公开(公告)号：CN100531500C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN02825769.3

申请日：2002-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 桑托斯·F·阿尔瓦拉多 ,  蒂尔曼·A·贝耶尔莱恩 ,  布莱恩·克龙 ,  尤特·德雷克斯勒 ,  罗兰·W·杰曼 ,  西格弗里德·F·卡格 ,  彼得·米勒 ,  黑克·赖尔 ,  沃尔特·里斯 ,  比特·鲁斯塔勒 ,  保罗·塞德勒 ,  罗兰·W·威德默

IPC: H05B33/22 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明公开了一种电子器件和光电器件的电极结构。这种器件包括：实质上具有导电层(204)的第一电极，形成在该导电层之上非金属层(206)，形成在该非金属层之上碳氟化合物层(208)，形成在所述结构上的结构(210)。所述电极还可以包括在导电层和非金属层之间的缓冲层(205)。

公开(公告)号：CN1871876A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN02825769.3

申请日：2002-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 桑托斯·F·阿尔瓦拉多 ,  蒂尔曼·A·贝耶尔莱恩 ,  布莱恩·克龙 ,  尤特·德雷克斯勒 ,  罗兰·W·杰曼 ,  西格弗里德·F·卡格 ,  彼得·米勒 ,  黑克·赖尔 ,  沃尔特·里斯 ,  比特·鲁斯塔勒 ,  保罗·塞德勒 ,  罗兰·W·威德默

IPC: H05B33/22 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明公开了一种电子器件和光电器件的电极结构。这种器件包括：实质上具有导电层(204)的第一电极，形成在该导电层之上非金属层(206)，形成在该非金属层之上碳氟化合物层(208)，形成在所述结构上的结构(210)。所述电极还可以包括在导电层和非金属层之间的缓冲层(205)。