公开(公告)号：CN101292345B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200680039243.X

申请日：2006-09-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·贝尔扬斯基 ,  D·奇达姆巴尔拉奥 ,  L·克莱文杰 ,  K·库玛尔 ,  C·拉登斯

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括倒置源极/漏极金属触点的场效应晶体管(FET)，该金属触点具有位于第一较低电介质层中的较低部分和位于第二较高电介质层中的较高部分。倒置源极/漏极金属触点的较低部分具有比较高部分更大的横截面积。优选地，倒置源极/漏极金属触点的较低部分的横截面积在约0.03μm2-约3.15μm2的范围内，并且这种倒置源极/漏极金属触点与FET的栅电极以在约0.001μm-约5μm范围内的距离相分隔。

公开(公告)号：CN101292345A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200680039243.X

申请日：2006-09-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·贝尔扬斯基 ,  D·奇达姆巴尔拉奥 ,  L·克莱文杰 ,  K·库玛尔 ,  C·拉登斯

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括倒置源极/漏极金属触点的场效应晶体管(FET)，该金属触点具有位于第一较低电介质层中的较低部分和位于第二较高电介质层中的较高部分。倒置源极/漏极金属触点的较低部分具有比较高部分更大的横截面积。优选地，倒置源极/漏极金属触点的较低部分的横截面积在约0.03μm2－约3.15μm2的范围内，并且这种倒置源极/漏极金属触点与FET的栅电极以在约0.001μm－约5μm范围内的距离相分隔。