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公开(公告)号：CN101183664A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710180186.3
申请日：2007-10-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L29/66795
Abstract: 提供一种在半导体衬底上制造多个FinFET的方法，其中每个独立的FinFET的栅极宽度仅使用单次蚀刻工艺而不是两次或更多的蚀刻工艺定义。本发明的方法带来改善的栅极宽度控制和每个独立栅极的栅极宽度在衬底的整个表面上的较小变化。本发明的方法通过使用调整的侧壁影像转移(SIT)工艺实现上述目的，该工艺中，采用后来被栅导体代替的绝缘间隔件，且高密度的自底向上的氧化物填充用于从衬底隔离栅极。
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公开(公告)号：CN101005035A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710001368.X
申请日：2007-01-11
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李玉君 , K·T·小塞特尔迈尔 , J·本特纳
IPC: H01L21/335 , H01L29/772 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/30608 , H01L27/1203 , H01L29/045 , H01L29/66772 , H01L29/66818 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种各向异性湿蚀刻的器件制造方法及对应器件，具体地，提供了一种减小源极/漏极电容并且允许器件体接触的方法和场效应器件结构。制造Si基材料基底，其上表面和侧壁在一定程度上取向为与基底和支撑部件的选择晶面基本平行。用含氢氧化铵的各向异性溶液湿蚀刻基底。基底的侧壁变为刻面，在基底中形成具有减小的截面的片段。选择在减小的截面片段中的掺杂剂浓度足够高，以提供穿过基底的电连续。
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公开(公告)号：CN1836322A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480022969.3
申请日：2004-08-12
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 王耕 , 凯文·麦克斯塔 , 玛丽·E.·韦伯莱特 , 李玉君 , 杜里赛蒂·奇达姆巴奥
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/10876 , H01L21/26586 , H01L27/10864 , H01L29/1041 , H01L29/66537 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/945
Abstract: 本发明提供了一种形成深沟槽垂直晶体管的方法。形成具有在掺杂半导体基片上的侧壁的深沟槽。半导体基片包括在其表面上的反掺杂的漏极区和在所述侧壁旁边的沟道。漏极区具有顶层面和底层面。反掺杂的源极区形成所述基片上与沟道之下的侧壁并置。栅氧化层形成在沟槽侧壁上与栅导体并置。实施使漏极区的底层面之下的栅导体凹陷的步骤，随后，在源极区之下的沟道内以与反掺杂剂的垂直方向成角度θ+δ地实施倾斜离子注入，以及在源极区之下的沟道内以与掺杂剂的垂直方向成角度θ地实施倾斜离子注入。
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公开(公告)号：CN100375270C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200480022969.3
申请日：2004-08-12
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 王耕 , 凯文·麦克斯塔 , 玛丽·E.·韦伯莱特 , 李玉君 , 杜里赛蒂·奇达姆巴奥
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明提供了一种形成深沟槽垂直晶体管的方法。形成具有在掺杂半导体基片上的侧壁的深沟槽。半导体基片包括在其表面上的反掺杂的漏极区和在所述侧壁旁边的沟道。漏极区具有顶层面和底层面。反掺杂的源极区形成所述基片上与沟道之下的侧壁并置。栅氧化层形成在沟槽侧壁上与栅导体并置。实施使漏极区的底层面之下的栅导体凹陷的步骤，随后，在源极区之下的沟道内以与反掺杂剂的垂直方向成角度θ+δ地实施倾斜离子注入，以及在源极区之下的沟道内以与掺杂剂的垂直方向成角度θ地实施倾斜离子注入。
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公开(公告)号：CN1326217C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410094908.X
申请日：2004-11-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 约亨·C.·拜因特纳 , 杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥 , 李玉君 , 小肯尼思·T.·赛特勒梅耶
IPC: H01L21/335 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L29/66795
Abstract: 一种具有FinFET的集成电路的形成方法，包括形成亚光刻鳍片的方法，其中掩模限定包括一对鳍片从而宽度减小或后退达每侧上一个鳍片厚度的硅块，之后第二掩模形成在第一掩模周围，由此在除去第一掩模之后，开口留在第二掩模中，第二掩模具有一对鳍片之间分离距离的宽度。当穿过开口蚀刻硅时，鳍片由第二掩模保护，由此通过后退步骤限定了鳍片厚度。一种可选方法使用了相反极性的光刻，首先光刻地限定两个鳍片之间的中心蚀刻开口，然后通过后退步骤扩展开口宽度，由此采用耐蚀刻的栓塞填充的拓宽的开口限定该对鳍片的外部边缘，由此设置了鳍片宽度而不需要对准步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101183664B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200710180186.3
申请日：2007-10-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L29/66795
Abstract: 提供一种在半导体衬底上制造多个FinFET的方法，其中每个独立的FinFET的栅极宽度仅使用单次蚀刻工艺而不是两次或更多的蚀刻工艺定义。本发明的方法带来改善的栅极宽度控制和每个独立栅极的栅极宽度在衬底的整个表面上的较小变化。本发明的方法通过使用调整的侧壁影像转移(SIT)工艺实现上述目的，该工艺中，采用后来被栅导体代替的绝缘间隔件，且高密度的自底向上的氧化物填充用于从衬底隔离栅极。
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公开(公告)号：CN100524665C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710001507.9
申请日：2007-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： K·T·小塞特尔迈耶尔 , 李玉君 , J·本特纳
IPC: H01L21/336 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L29/045 , H01L29/66795 , H01L29/7853
Abstract: 本发明公开了一种用于形成非平面场效应器件的方法。该方法包括形成具有与硅鳍片结构的{111}晶面基本上平行的上表面的硅基材料的鳍片结构，以及用包括氢氧化铵(NH4OH)的溶液蚀刻所述硅鳍片结构。在这种方法中，由于各种硅基材料晶面的氢氧化铵中的不同蚀刻率，鳍片结构上的拐角被削去，并且在鳍片结构的水平和垂直平面之间的角度增加。之后，制造完成具有削去的或倒角的拐角的FinFET器件。在典型实施例中，FinFET器件是绝缘体上硅(SOI)器件。
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公开(公告)号：CN100524653C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710001368.X
申请日：2007-01-11
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李玉君 , K·T·小塞特尔迈尔 , J·本特纳
IPC: H01L21/335 , H01L29/772 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/30608 , H01L27/1203 , H01L29/045 , H01L29/66772 , H01L29/66818 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种各向异性湿蚀刻的器件制造方法及对应器件，具体地，提供了一种减小源极/漏极电容并且允许器件体接触的方法和场效应器件结构。制造Si基材料基底，其上表面和侧壁在一定程度上取向为与基底和支撑部件的选择晶面基本平行。用含氢氧化铵的各向异性溶液湿蚀刻基底。基底的侧壁变为刻面，在基底中形成具有减小的截面的片段。选择在减小的截面片段中的掺杂剂浓度足够高，以提供穿过基底的电连续。
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公开(公告)号：CN1307365A
公开(公告)日：2001-08-08
申请号：CN00136496.0
申请日：2000-12-27
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 劳伦斯·A·克勒文格 , 拉曼·迪瓦卡卢米 , 许履尘 , 李玉君
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/2251 , H01L21/76895 , H01L27/088 , Y10S438/969
Abstract: 一种N沟道金属氧化物半导体(NMOS)驱动电路(及其制造方法),它包括制作在衬底上并具有用低浓度N型注入方法制作的源和漏的增压栅叠层,以及耦合到增压栅叠层的N驱动器。
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公开(公告)号：CN101005038A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710001507.9
申请日：2007-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： K·T·小塞特尔迈耶尔 , 李玉君 , J·本特纳
IPC: H01L21/336 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L29/045 , H01L29/66795 , H01L29/7853
Abstract: 本发明公开了一种用于形成非平面场效应器件的方法。该方法包括形成具有与硅鳍片结构的{111}晶面基本上平行的上表面的硅基材料的鳍片结构，以及用包括氢氧化铵(NH4OH)的溶液蚀刻所述硅鳍片结构。在这种方法中，由于各种硅基材料晶面的氢氧化铵中的不同蚀刻率，鳍片结构上的拐角被削去，并且在鳍片结构的水平和垂直平面之间的角度增加。之后，制造完成具有削去的或倒角的拐角的FinFET器件。在典型实施例中，FinFET器件是绝缘体上硅(SOI)器件。
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