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公开(公告)号：CN116058113A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180057416.5
申请日：2021-07-30
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： K·罗德贝尔 , L·奥科拉 , C·雷特纳 , M·罗思韦尔 , E·黄
IPC: H10N60/01
Abstract: 提供了用于制造约瑟夫森结的光刻过程和结构，其包括沉积在第二抗蚀剂层(102)上的第一抗蚀剂层(104)，该第一抗蚀剂层包括限定用于形成约瑟夫森结的开口(114)的桥部分(116)。在桥部分上沉积第三抗蚀剂层(106)以形成在约瑟夫森结的制造期间将开口与超导材料(902)的成角度沉积(D1)遮蔽开的部分(118)。
