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公开(公告)号：CN1725521B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200510082114.6
申请日：2005-06-29
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 沃尔特·里斯 , 海克·里尔 , 西格弗里德·F·卡格
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L51/5253 , H01L51/5259 , H01L51/5262
Abstract: 本发明涉及光电子器件及其制造方法。光电子器件包括用于发光的光电子部件(12，14，16)、光发射表面(22)及光发射表面(22)上的盖层(18)。盖层(18)包括具有第一折射系数的第一材料及具有第二折射系数的第二材料的混合物。
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公开(公告)号：CN101237024A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710186766.3
申请日：2007-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 格哈德·I·梅杰 , 阿莱詹德罗·G·施罗特 , 西格弗里德·F·卡格 , 埃里克·A·约瑟夫 , 林仲汉 , 约翰尼斯·G·贝德诺兹
Abstract: 本发明涉及一种存储单元，包括：电阻性结构；至少两个耦接至所述电阻性结构的电极；以及至少一个蓄氢结构，其中向所述至少两个电极之一施加电信号使得所述电阻性结构的电阻通过改变该电阻性结构中的氢离子浓度而被改变。
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公开(公告)号：CN101207179B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710153743.2
申请日：2007-09-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 西格弗里德·F·卡格 , 格哈德·I·梅杰 , 约翰尼斯·G·贝德诺尔兹
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0002 , H01L45/14 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1641 , Y10T29/49 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及一种存储器单元(10)，包括：电阻结构(1)，和连接至电阻结构(1)的至少两个电极(2)，其中：电阻结构(1)包括氢，和电阻结构(1)包括显示出至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料。
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公开(公告)号：CN1574214A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410032810.1
申请日：2004-04-12
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 西格弗里德·F·卡格 , 赫克·E·瑞尔 , 沃尔特·H·雷斯
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L33/00 , H01L51/40 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0004 , H01L51/0541 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种用于制造具有由沉积材料在表面上形成的图案的电子器件的方法。并且，本发明涉及一种制造场效应晶体管、特别是用于RGB显示器的高分辨率图案化的方法。用于制造有机电子器件的该方法包括如下步骤：对沉积材料加热和加压以形成熔体，并且采用相变印刷或喷涂技术在表面上沉积该熔化的沉积材料。该熔化的沉积材料在表面上凝固。
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公开(公告)号：CN1871876A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02825769.3
申请日：2002-11-26
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 桑托斯·F·阿尔瓦拉多 , 蒂尔曼·A·贝耶尔莱恩 , 布莱恩·克龙 , 尤特·德雷克斯勒 , 罗兰·W·杰曼 , 西格弗里德·F·卡格 , 彼得·米勒 , 黑克·赖尔 , 沃尔特·里斯 , 比特·鲁斯塔勒 , 保罗·塞德勒 , 罗兰·W·威德默
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5218 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明公开了一种电子器件和光电器件的电极结构。这种器件包括：实质上具有导电层(204)的第一电极，形成在该导电层之上非金属层(206)，形成在该非金属层之上碳氟化合物层(208)，形成在所述结构上的结构(210)。所述电极还可以包括在导电层和非金属层之间的缓冲层(205)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1738069A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510077099.6
申请日：2005-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 托马斯·布伦施维勒 , 西格弗里德·F·卡格 , 弗尔特·里斯
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0003 , H01L51/0051 , H01L51/0062 , H01L51/0086 , H01L51/5092 , H01L51/56 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明涉及一种用于制造电子器件的方法，例如像其电极具有增强注入特性的有机发光二极管(OLED)。根据本发明的方法包括以下步骤：提供电极，在该电极上淀积分子电荷转移材料的第一层，以及使分子电荷转移材料交联。利用根据本发明的方法，能制造具有较高发光效率、较低工作电压和较长寿命的OLED。本发明还涉及一种其电极具有增强注入特性的电子器件。
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公开(公告)号：CN100580970C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710186766.3
申请日：2007-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 格哈德·I·梅杰 , 阿莱詹德罗·G·施罗特 , 西格弗里德·F·卡格 , 埃里克·A·约瑟夫 , 林仲汉 , 约翰尼斯·G·贝德诺兹
Abstract: 本发明涉及一种存储单元，包括：电阻性结构；至少两个耦接至所述电阻性结构的电极；以及至少一个蓄氢结构，其中向所述至少两个电极之一施加电信号使得所述电阻性结构的电阻通过改变该电阻性结构中的氢离子浓度而被改变。
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公开(公告)号：CN100531500C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN02825769.3
申请日：2002-11-26
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 桑托斯·F·阿尔瓦拉多 , 蒂尔曼·A·贝耶尔莱恩 , 布莱恩·克龙 , 尤特·德雷克斯勒 , 罗兰·W·杰曼 , 西格弗里德·F·卡格 , 彼得·米勒 , 黑克·赖尔 , 沃尔特·里斯 , 比特·鲁斯塔勒 , 保罗·塞德勒 , 罗兰·W·威德默
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5218 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明公开了一种电子器件和光电器件的电极结构。这种器件包括：实质上具有导电层(204)的第一电极，形成在该导电层之上非金属层(206)，形成在该非金属层之上碳氟化合物层(208)，形成在所述结构上的结构(210)。所述电极还可以包括在导电层和非金属层之间的缓冲层(205)。
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公开(公告)号：CN101207179A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710153743.2
申请日：2007-09-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 西格弗里德·F·卡格 , 格哈德·I·梅杰 , 约翰尼斯·G·贝德诺尔兹
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0002 , H01L45/14 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1641 , Y10T29/49 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及一种存储器单元(10)，包括：电阻结构(1)，和连接至电阻结构(1)的至少两个电极(2)，其中：电阻结构(1)包括氢，和电阻结构(1)包括显示出至少10－8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料。
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公开(公告)号：CN100568532C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710152889.5
申请日：2007-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 格哈德·I·梅杰 , 西格弗里德·F·卡格
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L27/112 , H01L21/8246
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1206 , H01L45/1266 , H01L45/147
Abstract: 本发明涉及一种存储单元，包括：至少源电极(MS)，形成在基板上(6)；至少漏电极(MD)，形成在该基板上(6)；至少耦合层(1)，形成在该源电极(MS)和该漏电极(MD)之间，和至少栅电极(MG)，形成在基板上，其中：该耦合层(1)包括过渡金属氧化物，表现出填充受控的金属绝缘体转换特性；该栅电极(MG)包括氧离子导体层(2)，和相对于该耦合层(1)布置该栅电极(MG)使得对该栅电极(MG)使用电信号引起该耦合层(1)中氧空位(3)浓度的改变。本发明还涉及一种存储单元的制造方法。
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