公开(公告)号：CN101253573A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031533.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·J·弗雷德曼 ,  桐畑外志昭 ,  A·J·莱斯利 ,  J·M·萨夫兰

IPC: G11C17/00 ,  G11C7/02 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C29/027

Abstract: 一次可编程只读存储器(OTPROM)在极小硅化物可迁移的电可编程熔丝的二维阵列中实现。当位线驱动在Vdd和用于编程的更高电压Vp之间切换时，通过在Vdd下操作的译码逻辑(140)来执行字线(WL)选择。这样，该OTPROM在不增加成本的情况下可与其他技术兼容并且可与其他技术集成，并且支持为了在熔丝编程期间的最小电压降而对大电流部分进行优化。具有可编程参考点(130)的差分检测放大器(120)，被用来改进检测裕度，并且能够支持整个位线，而不是针对单个熔丝提供检测放大器(120)。

公开(公告)号：CN101253573B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200680031533.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·J·弗雷德曼 ,  桐畑外志昭 ,  A·J·莱斯利 ,  J·M·萨夫兰

IPC: G11C17/00 ,  G11C7/02 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C29/027

Abstract: 一次可编程只读存储器(OTPROM)在极小硅化物可迁移的电可编程熔丝的二维阵列中实现。当位线驱动在Vdd和用于编程的更高电压Vp之间切换时，通过在Vdd下操作的译码逻辑(140)来执行字线(WL)选择。这样，该OTPROM在不增加成本的情况下可与其他技术兼容并且可与其他技术集成，并且支持为了在熔丝编程期间的最小电压降而对大电流部分进行优化。具有可编程参考点(130)的差分检测放大器(120)，被用来改进检测裕度，并且能够支持整个位线，而不是针对单个熔丝提供检测放大器(120)。