公开(公告)号：CN1159764C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN00136496.0

申请日：2000-12-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 劳伦斯·A·克勒文格 ,  拉曼·迪瓦卡卢米 ,  许履尘 ,  李玉君

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/088 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种N沟道金属氧化物半导体(NMOS)驱动电路(及其制造方法)，它包括制作在衬底上并具有用低浓度N型注入方法制作的源和漏的增压栅叠层，以及耦合到增压栅叠层的NMOS驱动器，其中所述低浓度N型注入包括不大于每立方厘米1×1014掺杂剂离子。

公开(公告)号：CN1307365A

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN00136496.0

申请日：2000-12-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 劳伦斯·A·克勒文格 ,  拉曼·迪瓦卡卢米 ,  许履尘 ,  李玉君

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/088 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种N沟道金属氧化物半导体(NMOS)驱动电路(及其制造方法),它包括制作在衬底上并具有用低浓度N型注入方法制作的源和漏的增压栅叠层,以及耦合到增压栅叠层的N驱动器。