述碳化硅阱区和第一杂质区域表面上形成第一接触；9)于所述碳化硅衬底的背面形成第二接触。本发明改善了碳化硅氧化形成栅极电介质时，于沟道区域界面处形成碳聚集的现象，提高了栅极电介质层质量。
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公开(公告)号：CN104810282B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201410037060.0
申请日：2014-01-26
IPC: H01L21/331 , H01L21/04
Abstract: 本发明涉及一种采用N型碳化硅衬底制作N沟道IGBT器件的方法，该方法首先在N型碳化硅衬底上外延生长碳化硅P+外延层、碳化硅N+缓冲层以及碳化硅N型漂移层，接着运用研磨方法或化学机械抛光等方法将N型碳化硅衬底去除，保留的部分用来制作IGBT的器件结构，之后在碳化硅N型漂移层中采用离子注入的方法形成P+基极阱区，在P+基极阱区中采用离子注入的方法形成N+发射极阱区，在器件上表面热氧化形成场氧层，淀积多晶硅或者金属形成栅极，并用氧化层隔离保护，最后淀积金属形成发射极接触和集电极，该方法避免了采用P型碳化硅衬底制作N沟道IGBT器件，减小了集电极电阻，提高了N沟道碳化硅IGBT器件的性能，且工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN108257859A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611238004.9
申请日：2016-12-28
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网江苏省电力公司
Abstract: 本发明提供了一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件，所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，在其外延层的上表面形成牺牲氧化层；对牺牲氧化层进行腐蚀，直至完全去除外延层上的牺牲氧化层；对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理，形成光滑的钝化表面；对碳化硅外延片依次进行高温干氧氧化和磷气氛下退火，在光滑的钝化表面上形成栅氧化层。与现有技术相比，本发明提供的一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件，能够减少SiC/SiO2界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷。
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