横向半导体器件及制造方法

    公开(公告)号:CN118248739B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410669075.2

    申请日:2024-05-28

    Abstract: 本发明涉及半导体领域,提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极,以及位于漂移区一侧的浮空场板结构;浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板,级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连,第一级多晶硅场板与栅极相连,最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构,通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来,从而调制漂移区表面及内部的电场,使漂移区的电场峰值得到有效降低,击穿电压得到提高,同时衬底辅助耗尽效应得以减弱,漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展,降低了横向半导体器件的制造难度。

    一体化多源电能表标定装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116840769A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310819347.8

    申请日:2023-07-05

    Abstract: 本发明公开了一体化多源电能表标定装置,属于电能表检测装置领域。一体化多源电能表标定装置,包括检测箱,所述检测箱的内部设置有工作板,所述工作板的顶部放置有电能表本体,所述检测箱上设置有夹持电能表本体的夹持组件,所述检测箱的内壁安装有检定组件,所述检定组件的表面固定有导线,所述导线的端部固定有插接头;本发明通过夹持组件、插接头、安装组件和移动组件的相互配合,方便将待检测的电能表本体自动移动至检测区域,并进行连接安装,同时对电能表本体的两侧进行夹持限位,防止在检测的过程中发生位移,提高检测的精准度,使用方便快捷,有效节省工作人员的劳动强度,提高装置检测的工作效率。

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