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公开(公告)号：CN1285618A
公开(公告)日：2001-02-28
申请号：CN99126768.0
申请日：1999-12-16
IPC: H01L21/76 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10861
Abstract: 制作自对准于深存储沟槽的掩埋条的工艺。在被填充的深沟槽电容器和衬底上的凹槽壁上制作隔板。在隔板之间的区域中制作栓塞。在隔板、栓塞及其周围的材料上淀积光刻胶。对光刻胶进行图形化,从而暴露部分栓塞、隔板和周围的材料。没有被光刻胶覆盖的周围的材料中的隔板被选择性地腐蚀。清除隔板暴露的衬底和被填充的深沟槽部分,被选择性地腐蚀。在由腐蚀隔板、周围的材料、衬底和被填充的深沟槽而产生的空间中形成隔离区。
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公开(公告)号：CN100459119C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN02829978.7
申请日：2002-12-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 杰克·曼德尔曼 , 史蒂文·H·沃尔德曼
CPC classification number: H01L29/7841 , H01L27/0255 , H01L27/1203 , H01L29/7391 , H01L29/785 , H01L29/78684 , H01L2029/7857
Abstract: 一种基于FINFET技术的ESD LUBISTOR结构使用垂直鳍(50)(包含器件的源极、漏极和本体的薄垂直构件)，可选的具有和不具有栅极(60)。栅极(60)可以连接于被保护的外部电极(51)来制作自激励器件且可以连接于参考电压(92)。该器件可以用在数字或模拟电路中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101300677A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680040879.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电可编程熔丝(eFuse)包括(1)衬底的绝缘氧化物层上方的半导体层；(2)在所述半导体层中形成的二极管；和(3)在所述二极管上形成的硅化物层。所述二极管包括N+、p－、P+或P+、n－、N+结构。
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公开(公告)号：CN1557023A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02818541.2
申请日：2002-09-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/76 , H01L29/94 , H01L31/062 , H01L31/113 , H01L31/119
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/78618
Abstract: 本发明涉及一种包覆栅晶体管，其包括具有上表面和彼此相对的第一和第二侧表面的衬底。在衬底中形成源和漏区(28)，其间具有沟道区。沟道区从衬底的第一侧表面延伸到第二侧表面。在衬底上形成栅介电层(40)。在栅介电层(40)上形成栅电极(42)以自上表面和第一和第二侧表面覆盖沟道区，其间具有栅介质(40)。衬底是在SOI(绝缘体上硅)衬底或任一常规非SOI衬底的绝缘层上形成的硅岛(12)，并具有包括第一和第二侧表面的四个侧表面。在邻接与第一和第二侧表面垂直的第三和第四侧表面的衬底部分上形成源和漏区(28)。该包覆栅结构提供了在沟道区内更好和更快的电势控制，其导致陡峭的亚阈值斜度和对“体到源”电压的低灵敏度。
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公开(公告)号：CN101300677B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680040879.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电可编程熔丝(eFuse)包括(1)衬底的绝缘氧化物层上方的半导体层；(2)在所述半导体层中形成的二极管；和(3)在所述二极管上形成的硅化物层。所述二极管包括N+、p-、P+或P+、n-、N+结构。
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公开(公告)号：CN1695245A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02829978.7
申请日：2002-12-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 杰克·曼德尔曼 , 史蒂文·H·沃尔德曼
CPC classification number: H01L29/7841 , H01L27/0255 , H01L27/1203 , H01L29/7391 , H01L29/785 , H01L29/78684 , H01L2029/7857
Abstract: 一种基于FINFET技术的ESD LUBISTOR结构使用垂直鳍(50)(包含器件的源极、漏极和本体的薄垂直构件)，可选的具有和不具有栅极(60)。栅极(60)可以连接于被保护的外部电极(51)来制作自激励器件且可以连接于参考电压(92)。该器件可以用在数字或模拟电路中。
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公开(公告)号：CN1152423C
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN99126768.0
申请日：1999-12-16
IPC: H01L21/76 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10861
Abstract: 制作自对准于深存储沟槽的掩埋条的工艺。在被填充的深沟槽电容器和衬底上的凹槽壁上制作隔板。在隔板之间的区域中制作栓塞。在隔板、栓塞及其周围的材料上淀积光刻胶。对光刻胶进行图形化，从而暴露部分栓塞、隔板和周围的材料。没有被光刻胶覆盖的周围的材料中的隔板被选择性地腐蚀。清除隔板暴露的衬底和被填充的深沟槽部分，被选择性地腐蚀。在由腐蚀隔板、周围的材料、衬底和被填充的深沟槽而产生的空间中形成隔离区。
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