公开(公告)号：CN104303276A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380025170.9

申请日：2013-03-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·常 ,  M·A·吉罗恩 ,  B·普兰萨蒂哈兰 ,  J·W·斯莱特

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76202 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1108

Abstract: 本发明的实施例提供了一种防止相邻半导体器件的电气短路的方法。所述方法包括：在基板(109)上形成多个场效应晶体管的多个鳍(101-104)；在所述多个鳍中的第一(102)和第二(103)鳍之间形成至少一个阻挡结构(162)；以及从所述多个鳍生长外延膜(181-188)，所述外延膜从至少所述第一和第二鳍的侧壁水平地延伸，并且抵达位于所述第一和第二鳍之间的阻挡结构。