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公开(公告)号：CN101400931B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780008935.2
申请日：2007-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: F16K31/02
CPC classification number: F15C1/06 , F04B43/043 , F15C5/00 , F16K99/0001 , F16K99/0015 , F16K99/0051 , F16K2099/0074 , F16K2099/0094 , Y10T29/49236 , Y10T29/49412 , Y10T137/2224
Abstract: 本发明涉及微型阀(257)和微型泵(400)以及制造微型阀(257)和微型泵(400)的方法。微型阀(257)和微型泵(400)包括由导电纳米纤维制成的导电隔膜(155)。通过在导电隔膜(155)上施加静电力来实现流体经微型阀(257)的流动和微型泵(400)的泵送作用。
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公开(公告)号：CN100580933C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610143832.4
申请日：2006-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： D·V·霍拉克 , S·J·霍姆斯 , C·W·科布格尔三世 , 古川俊治 , M·C·哈吉
IPC: H01L27/115 , H01L27/12 , H01L27/02 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0512
Abstract: 结构以及操作该结构的方法。所述结构包括(a)衬底；(b)在所述衬底上的第一电极区和第二电极区；以及(c)在所述第一和第二电极区之间设置的第三电极区。响应于在所述第一和第三电极区之间施加的第一写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于随后在所述第一和第三电极区之间施加的预定读电压电势，读出电流在所述第一和第三电极区之间流动。另外，响应于在所述第二和第三电极区之间施加的第二写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于在所述第一和第三电极区之间施加的所述预定读电压电势，所述读出电流不在所述第一和第三电极区之间流动。
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公开(公告)号：CN100524712C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200680001918.1
申请日：2006-01-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 古川俊治 , 马克·C.·哈克 , 史蒂文·J.·福尔摩斯 , 大卫·V.·霍拉克 , 查尔斯·W.·考伯格三世
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/76816 , H01L21/7682 , H01L21/76837 , H01L21/76852 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76874 , H01L23/5283 , H01L23/53209 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 使用形成结构(心轴)的图案并且激活该结构的侧壁的方法形成导电侧壁间隔物结构。金属离子被附着于该结构的侧壁上并且该金属离子被还原以形成种子材料。该结构接着被修整并且种子材料被敷镀以在该结构的侧壁上形成布线。
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公开(公告)号：CN100524664C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610143931.2
申请日：2006-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 戴维·V.·霍拉克 , 马克·C.·哈克 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯 , 古川俊治 , 查尔斯·W.·克伯格三世 , 威廉·罗伯特·汤迪
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/28052 , H01L21/28061 , H01L21/28114
Abstract: 本发明提供一种结构及其形成方法。该结构包括(a)包括在第一和第二S/D区之间设置的沟道区的半导体层；(b)在沟道区上的栅极电介质区；(c)在栅极电介质区上并通过栅极电介质区与沟道区电绝缘的栅极区；和(d)在栅极区上的保护伞状区，其中保护伞状区包括第一电介质材料，并且其中栅极区完全处于保护伞状区的阴影区之中；和(e)填充的接触孔，它(i)在第二S/D区正上方并与其电连接，并且(ii)与保护伞状区的边缘对准，其中接触孔通过层间电介质(ILD)层与栅极区物理隔离，该ILD层包括与第一电介质材料不同的第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN100468751C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610144668.9
申请日：2006-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 查尔斯·W.·克伯格三世 , 古川俊治 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯 , 戴维·V.·霍拉克
IPC: H01L27/14 , H01L21/822
CPC classification number: H01L31/101 , H01L27/14647 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光学传感器及其形成方法。这种光学传感器结构包括：(a)半导体衬底；(b)第一、第二、第三、第四、第五和第六电极，以及(c)第一、第二和第三半导电区。第一和第四电极在第一深度处。第二和第五电极在第二深度处。第三和第六电极在第三深度处。第一深度大于第二深度，第二深度大于第三深度。第一、第二和第三半导电区分别设置在第一与第四电极、第二与第五电极、以及第三与第六电极之间并与之接触。第一、第二和第三半导电区彼此接触。
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公开(公告)号：CN101097405A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710101823.3
申请日：2007-04-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 戴维·V.·霍拉克 , 查尔斯·W.克伯格三世 , 古川俊治 , 彼德·H·米切尔 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯 , 马克·C.·哈克
CPC classification number: G03B27/42 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70916
Abstract: 本发明涉及浸没式光刻曝光系统及探测其中异物的方法。具体地，本发明的实施方式提出了用于在浸没式光刻曝光机中探测颗粒或气泡的照明光的系统和方法等。更具体地，这里的实施方式提供了浸没式光刻曝光系统，其包括：用于保持晶片的晶片保持器、用于覆盖该晶片的浸液、分配和封锁所述浸液的浸头以及对该晶片上的抗蚀剂进行光刻曝光的光源。该系统还包括在浸头的第一位置的光探测器和在所述浸头中的第二位置的激光光源。
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公开(公告)号：CN1976047A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610144668.9
申请日：2006-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 查尔斯·W.·克伯格三世 , 古川俊治 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯 , 戴维·V.·霍拉克
IPC: H01L27/14 , H01L21/822
CPC classification number: H01L31/101 , H01L27/14647 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光学传感器及其形成方法。这种光学传感器结构包括：(a)半导体衬底；(b)第一、第二、第三、第四、第五和第六电极，以及(c)第一、第二和第三半导电区。第一和第四电极在第一深度处。第二和第五电极在第二深度处。第三和第六电极在第三深度处。第一深度大于第二深度，第二深度大于第三深度。第一、第二和第三半导电区分别设置在第一与第四电极、第二与第五电极、以及第三与第六电极之间并与之接触。第一、第二和第三半导电区彼此接触。
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公开(公告)号：CN1976040A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610143832.4
申请日：2006-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： D·V·霍拉克 , S·J·霍姆斯 , C·W·科布格尔三世 , 古川俊治 , M·C·哈吉
IPC: H01L27/115 , H01L27/12 , H01L27/02 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0512
Abstract: 结构以及操作该结构的方法。所述结构包括(a)衬底；(b)在所述衬底上的第一电极区和第二电极区；以及(c)在所述第一和第二电极区之间设置的第三电极区。响应于在所述第一和第三电极区之间施加的第一写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于随后在所述第一和第三电极区之间施加的预定读电压电势，读出电流在所述第一和第三电极区之间流动。另外，响应于在所述第二和第三电极区之间施加的第二写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于在所述第一和第三电极区之间施加的所述预定读电压电势，所述读出电流不在所述第一和第三电极区之间流动。
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公开(公告)号：CN1897286A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610105601.4
申请日：2006-07-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种用于制造混合衬底的外延压印工艺，所述混合衬底包括底部半导体层；存在于所述底部半导体层顶部上的连续埋入绝缘层；以及存在于所述连续埋入绝缘层上的顶部半导体层，其中所述顶部半导体层包括具有不同晶体取向的分开的平面半导体区域，所述分开的平面半导体区域彼此隔离。本发明的外延压印工艺利用了外延生长、晶片结合和再结晶退火。
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公开(公告)号：CN1776531A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510083062.4
申请日：2005-07-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 史蒂文·J·霍尔默斯 , 马克·C·黑基 , 古川俊治 , 戴维·V·霍勒克
IPC: G03F7/42 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70925
Abstract: 一种方法和设备，用于减少和防止残留物的形成，并移去在湿浸式光刻工具中形成的残留物。该设备包括在湿浸式光刻系统的湿浸头内引入清洗机制，或包括在湿浸式光刻系统的清洗台中引入清洗机制。
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