公开(公告)号：CN101292345B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200680039243.X

申请日：2006-09-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·贝尔扬斯基 ,  D·奇达姆巴尔拉奥 ,  L·克莱文杰 ,  K·库玛尔 ,  C·拉登斯

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括倒置源极/漏极金属触点的场效应晶体管(FET)，该金属触点具有位于第一较低电介质层中的较低部分和位于第二较高电介质层中的较高部分。倒置源极/漏极金属触点的较低部分具有比较高部分更大的横截面积。优选地，倒置源极/漏极金属触点的较低部分的横截面积在约0.03μm2-约3.15μm2的范围内，并且这种倒置源极/漏极金属触点与FET的栅电极以在约0.001μm-约5μm范围内的距离相分隔。

公开(公告)号：CN118302848A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280078058.0

申请日：2022-09-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 堀部晃启 ,  陈倩文 ,  宫泽理沙 ,  M·贝尔扬斯基 ,  J·克尼克尔布克尔 ,  久田隆史

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/56 ,  C09J5/06

Abstract: 分选器晶片和分选晶片的方法包括定位分选器，该分选器通过包括解除接合层、光学增强层和抗反射层的接合层附接到晶片。使用激光器将分选器从晶片上解除接合，该激光器发射一定波长的激光能量，该波长的激光能量被解除接合层吸收并被光学增强层限制在解除接合层中，使得当解除接合层的材料暴露于激光能量时，该材料被烧蚀，从而释放晶片。

公开(公告)号：CN101292345A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200680039243.X

申请日：2006-09-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·贝尔扬斯基 ,  D·奇达姆巴尔拉奥 ,  L·克莱文杰 ,  K·库玛尔 ,  C·拉登斯

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括倒置源极/漏极金属触点的场效应晶体管(FET)，该金属触点具有位于第一较低电介质层中的较低部分和位于第二较高电介质层中的较高部分。倒置源极/漏极金属触点的较低部分具有比较高部分更大的横截面积。优选地，倒置源极/漏极金属触点的较低部分的横截面积在约0.03μm2－约3.15μm2的范围内，并且这种倒置源极/漏极金属触点与FET的栅电极以在约0.001μm－约5μm范围内的距离相分隔。