背照式InGaAs/InP高效光电转换光电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN119789540A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411861776.2

    申请日:2024-12-17

    Abstract: 背照式InGaAs/InP高效光电转换光电池及其制造方法,采用背照式芯片结构设计,光线从衬底背面进入,通过照明沟渠实现光的集中与均匀分布,增强光电响应;被光照扇形区域表面覆盖增透膜,减少反射损耗;窗口区采用与InGaAs晶格匹配的InP材料,降低光生载流子复合概率;P区和N区采用未掺杂材料,优化有源区厚度以提升光电转换效率;轻掺杂缓冲Ⅰ区和重掺杂缓冲Ⅱ区实现掺杂梯度过渡和载流子分离效率提升;电极设计优化,减少能量损耗,触点布局强化电连接;聚酰亚胺绝缘保护层提供电气隔离和机械强度;通过结构协同优化,显著提升光捕获、光电转化及载流子分离与收集效率,在弱光和高光强条件下均能实现卓越的光电转换效率。

    基于人工光源反射光谱图像的绝缘子污秽分级方法及系统

    公开(公告)号:CN119354974A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411473382.X

    申请日:2024-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于人工光源反射光谱图像的绝缘子污秽分级方法及系统,属于输电线路绝缘子污秽程度检测评估技术领域,所述方法包括:利用增加人工光源的多波段反射光谱信息采集设备获取夜间环境下已知污秽等级的绝缘子多波段反射光谱图像;重复上述步骤获取与不同污秽等级相对应的光谱信息,构建绝缘子污秽光谱反射率数据集,建立基于最邻近算法的绝缘子污秽等级判别模型;对于未知污秽等级的绝缘子,获取其表面多波段反射光谱反射率数据,利用所述绝缘子污秽等级判别模型进行污秽等级的判别。本发明利用最邻近算法的简单、高效优势,实现了准确的绝缘子表面污秽等级的判别,弥补了光谱成像技术在夜间条件下无法对绝缘子状态进行检测的缺陷。

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