公开(公告)号：CN102971854B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201180033615.9

申请日：2011-06-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S-J·韩 ,  林崇勳 ,  郭德超 ,  J·常

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0048

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成碳材料；在碳材料上形成栅极叠层；去除衬底的一部分以形成至少一个腔，所述腔通过碳材料的一部分和所述衬底限定；以及在至少一个腔内形成导电接触。

公开(公告)号：CN102640271B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201080054985.6

申请日：2010-10-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·斯莱特 ,  S·邦萨伦蒂普 ,  G·科亨 ,  J·常

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/775

CPC classification number: H01L29/66772 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，该方法包括在半导体衬底(100)之上形成悬挂的纳米线(110)；形成环绕纳米线的一部分的栅极结构；形成与栅极的侧壁相邻并且环绕纳米线的从栅极延伸的部分的保护性间隔物(604)；移除纳米线的未受间隔物结构保护的露出部分；以及在纳米线的露出截面上外延生长掺杂的半导体材料(902)以形成源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：CN102640271A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080054985.6

申请日：2010-10-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·斯莱特 ,  S·邦萨伦蒂普 ,  G·科亨 ,  J·常

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/775

CPC classification number: H01L29/66772 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，该方法包括在半导体衬底(100)之上形成悬挂的纳米线(110)；形成环绕纳米线的一部分的栅极结构；形成与栅极的侧壁相邻并且环绕纳米线的从栅极延伸的部分的保护性间隔物(604)；移除纳米线的未受间隔物结构保护的露出部分；以及在纳米线的露出截面上外延生长掺杂的半导体材料(902)以形成源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：CN102640290A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080054255.6

申请日：2010-11-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·常 ,  M·吉隆 ,  C·拉沃伊 ,  C·小卡布里奥 ,  A·格里 ,  E·奥沙利文

IPC: H01L29/775 ,  H01L29/16 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明公开一种场效应晶体管，其包括：金属碳化物源极部分；金属碳化物漏极部分；绝缘碳部分，将金属碳化物源极部分与金属碳化物漏极部分隔开；纳米结构，形成于绝缘碳部分之上，并且将金属碳化物源极部分连接至金属碳化物漏极部分；以及栅极层叠，形成于绝缘碳部分的至少一部分和纳米结构的至少一部分之上。

公开(公告)号：CN102498569A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080041318.4

申请日：2010-08-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·斯莱特 ,  J·常 ,  L·常 ,  C-H·林

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种双电介质三栅极场效晶体管、双电介质三栅极场效晶体管的制造方法以及操作双电介质三栅极场效晶体管的方法。在一个实施例中，双电介质三栅极晶体管包括衬底、衬底上的绝缘层以及至少一个半导体鳍。第一电介质具有第一介电常数并且在该鳍的侧壁之上延伸，并且金属层在该第一电介质之上延伸。第二电介质具有第二介电常数并且位于该鳍的顶部表面上。栅极电极在鳍与第一和第二电介质之上延伸。栅极电极与第一电介质层形成具有阈值电压Vt1的第一和第二栅极，并且栅极电极与第二电介质层形成具有与Vt1不同的阈值电压Vt2的第三栅极。

公开(公告)号：CN104335349B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201380027013.1

申请日：2013-05-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·常 ,  J·W·斯莱特

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10805 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/945 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/943

Abstract: 一种半导体纳米线与环绕式半导体部分(30D)一体地形成，该环绕式半导体部分接触位于深沟槽上部部分并且接触深沟槽电容器的内部电极(16)的导电顶盖结构(18)的侧壁。半导体纳米线(30N)悬于埋入绝缘体层(20)上方。栅电介质层(32L)形成在包括半导体纳米线和环绕式半导体部分的半导体材料结构(30P)的表面上。环绕式栅电极部分(30D)绕半导体纳米线的中心部分形成并且形成栅分隔件(52)。去除图案化的半导体材料结构的物理暴露部分，执行选择性外延和金属化，以将半导体纳米线的源侧端部连接到导电顶盖结构。

公开(公告)号：CN102640290B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080054255.6

申请日：2010-11-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·常 ,  M·吉隆 ,  C·拉沃伊 ,  C·小卡布里奥 ,  A·格里 ,  E·奥沙利文

IPC: H01L29/775 ,  H01L29/16 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明公开一种场效应晶体管，其包括：金属碳化物源极部分；金属碳化物漏极部分；绝缘碳部分，将金属碳化物源极部分与金属碳化物漏极部分隔开；纳米结构，形成于绝缘碳部分之上，并且将金属碳化物源极部分连接至金属碳化物漏极部分；以及栅极层叠，形成于绝缘碳部分的至少一部分和纳米结构的至少一部分之上。

公开(公告)号：CN102668150B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201080053617.X

申请日：2010-11-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·常 ,  M·奎洛恩 ,  E·A·约瑟夫

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/001 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0558

Abstract: 一种场效应晶体管(FET)，其包含：由第一材料形成的漏极；由所述第一材料形成的源极；由纳米结构形成的沟道，所述沟道将所述源极耦合到所述漏极；以及形成于所述源极与所述漏极之间并且包围所述纳米结构的栅极。

公开(公告)号：CN104303276A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380025170.9

申请日：2013-03-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·常 ,  M·A·吉罗恩 ,  B·普兰萨蒂哈兰 ,  J·W·斯莱特

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76202 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1108

Abstract: 本发明的实施例提供了一种防止相邻半导体器件的电气短路的方法。所述方法包括：在基板(109)上形成多个场效应晶体管的多个鳍(101-104)；在所述多个鳍中的第一(102)和第二(103)鳍之间形成至少一个阻挡结构(162)；以及从所述多个鳍生长外延膜(181-188)，所述外延膜从至少所述第一和第二鳍的侧壁水平地延伸，并且抵达位于所述第一和第二鳍之间的阻挡结构。

公开(公告)号：CN102498569B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201080041318.4

申请日：2010-08-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·斯莱特 ,  J·常 ,  L·常 ,  C-H·林

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种双电介质三栅极场效晶体管、双电介质三栅极场效晶体管的制造方法以及操作双电介质三栅极场效晶体管的方法。在一个实施例中，双电介质三栅极晶体管包括衬底、衬底上的绝缘层以及至少一个半导体鳍。第一电介质具有第一介电常数并且在该鳍的侧壁之上延伸，并且金属层在该第一电介质之上延伸。第二电介质具有第二介电常数并且位于该鳍的顶部表面上。栅极电极在鳍与第一和第二电介质之上延伸。栅极电极与第一电介质层形成具有阈值电压Vt1的第一和第二栅极，并且栅极电极与第二电介质层形成具有与Vt1不同的阈值电压Vt2的第三栅极。