公开(公告)号：CN100466267C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200610105601.4

申请日：2006-07-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·拉登斯 ,  理查德·Q·威廉斯 ,  古川俊治 ,  威廉·汤蒂

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明提供了一种用于制造混合衬底的外延压印工艺，所述混合衬底包括底部半导体层；存在于所述底部半导体层顶部上的连续埋入绝缘层；以及存在于所述连续埋入绝缘层上的顶部半导体层，其中所述顶部半导体层包括具有不同晶体取向的分开的平面半导体区域，所述分开的平面半导体区域彼此隔离。本发明的外延压印工艺利用了外延生长、晶片结合和再结晶退火。

公开(公告)号：CN1897286A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610105601.4

申请日：2006-07-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·拉登斯 ,  理查德·Q·威廉斯 ,  古川俊治 ,  威廉·汤蒂

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明提供了一种用于制造混合衬底的外延压印工艺，所述混合衬底包括底部半导体层；存在于所述底部半导体层顶部上的连续埋入绝缘层；以及存在于所述连续埋入绝缘层上的顶部半导体层，其中所述顶部半导体层包括具有不同晶体取向的分开的平面半导体区域，所述分开的平面半导体区域彼此隔离。本发明的外延压印工艺利用了外延生长、晶片结合和再结晶退火。